カテゴリー： Market Monitor Global, IT/電子, 世界

GaN-On-SiCウエハ市場：グローバル予測2024年-2030年

◆英語タイトル：GaN-On-SiC Wafer Market, Global Outlook and Forecast 2024-2030

Market Monitor Globalが発行した調査報告書（MON24CR514461）◆商品コード：MON24CR514461
◆発行会社（リサーチ会社）：Market Monitor Global
◆発行日：2024年8月
◆ページ数：約80
◆レポート形式：英語 / PDF
◆納品方法：Eメール（受注後2-3営業日）
◆調査対象地域：グローバル
◆産業分野：電子＆半導体
◆販売価格オプション（消費税別）
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※上記の日本語題名はH&Iグローバルリサーチが翻訳したものです。英語版原本には日本語表記はありません。
※為替レートは適宜修正・更新しております。リアルタイム更新ではありません。

❖ レポートの概要 ❖

本調査レポートは、GaN-On-SiCウエハ市場の包括的な分析を提供し、現在の動向、市場力学、将来の見通しに焦点を当てています。北米、欧州、アジア太平洋、新興市場などの主要地域を含む世界のGaN-On-SiCウエハ市場を調査しています。また、GaN-On-SiCウエハの成長を促進する主な要因、業界が直面する課題、市場プレイヤーの潜在的な機会についても考察しています。
世界のGaN-On-SiCウエハ市場は、2023年にxxxx米ドルと評価され、予測期間中に年平均成長率xxxx%で、2030年までにxxxx米ドルに達すると予測されています。

*** 主な特徴 ***

GaN-On-SiCウエハ市場に関する本調査レポートには、包括的なインサイトを提供し、関係者の意思決定を支援するためのいくつかの主要な特徴が含まれています。

[エグゼクティブサマリー]
GaN-On-SiCウエハ市場の主要な調査結果、市場動向、主要なインサイトの概要を提供しています。

[市場概要]
当レポートでは、GaN-On-SiCウエハ市場の定義、過去の推移、現在の市場規模など、包括的な概観を提供しています。また、タイプ別（4インチ、6インチ、8インチ、10インチ）、地域別、用途別（新エネルギー自動車、家電、5G通信、レーザー、その他）の市場セグメントを網羅し、各セグメントにおける主要促進要因、課題、機会を明らかにしています。

[市場ダイナミクス]
当レポートでは、GaN-On-SiCウエハ市場の成長と発展を促進する市場ダイナミクスを分析しています。政府政策や規制、技術進歩、消費者動向や嗜好、インフラ整備、業界連携などの分析データを掲載しています。この分析により、関係者はGaN-On-SiCウエハ市場の軌道に影響を与える要因を理解することができます。

[競合情勢]
当レポートでは、GaN-On-SiCウエハ市場における競合情勢を詳細に分析しています。主要市場プレイヤーのプロフィール、市場シェア、戦略、製品ポートフォリオ、最新動向などを掲載しています。

[市場細分化と予測]
当レポートでは、GaN-On-SiCウエハ市場をタイプ別、地域別、用途別など様々なパラメータに基づいて細分化しています。定量的データと分析に裏付けされた各セグメントごとの市場規模と成長予測を提供しています。これにより、関係者は成長機会を特定し、情報に基づいた投資決定を行うことができます。

[技術動向]
本レポートでは、GaN-On-SiCウエハ市場を形成する主要な技術動向（タイプ1技術の進歩や新たな代替品など）に焦点を当てます。これらのトレンドが市場成長、普及率、消費者の嗜好に与える影響を分析します。

[市場の課題と機会]
技術的ボトルネック、コスト制限、高い参入障壁など、GaN-On-SiCウエハ市場が直面する主な課題を特定し分析しています。また、政府のインセンティブ、新興市場、利害関係者間の協力など、市場成長の機会も取り上げています。

[規制・政策分析]
本レポートは、政府のインセンティブ、排出基準、インフラ整備計画など、GaN-On-SiCウエハ市場に関する規制・政策状況を分析しました。これらの政策が市場成長に与える影響を分析し、今後の規制動向に関する洞察を提供しています。

[提言と結論]
このレポートは、消費者、政策立案者、投資家、インフラストラクチャプロバイダーなどの利害関係者に対する実用的な推奨事項で締めくくられています。これらの推奨事項はリサーチ結果に基づいており、GaN-On-SiCウエハ市場内の主要な課題と機会に対処する必要があります。

[補足データと付録]
本レポートには、分析と調査結果を実証するためのデータ、図表、グラフが含まれています。また、データソース、調査アンケート、詳細な市場予測などの詳細情報を追加した付録も含まれています。

*** 市場区分 ****

GaN-On-SiCウエハ市場はタイプ別と用途別に分類されます。2019年から2030年までの期間において、セグメント間の成長により、タイプ別、用途別の市場規模の正確な計算と予測を提供します。

■タイプ別市場セグメント
4インチ、6インチ、8インチ、10インチ

■用途別市場セグメント
新エネルギー自動車、家電、5G通信、レーザー、その他

■地域別・国別セグメント
北米
米国
カナダ
メキシコ
欧州
ドイツ
フランス
英国
イタリア
ロシア
アジア
中国
日本
韓国
東南アジア
インド
南米
ブラジル
アルゼンチン
中東・アフリカ
トルコ
イスラエル
サウジアラビア
アラブ首長国連邦

*** 主要メーカー ***

TSMC、GaN Systems、SEDI、Infineon、Navitas、INNOSCIENCE、Sanan Optoelectronics、Shilan Microelectronics、Silicon Nitrogen Technology、Juneng Jingyuan、Beijing Sai Microelectronics

*** 主要章の概要 ***

第1章：GaN-On-SiCウエハの定義、市場概要を紹介

第2章：世界のGaN-On-SiCウエハ市場規模

第3章：GaN-On-SiCウエハメーカーの競争環境、価格、売上高、市場シェア、最新の開発計画、M&A情報などを詳しく分析

第4章：GaN-On-SiCウエハ市場をタイプ別に分析し、各セグメントの市場規模と発展可能性を掲載

第5章：GaN-On-SiCウエハ市場を用途別に分析し、各セグメントの市場規模と発展可能性を掲載

第6章：各地域とその主要国の市場規模と発展可能性を定量的に分析

第7章：主要企業のプロフィールを含め、企業の販売量、売上、価格、粗利益率、製品紹介、最近の開発など、市場における主要企業の基本的な状況を詳しく紹介

第8章 世界のGaN-On-SiCウエハの地域別生産能力

第9章：市場力学、市場の最新動向、推進要因と制限要因、業界のメーカーが直面する課題とリスク、業界の関連政策を分析

第10章：産業の上流と下流を含む産業チェーンの分析

第11章：レポートの要点と結論

❖ レポートの目次 ❖

1 当調査分析レポートの紹介
・GaN-On-SiCウエハ市場の定義
・市場セグメント
　　タイプ別：4インチ、6インチ、8インチ、10インチ
　　用途別：新エネルギー自動車、家電、5G通信、レーザー、その他
・世界のGaN-On-SiCウエハ市場概観
・本レポートの特徴とメリット
・調査方法と情報源
　　調査方法
　　調査プロセス
　　基準年
　　レポートの前提条件と注意点

2 GaN-On-SiCウエハの世界市場規模
・GaN-On-SiCウエハの世界市場規模：2023年VS2030年
・GaN-On-SiCウエハのグローバル売上高、展望、予測：2019年～2030年
・GaN-On-SiCウエハのグローバル売上高：2019年～2030年

3 企業の概況
・グローバル市場におけるGaN-On-SiCウエハ上位企業
・グローバル市場におけるGaN-On-SiCウエハの売上高上位企業ランキング
・グローバル市場におけるGaN-On-SiCウエハの企業別売上高ランキング
・世界の企業別GaN-On-SiCウエハの売上高
・世界のGaN-On-SiCウエハのメーカー別価格（2019年～2024年）
・グローバル市場におけるGaN-On-SiCウエハの売上高上位3社および上位5社、2023年
・グローバル主要メーカーのGaN-On-SiCウエハの製品タイプ
・グローバル市場におけるGaN-On-SiCウエハのティア1、ティア2、ティア3メーカー
　　グローバルGaN-On-SiCウエハのティア1企業リスト
　　グローバルGaN-On-SiCウエハのティア2、ティア3企業リスト

4 製品タイプ別分析
・概要
　　タイプ別 – GaN-On-SiCウエハの世界市場規模、2023年・2030年
　　4インチ、6インチ、8インチ、10インチ
・タイプ別 – GaN-On-SiCウエハのグローバル売上高と予測
　　タイプ別 – GaN-On-SiCウエハのグローバル売上高、2019年～2024年
　　タイプ別 – GaN-On-SiCウエハのグローバル売上高、2025年～2030年
　　タイプ別-GaN-On-SiCウエハの売上高シェア、2019年～2030年
・タイプ別 – GaN-On-SiCウエハの価格（メーカー販売価格）、2019年～2030年

5 用途別分析
・概要
　　用途別 – GaN-On-SiCウエハの世界市場規模、2023年・2030年
新エネルギー自動車、家電、5G通信、レーザー、その他
・用途別 – GaN-On-SiCウエハのグローバル売上高と予測
　　用途別 – GaN-On-SiCウエハのグローバル売上高、2019年～2024年
　　用途別 – GaN-On-SiCウエハのグローバル売上高、2025年～2030年
　　用途別 – GaN-On-SiCウエハのグローバル売上高シェア、2019年～2030年
・用途別 – GaN-On-SiCウエハの価格（メーカー販売価格）、2019年～2030年

6 地域別分析
・地域別 – GaN-On-SiCウエハの市場規模、2023年・2030年
・地域別 – GaN-On-SiCウエハの売上高と予測
　　地域別 – GaN-On-SiCウエハの売上高、2019年～2024年
　　地域別 – GaN-On-SiCウエハの売上高、2025年～2030年
　　地域別 – GaN-On-SiCウエハの売上高シェア、2019年～2030年
・北米
　　北米のGaN-On-SiCウエハ売上高・販売量、2019年～2030年
　　米国のGaN-On-SiCウエハ市場規模、2019年～2030年
　　カナダのGaN-On-SiCウエハ市場規模、2019年～2030年
　　メキシコのGaN-On-SiCウエハ市場規模、2019年～2030年
・ヨーロッパ
　　ヨーロッパのGaN-On-SiCウエハ売上高・販売量、2019年〜2030年
　　ドイツのGaN-On-SiCウエハ市場規模、2019年～2030年
　　フランスのGaN-On-SiCウエハ市場規模、2019年～2030年
　　イギリスのGaN-On-SiCウエハ市場規模、2019年～2030年
　　イタリアのGaN-On-SiCウエハ市場規模、2019年～2030年
　　ロシアのGaN-On-SiCウエハ市場規模、2019年～2030年
・アジア
　　アジアのGaN-On-SiCウエハ売上高・販売量、2019年～2030年
　　中国のGaN-On-SiCウエハ市場規模、2019年～2030年
　　日本のGaN-On-SiCウエハ市場規模、2019年～2030年
　　韓国のGaN-On-SiCウエハ市場規模、2019年～2030年
　　東南アジアのGaN-On-SiCウエハ市場規模、2019年～2030年
　　インドのGaN-On-SiCウエハ市場規模、2019年～2030年
・南米
　　南米のGaN-On-SiCウエハ売上高・販売量、2019年～2030年
　　ブラジルのGaN-On-SiCウエハ市場規模、2019年～2030年
　　アルゼンチンのGaN-On-SiCウエハ市場規模、2019年～2030年
・中東・アフリカ
　　中東・アフリカのGaN-On-SiCウエハ売上高・販売量、2019年～2030年
　　トルコのGaN-On-SiCウエハ市場規模、2019年～2030年
　　イスラエルのGaN-On-SiCウエハ市場規模、2019年～2030年
　　サウジアラビアのGaN-On-SiCウエハ市場規模、2019年～2030年
　　UAEGaN-On-SiCウエハの市場規模、2019年～2030年

7 主要メーカーのプロフィール
※掲載企業：TSMC、GaN Systems、SEDI、Infineon、Navitas、INNOSCIENCE、Sanan Optoelectronics、Shilan Microelectronics、Silicon Nitrogen Technology、Juneng Jingyuan、Beijing Sai Microelectronics

・Company A
　　Company Aの会社概要
　　Company Aの事業概要
　　Company AのGaN-On-SiCウエハの主要製品
　　Company AのGaN-On-SiCウエハのグローバル販売量・売上
　　Company Aの主要ニュース＆最新動向
・Company B
　　Company Bの会社概要
　　Company Bの事業概要
　　Company BのGaN-On-SiCウエハの主要製品
　　Company BのGaN-On-SiCウエハのグローバル販売量・売上
　　Company Bの主要ニュース＆最新動向
…
…

8 世界のGaN-On-SiCウエハ生産能力分析
・世界のGaN-On-SiCウエハ生産能力
・グローバルにおける主要メーカーのGaN-On-SiCウエハ生産能力
・グローバルにおけるGaN-On-SiCウエハの地域別生産量

9 主な市場動向、機会、促進要因、抑制要因
・市場の機会と動向
・市場の促進要因
・市場の抑制要因

10 GaN-On-SiCウエハのサプライチェーン分析
・GaN-On-SiCウエハ産業のバリューチェーン
・GaN-On-SiCウエハの上流市場
・GaN-On-SiCウエハの下流市場と顧客リスト
・マーケティングチャネル分析
　　マーケティングチャネル
　　世界のGaN-On-SiCウエハの販売業者と販売代理店

11 まとめ

12 付録
・注記
・クライアントの例
・免責事項

図一覧

・GaN-On-SiCウエハのタイプ別セグメント
・GaN-On-SiCウエハの用途別セグメント
・GaN-On-SiCウエハの世界市場概要、2023年
・主な注意点
・GaN-On-SiCウエハの世界市場規模：2023年VS2030年
・GaN-On-SiCウエハのグローバル売上高：2019年～2030年
・GaN-On-SiCウエハのグローバル販売量：2019年～2030年
・GaN-On-SiCウエハの売上高上位3社および5社の市場シェア、2023年
・タイプ別-GaN-On-SiCウエハのグローバル売上高
・タイプ別-GaN-On-SiCウエハのグローバル売上高シェア、2019年～2030年
・タイプ別-GaN-On-SiCウエハのグローバル売上高シェア、2019年～2030年
・タイプ別-GaN-On-SiCウエハのグローバル価格
・用途別-GaN-On-SiCウエハのグローバル売上高
・用途別-GaN-On-SiCウエハのグローバル売上高シェア、2019年～2030年
・用途別-GaN-On-SiCウエハのグローバル売上高シェア、2019年～2030年
・用途別-GaN-On-SiCウエハのグローバル価格
・地域別-GaN-On-SiCウエハのグローバル売上高、2023年・2030年
・地域別-GaN-On-SiCウエハのグローバル売上高シェア、2019年 VS 2023年 VS 2030年
・地域別-GaN-On-SiCウエハのグローバル売上高シェア、2019年～2030年
・国別-北米のGaN-On-SiCウエハ市場シェア、2019年～2030年
・米国のGaN-On-SiCウエハの売上高
・カナダのGaN-On-SiCウエハの売上高
・メキシコのGaN-On-SiCウエハの売上高
・国別-ヨーロッパのGaN-On-SiCウエハ市場シェア、2019年～2030年
・ドイツのGaN-On-SiCウエハの売上高
・フランスのGaN-On-SiCウエハの売上高
・英国のGaN-On-SiCウエハの売上高
・イタリアのGaN-On-SiCウエハの売上高
・ロシアのGaN-On-SiCウエハの売上高
・地域別-アジアのGaN-On-SiCウエハ市場シェア、2019年～2030年
・中国のGaN-On-SiCウエハの売上高
・日本のGaN-On-SiCウエハの売上高
・韓国のGaN-On-SiCウエハの売上高
・東南アジアのGaN-On-SiCウエハの売上高
・インドのGaN-On-SiCウエハの売上高
・国別-南米のGaN-On-SiCウエハ市場シェア、2019年～2030年
・ブラジルのGaN-On-SiCウエハの売上高
・アルゼンチンのGaN-On-SiCウエハの売上高
・国別-中東・アフリカGaN-On-SiCウエハ市場シェア、2019年～2030年
・トルコのGaN-On-SiCウエハの売上高
・イスラエルのGaN-On-SiCウエハの売上高
・サウジアラビアのGaN-On-SiCウエハの売上高
・UAEのGaN-On-SiCウエハの売上高
・世界のGaN-On-SiCウエハの生産能力
・地域別GaN-On-SiCウエハの生産割合（2023年対2030年）
・GaN-On-SiCウエハ産業のバリューチェーン
・マーケティングチャネル
※参考情報

GaN-On-SiCウエハは、ガリウムナイトライド（GaN）をシリコンカーバイド（SiC）基板上に成長させた半導体ウエハであり、特に高性能の電子デバイスや光デバイスにおいて重要な役割を果たしています。GaNとSiCの組み合わせは、それぞれの材料の特性を活かし、さまざまなアプリケーションでの高効率化や高性能化を実現するために用いられます。

GaNは、高いバンドギャップを持つ化合物半導体であり、広いエネルギーバンド幅によって、優れた高周波特性や高温性能を示します。これに対して、SiCは、高い熱伝導性や耐圧性を持つことで知られています。このため、GaNとSiCを組み合わせたGaN-On-SiCウエハは、特にパワーエレクトロニクスやRF（高周波）デバイスでの使用が期待されています。

GaN-On-SiCウエハの特長には、まず高い出力密度が挙げられます。これはGaNの特性によるもので、従来のシリコンベースのデバイスと比較して、より小型化されたデバイスでも高い出力を実現できます。また、GaN-On-SiCウエハは、高効率なエネルギー変換を可能とし、電力損失を抑えることができるため、エネルギー節約や熱管理の面でも有利です。

さらに、GaN-On-SiCウエハは、優れた線形性や広帯域動作特性を持つため、通信機器において特に有用です。例えば、5G通信ネットワークや衛星通信、レーダーシステムにおける高周波信号の処理に適しています。これにより、データ伝送の効率や品質を向上させることができます。

GaN-On-SiCウエハの種類には、主にクラックレス型、バルク型、フェーズ型などの形式があります。クラックレス型は、基板上にGaNを薄膜状に成長させるもので、厚さが均一で高い結晶品質を持つことが特徴です。バルク型は、より厚いGaN層を持つ構造で、特に高出力デバイスに適しています。フェーズ型は、異なる層の構造を持ち、用途に応じた特性を持つことが可能です。

用途としては、まずパワーエレクトロニクスが挙げられます。この分野では、電力変換装置やインバータ、AC-DCコンバータなどが含まれます。GaN-On-SiCウエハを用いることで、従来のシリコンデバイスよりも高効率な電力変換が可能となり、システム全体のサイズ縮小やコスト削減にも寄与します。

次に、RFデバイスの分野では、GaN-On-SiCウエハはパワーアンプやバイポーラトランジスタに使用されています。これは特に、高出力や広帯域幅を必要とする応用において、GaNが持つ優れた性能を活かすことができるからです。軍事用途や航空宇宙関連の通信機器においてもその信頼性が求められています。

また、LED技術においてもGaN-On-SiCウエハは利用されています。高効率な発光特性や長寿命を持つため、照明やディスプレイ技術において強力な存在です。特に青色LEDの発展は、ホワイトLEDやRGB照明の技術革新に大きな影響を与えています。

GaN-On-SiCウエハの製造技術には、多くの先端的な手法が用いられています。例えば、金属有機化学気相成長（MOCVD）は、GaN層を高品質で成長させるために利用される代表的な手法です。MOCVDは、均一な薄膜形成が可能であり、高い結晶品質を持つGaN層を生成することができます。また、エッチング技術や成膜技術も重要な要素であり、これらを駆使して高性能デバイスを実現します。

さらに、GaN-On-SiCウエハの市場は、近年急速に成長しています。特に、自動運転技術や電気自動車の普及に伴い、高効率なパワーエレクトロニクスデバイスの需要が増加しています。これにより、GaN-On-SiCのニーズも高まり、研究開発が進んでいます。

今後の展望として、GaN-On-SiCウエハ技術はさらに進化し、多様なアプリケーションへの展開が期待されます。特に、量子コンピューティングやIoT（モノのインターネット）機器において、その高性能な特性が活かされることで、新たな市場を開拓する可能性があります。これにより、より高効率でコンパクトな電子デバイスの実現が期待されています。

GaN-On-SiCウエハは、その特性と性能から、次世代の半導体デバイスにおいて重要な技術であり、さまざまな分野における革新を促進する役割を果たしています。今後もこの技術が進化し、幅広い応用が期待されることは間違いありません。


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