目次
第1章 調査方法と範囲
1.1. 市場セグメンテーションと範囲
1.2. 市場定義
1.3. 情報調達
1.4. 情報分析
1.4.1. 市場形成とデータの可視化
1.4.2. データの検証と公開
1.5. 調査範囲と前提条件
1.6. データソース一覧
第2章 エグゼクティブサマリー
2.1. 市場展望
2.2. セグメント別展望
2.3. 競合状況のスナップショット
第3章 高電子移動度トランジスタ：市場変数、トレンド、および範囲
3.1. 市場系統の展望
3.2. 業界バリューチェーン分析
3.3. 市場ダイナミクス
3.3.1. 市場ドライバーの影響分析
3.3.1.1.高速通信システムへの需要増加と無線デバイスの普及拡大
3.3.1.2. 費用対効果の高い電力システムへの需要増加
3.3.2. 市場課題の影響分析
3.3.2.1. HEMTトランジスタデバイスの製造・開発における従来型の手順の欠如
3.3.3. 市場機会の影響分析
3.3.3.1. 電気自動車の普及拡大と5Gネットワークの拡大
3.4. 業界分析ツール
3.4.1. ポーター分析
3.4.2. PESTEL分析
第4章 高電子移動度トランジスタ市場：タイプ別予測とトレンド分析
4.1. タイプ別動向分析と市場シェア、2022年および2030年
4.2. 高電子移動度トランジスタ市場の予測と予測（タイプ別）
4.2.1. 窒化ガリウム（GaN）
4.2.2.シリコンカーバイド（SiC）
4.2.3. ガリウムヒ素（GaAs）
4.2.4. その他
第5章 高電子移動度トランジスタ（HEMT）市場：最終用途別予測とトレンド分析
5.1. 最終用途別動向分析と市場シェア（2022年および2030年）
5.2. HEMT市場の最終用途別予測と予測
5.2.1. コンシューマーエレクトロニクス
5.2.2. 自動車
5.2.3. 産業機器
5.2.4. 航空宇宙・防衛
5.2.5. その他
第6章 高電子移動度トランジスタ（HEMT）市場：地域別予測とトレンド分析
6.1. HEMT市場：地域別展望
6.2. 北米
6.2.1.北米高電子移動度トランジスタ市場の推定と予測、2017年～2030年（10億米ドル）
6.2.2. 米国
6.2.2.1. 米国高電子移動度トランジスタ市場の推定と予測、2017年～2030年（10億米ドル）
6.2.3. カナダ
6.2.3.1. カナダ高電子移動度トランジスタ市場の推定と予測、2017年～2030年（10億米ドル）
6.3. 欧州
6.3.1. 欧州高電子移動度トランジスタ市場の推定と予測、2017年～2030年（10億米ドル）
6.3.2. 英国
6.3.2.1.英国における高電子移動度トランジスタ市場の推定と予測、2017年～2030年（10億米ドル）
6.3.3. ドイツ
6.3.3.1. ドイツにおける高電子移動度トランジスタ市場の推定と予測、2017年～2030年（10億米ドル）
6.3.4. フランス
6.3.4.1. フランスにおける高電子移動度トランジスタ市場の推定と予測、2017年～2030年（10億米ドル）
6.4. アジア太平洋地域
6.4.1. アジア太平洋地域における高電子移動度トランジスタ市場の推定と予測、2017年～2030年（10億米ドル）
6.4.2. 中国
6.4.2.1.中国における高電子移動度トランジスタ市場の推定と予測、2017年～2030年（10億米ドル）
6.4.3. インド
6.4.3.1. インドにおける高電子移動度トランジスタ市場の推定と予測、2017年～2030年（10億米ドル）
6.4.4. 日本
6.4.4.1. 日本における高電子移動度トランジスタ市場の推定と予測、2017年～2030年（10億米ドル）
6.4.5. オーストラリア
6.4.5.1. オーストラリアにおける高電子移動度トランジスタ市場の推定と予測、2017年～2030年（10億米ドル）
6.4.6. 韓国
6.4.6.1.韓国における高電子移動度トランジスタ市場の推定と予測、2017年～2030年（10億米ドル）
6.5. ラテンアメリカ
6.5.1. ラテンアメリカにおける高電子移動度トランジスタ市場の推定と予測、2017年～2030年（10億米ドル）
6.5.2. ブラジル
6.5.2.1. ブラジルにおける高電子移動度トランジスタ市場の推定と予測、2017年～2030年（10億米ドル）
6.5.3. メキシコ
6.5.3.1. メキシコにおける高電子移動度トランジスタ市場の推定と予測、2017年～2030年（10億米ドル）
6.6. 中東およびアフリカ
6.6.1.中東およびアフリカにおける高電子移動度トランジスタ市場の推定と予測、2017年～2030年（10億米ドル）
6.6.2. サウジアラビア王国（KSA）
6.6.2.1. サウジアラビア王国（KSA）における高電子移動度トランジスタ市場の推定と予測、2017年～2030年（10億米ドル）
6.6.3. アラブ首長国連邦（UAE）
6.6.3.1. UAEにおける高電子移動度トランジスタ市場の推定と予測、2017年～2030年（10億米ドル）
6.6.4. 南アフリカ
6.6.4.1. 南アフリカにおける高電子移動度トランジスタ市場の推定と予測、2017年～2030年（10億米ドル）
第7章 競争環境
7.1.企業分類
7.2. 参加者概要
7.2.1. Qorvo
7.2.2. Infineon Technologies AG
7.2.3. Mouser Electronics, Inc.
7.2.4. MACOM
7.2.5. Wolfspeed
7.2.6. RFHIC Corporation
7.2.7. ST Microelectronics
7.2.8. Texas Instruments
7.2.9. 住友電気工業株式会社
7.2.10. Analog Devices, Inc.
7.3. 財務実績
7.4. 製品ベンチマーク
7.5. 企業市場ポジショニング
7.6. 2022年における企業市場シェア分析
7.7. 企業ヒートマップ分析
7.8. 戦略マッピング
7.8.1. 事業拡大
7.8.2. 協業
7.8.3.合併と買収
7.8.4. 新製品の発売
7.8.5. 提携
7.8.6. その他
Chapter 1. Methodology and Scope
1.1. Market Segmentation & Scope
1.2. Market Definitions
1.3. Information Procurement
1.4. Information Analysis
1.4.1. Market Formulation & Data Visualization
1.4.2. Data Validation & Publishing
1.5. Research Scope and Assumptions
1.6. List of Data Sources
Chapter 2. Executive Summary
2.1. Market Outlook
2.2. Segmental Outlook
2.3. Competitive Landscape Snapshot
Chapter 3. High Electron Mobility Transistor: Market Variables, Trends, & Scope
3.1. Market Lineage Outlook
3.2. Industry Value Chain Analysis
3.3. Market Dynamics
3.3.1. Market Driver Impact Analysis
3.3.1.1. Increasing demand for high-speed communication systems and the growing adoption of wireless devices
3.3.1.2. The growing demand for cost-effective power systems
3.3.2. Market Challenge Impact Analysis
3.3.2.1. The lack of conventional procedures for producing and developing HEMT transistor devices
3.3.3. Market Opportunity Impact Analysis
3.3.3.1. Rising adoption of electric vehicles and expansion of 5G networks
3.4. Industry Analysis Tools
3.4.1. Porter’s Analysis
3.4.2. PESTEL Analysis
Chapter 4. High Electron Mobility Transistor Market: Type Estimates & Trend Analysis
4.1. Type Movement Analysis & Market Share, 2022 & 2030
4.2. High Electron Mobility Transistor Market Estimates & Forecast, By Type
4.2.1. Gallium Nitride (GaN)
4.2.2. Silicon Carbide (SiC)
4.2.3. Gallium Arsenide (GaAs)
4.2.4. Others
Chapter 5. High Electron Mobility Transistor Market: End-use Estimates & Trend Analysis
5.1. End-Use Movement Analysis & Market Share, 2022 & 2030
5.2. High Electron Mobility Transistor Market Estimates & Forecast, By End-Use
5.2.1. Consumer Electronics
5.2.2. Automotive
5.2.3. Industrial
5.2.4. Aerospace & Defense
5.2.5. Others
Chapter 6. High Electron Mobility Transistor Market: Regional Estimates & Trend Analysis
6.1. High Electron Mobility Transistor Market: Regional Outlook
6.2. North America
6.2.1. North America High Electron Mobility Transistor Market Estimates & Forecasts, 2017 - 2030 (USD Billion)
6.2.2. U.S.
6.2.2.1. U.S. High Electron Mobility Transistor Market Estimates & Forecasts, 2017 - 2030 (USD Billion)
6.2.3. Canada
6.2.3.1. Canada High Electron Mobility Transistor Market Estimates & Forecasts, 2017 - 2030 (USD Billion)
6.3. Europe
6.3.1. Europe High Electron Mobility Transistor Market Estimates & Forecasts, 2017 - 2030 (USD Billion)
6.3.2. UK
6.3.2.1. UK High Electron Mobility Transistor Market Estimates & Forecasts, 2017 - 2030 (USD Billion)
6.3.3. Germany
6.3.3.1. Germany High Electron Mobility Transistor Market Estimates & Forecasts, 2017 - 2030 (USD Billion)
6.3.4. France
6.3.4.1. France High Electron Mobility Transistor Market Estimates & Forecasts, 2017 - 2030 (USD Billion)
6.4. Asia Pacific
6.4.1. Asia Pacific High Electron Mobility Transistor Market Estimates & Forecasts, 2017 - 2030 (USD Billion)
6.4.2. China
6.4.2.1. China High Electron Mobility Transistor Market Estimates & Forecasts, 2017 - 2030 (USD Billion)
6.4.3. India
6.4.3.1. India High Electron Mobility Transistor Market Estimates & Forecasts, 2017 - 2030 (USD Billion)
6.4.4. Japan
6.4.4.1. Japan High Electron Mobility Transistor Market Estimates & Forecasts, 2017 - 2030 (USD Billion)
6.4.5. Australia
6.4.5.1. Australia High Electron Mobility Transistor Market Estimates & Forecasts, 2017 - 2030 (USD Billion)
6.4.6. South Korea
6.4.6.1. South Korea High Electron Mobility Transistor Market Estimates & Forecasts, 2017 - 2030 (USD Billion)
6.5. Latin America
6.5.1. Latin America High Electron Mobility Transistor Market Estimates & Forecasts, 2017 - 2030 (USD Billion)
6.5.2. Brazil
6.5.2.1. Brazil High Electron Mobility Transistor Market Estimates & Forecasts, 2017 - 2030 (USD Billion)
6.5.3. Mexico
6.5.3.1. Mexico High Electron Mobility Transistor Market Estimates & Forecasts, 2017 - 2030 (USD Billion)
6.6. Middle East & Africa
6.6.1. Middle East & Africa High Electron Mobility Transistor Market Estimates & Forecasts, 2017 - 2030 (USD Billion)
6.6.2. The Kingdom of Saudi Arabia (KSA)
6.6.2.1. The Kingdom of Saudi Arabia (KSA) High Electron Mobility Transistor Market Estimates & Forecasts, 2017 - 2030 (USD Billion)
6.6.3. UAE
6.6.3.1. UAE High Electron Mobility Transistor Market Estimates & Forecasts, 2017 - 2030 (USD Billion)
6.6.4. South Arica
6.6.4.1. South Africa High Electron Mobility Transistor Market Estimates & Forecasts, 2017 - 2030 (USD Billion)
Chapter 7. Competitive Landscape
7.1. Company Categorization
7.2. Participant’s Overview
7.2.1. Qorvo
7.2.2. Infineon Technologies AG
7.2.3. Mouser Electronics, Inc.
7.2.4. MACOM
7.2.5. Wolfspeed
7.2.6. RFHIC Corporation
7.2.7. ST Microelectronics
7.2.8. Texas Instruments
7.2.9. Sumitomo Electric Industries, Ltd.
7.2.10. Analog Devices, Inc.
7.3. Financial Performance
7.4. Product Benchmarking
7.5. Company Market Positioning
7.6. Company Market Share Analysis, 2022
7.7. Company Heat Map Analysis
7.8. Strategy Mapping
7.8.1. Expansion
7.8.2. Collaborations
7.8.3. Mergers & Acquisitions
7.8.4. New Product Launches
7.8.5. Partnerships
7.8.6. Others
| ※参考情報 高電子移動度トランジスタ（HEMT）は、特に高周波や高速動作が求められる電子回路に使用される半導体デバイスの一つです。HEMTは、キャリア移動度が非常に高いため、主に高周波の信号処理やアンプとして用いられます。このトランジスタは、しばしば化合物半導体材料で構成されるため、シリコンベースのトランジスタに比べて優れた性能を示します。 HEMTの基本的な構造には、二つの異なるバンドギャップを持つ半導体材料の異種接合が含まれます。通常、ヘテロ接合（異なる材料の接合）を用いることで、より高いキャリア移動度を実現します。例えば、ガリウム砒素（GaAs）とアルミニウムガリウム砒素（AlGaAs）を組み合わせることで、電子の移動度を増加させ、優れた性能を発揮します。このようなヘテロ接合によって形成された2次元電子ガス（2DEG）は、特に高い電子移動度を持ち、高速動作が可能です。 HEMTにはいくつかの種類があり、主なものには、ガリウム窒化物（GaN）HEMT、ガリウム砒素（GaAs）HEMTおよびシリコン（Si）HEMTがあります。ガリウム窒化物HEMTは、高出力、広帯域、高温動作が可能であり、特に無線通信やパワーエレクトロニクスの分野での利用が進んでいます。ガリウム砒素HEMTは、プロセスが成熟しており、高周波信号の増幅器やミリ波デバイスで主に使われます。シリコンHEMTは、コスト効果が高く、シリコンプロセスを利用できるため、広範な用途に対応することができます。 HEMTの主な用途には、通信システムやレーダーシステム、パワーアンプ、無線基地局、衛星通信、携帯電話、そして光通信デバイスが含まれます。特に、高周波数帯域での利点を生かし、5G通信やミリ波通信などの新しい通信技術において重要な役割を果たしています。また、HEMTはエネルギー効率が高いため、次世代のエレクトロニクスにおいても期待されています。 加えて、HEMTはエネルギー変換やパワーエレクトロニクスにおいても非常に有望です。例えば、ガリウム窒化物HEMTは、高効率の電力変換デバイスとしても活用され、電気自動車の充電器や再生可能エネルギーシステムでの利用が進められています。 関連技術としては、HEMTの性能をさらに向上させるためのナノエレクトロニクス技術や、量子効果を利用したデバイスの研究が進められています。また、3D集積化技術や、低コストで大面積に対応できる製造プロセスの開発も重要なトピックです。これにより、HEMTは今後ますます多くの分野で利用されることが期待されています。 HEMTの市場は急速に成長しており、通信技術の革新やエネルギー効率化へのニーズが高まる中で、今後もその重要性は増す一方です。技術の進化に伴い、HEMTはより小型化、軽量化され、様々なアプリケーションでの冷却技術やパッケージング技術の進展も進められています。これにより、HEMTは今後の電子機器の進化を支える重要な要素として位置づけられることになるでしょう。 |
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