パワー半導体のグローバル市場(2023-2032):SiC、GaN、その他

◆英語タイトル:Global Power Semiconductor Market By Material (SiC, GaN, Others), By Product (Power MOSFET, IGBT, Thyristor, Power Diode, Others), By Industry Vertical (IT and Telecom, Aerospace and Defense, Industrial, Energy and Power, Electronics, Automotive, Healthcare): Global Opportunity Analysis and Industry Forecast, 2023-2032

Allied Market Researchが発行した調査報告書(ALD23OCT165)◆商品コード:ALD23OCT165
◆発行会社(リサーチ会社):Allied Market Research
◆発行日:2023年7月
   最新版(2025年又は2026年)はお問い合わせください。
◆ページ数:430
◆レポート形式:英語 / PDF
◆納品方法:Eメール(受注後24時間以内)
◆調査対象地域:グローバル
◆産業分野:半導体
◆販売価格オプション(消費税別)
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※上記の日本語題名はH&Iグローバルリサーチが翻訳したものです。英語版原本には日本語表記はありません。
※為替レートは適宜修正・更新しております。リアルタイム更新ではありません。

❖ レポートの概要 ❖

パワー半導体市場の2022年の市場規模は48,870.0百万ドルで、2032年には75,114.7百万ドルに達すると予測され、2023年から2032年までの年平均成長率は4.51%です。
パワー半導体市場とは、パワー半導体デバイスおよびコンポーネントの生産、流通、販売に関わる世界的な産業のことです。パワー半導体は、電気回路で高い電力レベルを扱うために特別に設計された電子機器です。パワー半導体は、パワーエレクトロニクス、再生可能エネルギーシステム、電気自動車、産業オートメーションなど、さまざまなアプリケーションで重要な役割を果たしています。パワー半導体市場は、エネルギー効率の高い技術に対する需要の増加、再生可能エネルギー源への移行、電気自動車の急速な普及により、近年著しい成長を遂げています。

パワー半導体市場は、材料、製品、産業分野、地域によって区分されます。材料ベースでは、市場はSiC、GaN、その他に細分化されます。製品別では、パワーMOSFET、IGBT、サイリスタ、パワーダイオード、その他に分類されています。
産業別では、IT・通信、航空宇宙・防衛、産業、エネルギー・電力、エレクトロニクス、自動車、ヘルスケアに分類されています。
地域別では、北米(アメリカ、カナダ、メキシコ)、ヨーロッパ(イギリス、ドイツ、フランス、その他ヨーロッパ)、アジア太平洋(中国、日本、インド、韓国、その他アジア太平洋)、中南米・中東・アフリカ(中南米、中東、アフリカ)でパワー半導体の市場動向を分析しています。

本レポートではFujitsu Limited, Infineon Technologies, Maxim Integrated, Microchip Technology, NXP Semiconductors, ON Semiconductor Corporation, Renesas Electronics Corporation, STMicroelectronics, Texas Instruments, and Toshiba Corporationなどの主要企業のプロフィールを掲載しています。

ステークホルダーにとっての主なメリット
本レポートは、2022年から2032年までの世界のパワー半導体市場分析の市場セグメント、現在の動向、予測、ダイナミクスを定量的に分析し、優勢な世界のパワー半導体市場の機会を特定します。
主な促進要因、阻害要因、機会に関する情報とともに市場調査を提供します。
ポーターのファイブフォース分析により、バイヤーとサプライヤーの潜在力を明らかにし、ステークホルダーが利益重視のビジネス決定を下し、サプライヤーとバイヤーのネットワークを強化できるようにします。
世界のパワー半導体市場のセグメンテーションを詳細に分析することで、市場機会を見極めることができます。
各地域の主要国を世界市場への収益貢献度に応じてマッピングしています。
市場プレイヤーのポジショニングはベンチマーキングを容易にし、市場プレイヤーの現在のポジションを明確に理解することができます。
パワー半導体の世界市場動向、主要企業、市場セグメント、応用分野、市場成長戦略など、地域別および世界別の分析を含みます。

本レポートをご購入いただくと、以下の特典があります:
四半期ごとの更新可能です*(コーポレート・ライセンスの場合のみ、表示価格でのご提供となります)
無料のアップデートとして、購入前または購入後に、5社の会社概要を追加可能です。
アナリストによる16時間のサポート可能です。*(購入後、レポートのレビューで追加のデータ要件が見つかった場合、質問や販売後の問い合わせを解決するためにアナリストによる16時間のサポートを受けることができます)
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レポートが6~12ヶ月以上前の場合、無料更新可能です。
24時間優先対応可能です。
産業の最新情報とホワイトペーパーを無料で提供します。

本レポートで可能なカスタマイズ(追加費用とスケジュールが必要です。)
製品ベンチマーク / 製品仕様と用途
製品ライフサイクル
サプライチェーン分析とベンダー利益率
地域別の新規参入企業
製品/セグメント別プレーヤーシェア分析
主要企業の新製品開発/製品マトリックス
顧客の関心に応じた追加的な企業プロファイル
国・地域別の追加分析-市場規模と予測
企業プロファイルの拡張リスト
過去の市場データ
世界/地域/国レベルでのプレーヤーの市場シェア分析

主要市場セグメント

製品別
炭酸ケイ素(SiC)
窒化ガリウム(GaN)
その他

用途別
IT・通信
コンシューマー・エレクトロニクス
自動車
航空宇宙・防衛
運輸
医療
エネルギー・電力
その他

コンポーネント別
ディスクリート
モジュール
パワー集積回路

地域別
北米
アメリカ
カナダ
メキシコ
ヨーロッパ
イギリス
ドイツ
フランス
その他のヨーロッパ
アジア太平洋
中国
日本
インド
韓国
その他のアジア太平洋地域
中南米・中東・アフリカ
中南米
中東
アフリカ

主要市場プレイヤー
ON Semiconductor Corporation
Renesas Electronics
Toshiba Corporation
NXP Semiconductors N.V.
Fuji Electric Co., Ltd.
Infineon Technologies AG
Texas Instruments Inc.
STMicroelectronics N.V.
Mitsubishi Electric Corporation.
Hitachi, Ltd.

第1章. 序章
第2章. エグゼクティブサマリー
第3章. 市場概要
第4章. パワー半導体の市場分析:材料別
第5章. パワー半導体の市場分析:製品別
第6章. パワー半導体の市場分析:産業別
第7章. パワー半導体の市場分析:地域別
第8章. 競争状況
第9章. 企業情報

❖ レポートの目次 ❖

第1章:序論
1.1. レポートの概要
1.2. 主要市場セグメント
1.3. ステークホルダーにとっての主なメリット
1.4. 調査方法
1.4.1. 一次調査
1.4.2. 二次調査
1.4.3. アナリストツールとモデル
第2章:エグゼクティブサマリー
2.1. CXOの視点
第3章:市場概要
3.1. 市場の定義と範囲
3.2. 主な調査結果
3.2.1. 主要な影響要因
3.2.2. 主要な投資先
3.3. ポーターの5つの力分析
3.3.1. サプライヤーの交渉力は中程度
3.3.2. 新規参入の脅威は高い
3.3.3. 代替品の脅威は中程度
3.3.4. 競争の激しさは中程度
3.3.5.買い手の高い交渉力
3.4. 市場ダイナミクス
3.4.1. 推進要因
3.4.1.1. 発電における太陽光発電パネルの利用増加
3.4.1.2. 様々な業界分野におけるパワーエレクトロニクスモジュールの需要急増

3.4.2. 制約要因
3.4.2.1. SiC半導体イノベーションの生産ネットワークと計画サイクルの複雑さ

3.4.3. 機会
3.4.3.1. 政府によるHVDCおよびスマートグリッドへの取り組み

3.5. COVID-19による市場への影響分析
第4章:世界のパワー半導体市場(材料別)
4.1. 概要
4.1.1. 市場規模と予測
4.2. SiC
4.2.1. 主要な市場動向、成長要因、機会
4.2.2.地域別市場規模および予測
4.2.3. 国別市場シェア分析
4.3. GaN
4.3.1. 主要市場動向、成長要因、機会
4.3.2. 地域別市場規模および予測
4.3.3. 国別市場シェア分析
4.4. その他
4.4.1. 主要市場動向、成長要因、機会
4.4.2. 地域別市場規模および予測
4.4.3. 国別市場シェア分析
第5章:世界のパワー半導体市場(製品別)
5.1. 概要
5.1.1. 市場規模および予測
5.2. パワーMOSFET
5.2.1. 主要市場動向、成長要因、機会
5.2.2. 地域別市場規模および予測
5.2.3. 国別市場シェア分析
5.3. IGBT
5.3.1.主要市場動向、成長要因、機会
5.3.2. 地域別市場規模と予測
5.3.3. 国別市場シェア分析
5.4. サイリスタ
5.4.1. 主要市場動向、成長要因、機会
5.4.2. 地域別市場規模と予測
5.4.3. 国別市場シェア分析
5.5. パワーダイオード
5.5.1. 主要市場動向、成長要因、機会
5.5.2. 地域別市場規模と予測
5.5.3. 国別市場シェア分析
5.6. その他
5.6.1. 主要市場動向、成長要因、機会
5.6.2. 地域別市場規模と予測
5.6.3. 国別市場シェア分析
第6章:世界のパワー半導体市場(業種別)
6.1. 概要
6.1.1.市場規模と予測
6.2. IT・通信
6.2.1. 主要市場動向、成長要因、機会
6.2.2. 地域別市場規模と予測
6.2.3. 国別市場シェア分析
6.3. 航空宇宙・防衛
6.3.1. 主要市場動向、成長要因、機会
6.3.2. 地域別市場規模と予測
6.3.3. 国別市場シェア分析
6.4. 産業
6.4.1. 主要市場動向、成長要因、機会
6.4.2. 地域別市場規模と予測
6.4.3. 国別市場シェア分析
6.5. エネルギー・電力
6.5.1. 主要市場動向、成長要因、機会
6.5.2. 地域別市場規模と予測
6.5.3. 国別市場シェア分析
6.6. エレクトロニクス
6.6.1.主要市場動向、成長要因、機会
6.6.2. 地域別市場規模と予測
6.6.3. 国別市場シェア分析
6.7. 自動車
6.7.1. 主要市場動向、成長要因、機会
6.7.2. 地域別市場規模と予測
6.7.3. 国別市場シェア分析
6.8. ヘルスケア
6.8.1. 主要市場動向、成長要因、機会
6.8.2. 地域別市場規模と予測
6.8.3. 国別市場シェア分析
第7章:世界のパワー半導体市場(地域別)
7.1. 概要
7.1.1. 地域別市場規模と予測
7.2. 北米
7.2.1. 主要動向と機会
7.2.2. 材料別市場規模と予測
7.2.3. 製品別市場規模と予測
7.2.4.市場規模と予測(業種別)
7.2.5. 市場規模と予測(国別)
7.2.5.1. 米国
7.2.5.1.1. 主要市場動向、成長要因、機会
7.2.5.1.2. 市場規模と予測(材質別)
7.2.5.1.3. 市場規模と予測(製品別)
7.2.5.1.4. 市場規模と予測(業種別)
7.2.5.2. カナダ
7.2.5.2.1. 主要市場動向、成長要因、機会
7.2.5.2.2. 市場規模と予測(材質別)
7.2.5.2.3. 市場規模と予測(製品別)
7.2.5.2.4. 市場規模と予測(業種別)
7.2.5.3. メキシコ
7.2.5.3.1.主要市場動向、成長要因、機会
7.2.5.3.2. 市場規模と予測(材質別)
7.2.5.3.3. 市場規模と予測(製品別)
7.2.5.3.4. 市場規模と予測(業種別)
7.3. ヨーロッパ
7.3.1. 主要動向と機会
7.3.2. 市場規模と予測(材質別)
7.3.3. 市場規模と予測(製品別)
7.3.4. 市場規模と予測(業種別)
7.3.5. 市場規模と予測(国別)
7.3.5.1. 英国
7.3.5.1.1. 主要市場動向、成長要因、機会
7.3.5.1.2. 市場規模と予測(材質別)
7.3.5.1.3. 市場規模と予測(製品別)
7.3.5.1.4. 市場規模と予測(業種別)
7.3.5.2.ドイツ
7.3.5.2.1. 主要市場動向、成長要因、機会
7.3.5.2.2. 市場規模と予測(材質別)
7.3.5.2.3. 市場規模と予測(製品別)
7.3.5.2.4. 市場規模と予測(業種別)
7.3.5.3. フランス
7.3.5.3.1. 主要市場動向、成長要因、機会
7.3.5.3.2. 市場規模と予測(材質別)
7.3.5.3.3. 市場規模と予測(製品別)
7.3.5.3.4. 市場規模と予測(業種別)
7.3.5.4. その他のヨーロッパ諸国
7.3.5.4.1. 主要市場動向、成長要因、機会
7.3.5.4.2. 市場規模と予測(材質別)
7.3.5.4.3.市場規模と予測(製品別)
7.3.5.4.4. 市場規模と予測(業種別)
7.4. アジア太平洋地域
7.4.1. 主要トレンドと機会
7.4.2. 市場規模と予測(材質別)
7.4.3. 市場規模と予測(製品別)
7.4.4. 市場規模と予測(業種別)
7.4.5. 市場規模と予測(国別)
7.4.5.1. 中国
7.4.5.1.1. 主要市場トレンド、成長要因、機会
7.4.5.1.2. 市場規模と予測(材質別)
7.4.5.1.3. 市場規模と予測(製品別)
7.4.5.1.4. 市場規模と予測(業種別)
7.4.5.2. 日本
7.4.5.2.1. 主要市場トレンド、成長要因、機会
7.4.5.2.2.市場規模と予測(材質別)
7.4.5.2.3. 市場規模と予測(製品別)
7.4.5.2.4. 市場規模と予測(業種別)
7.4.5.3. インド
7.4.5.3.1. 主要市場動向、成長要因、機会
7.4.5.3.2. 市場規模と予測(材質別)
7.4.5.3.3. 市場規模と予測(製品別)
7.4.5.3.4. 市場規模と予測(業種別)
7.4.5.4. 韓国
7.4.5.4.1. 主要市場動向、成長要因、機会
7.4.5.4.2. 市場規模と予測(材質別)
7.4.5.4.3. 市場規模と予測(製品別)
7.4.5.4.4. 市場規模と予測(業種別)
7.4.5.5.アジア太平洋地域のその他地域
7.4.5.5.1. 主要市場動向、成長要因、機会
7.4.5.5.2. 市場規模と予測(材質別)
7.4.5.5.3. 市場規模と予測(製品別)
7.4.5.5.4. 市場規模と予測(業種別)
7.5. LAMEA(中南米)
7.5.1. 主要動向と機会
7.5.2. 市場規模と予測(材質別)
7.5.3. 市場規模と予測(製品別)
7.5.4. 市場規模と予測(業種別)
7.5.5. 市場規模と予測(国別)
7.5.5.1. ラテンアメリカ
7.5.5.1.1. 主要市場動向、成長要因、機会
7.5.5.1.2. 市場規模と予測(材質別)
7.5.5.1.3.市場規模と予測(製品別)
7.5.5.1.4. 市場規模と予測(業種別)
7.5.5.2. 中東
7.5.5.2.1. 主要市場動向、成長要因、機会
7.5.5.2.2. 市場規模と予測(材質別)
7.5.5.2.3. 市場規模と予測(製品別)
7.5.5.2.4. 市場規模と予測(業種別)
7.5.5.3. アフリカ
7.5.5.3.1. 主要市場動向、成長要因、機会
7.5.5.3.2. 市場規模と予測(材質別)
7.5.5.3.3. 市場規模と予測(製品別)
7.5.5.3.4. 市場規模と予測(業種別)
第8章:競争環境
8.1. はじめに
8.2. 成功戦略
8.3.上位10社の製品マッピング
8.4. 競合ダッシュボード
8.5. 競合ヒートマップ
8.6. 2022年のトッププレーヤーのポジショニング
第9章:企業プ​​ロフィール
9.1. Infineon Technologies AG
9.1.1. 会社概要
9.1.2. 主要役員
9.1.3. 会社概要
9.1.4. 事業セグメント
9.1.5. 製品ポートフォリオ
9.1.6. 業績
9.1.7. 主要な戦略的動きと展開
9.2. Texas Instruments Inc.
9.2.1. 会社概要
9.2.2. 主要役員
9.2.3. 会社概要
9.2.4. 事業セグメント
9.2.5. 製品ポートフォリオ
9.2.6. 業績
9.2.7. 主要な戦略的動きと展開
9.3. STマイクロエレクトロニクスN.V.
9.3.1. 会社概要
9.3.2. 主要役員
9.3.3. 会社概要
9.3.4. 事業セグメント
9.3.5. 製品ポートフォリオ
9.3.6. 業績
9.3.7. 主要な戦略的動きと展開
9.4. NXPセミコンダクターズN.V.
9.4.1. 会社概要
9.4.2. 主要役員
9.4.3. 会社概要
9.4.4. 事業セグメント
9.4.5. 製品ポートフォリオ
9.4.6. 業績
9.4.7. 主要な戦略的動きと展開
9.5. オン・セミコンダクター・コーポレーション
9.5.1. 会社概要
9.5.2. 主要役員
9.5.3. 会社概要
9.5.4. 事業セグメント
9.5.5.製品ポートフォリオ
9.5.6. 業績
9.5.7. 主要な戦略的動きと展開
9.6. 三菱電機株式会社
9.6.1. 会社概要
9.6.2. 主要役員
9.6.3. 会社概要
9.6.4. 事業セグメント
9.6.5. 製品ポートフォリオ
9.6.6. 業績
9.6.7. 主要な戦略的動きと展開
9.7. ルネサス エレクトロニクス
9.7.1. 会社概要
9.7.2. 主要役員
9.7.3. 会社概要
9.7.4. 事業セグメント
9.7.5. 製品ポートフォリオ
9.7.6. 業績
9.7.7. 主要な戦略的動きと展開
9.8. 株式会社東芝
9.8.1. 会社概要
9.8.2. 主要役員
9.8.3.会社概要
9.8.4. 事業セグメント
9.8.5. 製品ポートフォリオ
9.8.6. 業績
9.8.7. 主要な戦略的動きと展開
9.9. 富士電機株式会社
9.9.1. 会社概要
9.9.2. 主要役員
9.9.3. 会社概要
9.9.4. 事業セグメント
9.9.5. 製品ポートフォリオ
9.9.6. 業績
9.9.7. 主要な戦略的動きと展開
9.10. 株式会社日立製作所
9.10.1. 会社概要
9.10.2. 主要役員
9.10.3. 会社概要
9.10.4. 事業セグメント
9.10.5. 製品ポートフォリオ
9.10.6. 業績
9.10.7. 主要な戦略的動きと展開

CHAPTER 1: INTRODUCTION
1.1. Report description
1.2. Key market segments
1.3. Key benefits to the stakeholders
1.4. Research Methodology
1.4.1. Primary research
1.4.2. Secondary research
1.4.3. Analyst tools and models
CHAPTER 2: EXECUTIVE SUMMARY
2.1. CXO Perspective
CHAPTER 3: MARKET OVERVIEW
3.1. Market definition and scope
3.2. Key findings
3.2.1. Top impacting factors
3.2.2. Top investment pockets
3.3. Porter’s five forces analysis
3.3.1. Moderate bargaining power of suppliers
3.3.2. High threat of new entrants
3.3.3. Moderate threat of substitutes
3.3.4. Moderate intensity of rivalry
3.3.5. High bargaining power of buyers
3.4. Market dynamics
3.4.1. Drivers
3.4.1.1. Increase in use of solar photovoltaic panels to generate electricity
3.4.1.2. Surge in demand for power electronics modules across various industry verticals

3.4.2. Restraints
3.4.2.1. Intricacy in production network and planning cycle of SiC semiconductor innovation

3.4.3. Opportunities
3.4.3.1. HVDC and smart grid initiatives by the government

3.5. COVID-19 Impact Analysis on the market
CHAPTER 4: GLOBAL POWER SEMICONDUCTOR MARKET, BY MATERIAL
4.1. Overview
4.1.1. Market size and forecast
4.2. SiC
4.2.1. Key market trends, growth factors and opportunities
4.2.2. Market size and forecast, by region
4.2.3. Market share analysis by country
4.3. GaN
4.3.1. Key market trends, growth factors and opportunities
4.3.2. Market size and forecast, by region
4.3.3. Market share analysis by country
4.4. Others
4.4.1. Key market trends, growth factors and opportunities
4.4.2. Market size and forecast, by region
4.4.3. Market share analysis by country
CHAPTER 5: GLOBAL POWER SEMICONDUCTOR MARKET, BY PRODUCT
5.1. Overview
5.1.1. Market size and forecast
5.2. Power MOSFET
5.2.1. Key market trends, growth factors and opportunities
5.2.2. Market size and forecast, by region
5.2.3. Market share analysis by country
5.3. IGBT
5.3.1. Key market trends, growth factors and opportunities
5.3.2. Market size and forecast, by region
5.3.3. Market share analysis by country
5.4. Thyristor
5.4.1. Key market trends, growth factors and opportunities
5.4.2. Market size and forecast, by region
5.4.3. Market share analysis by country
5.5. Power Diode
5.5.1. Key market trends, growth factors and opportunities
5.5.2. Market size and forecast, by region
5.5.3. Market share analysis by country
5.6. Others
5.6.1. Key market trends, growth factors and opportunities
5.6.2. Market size and forecast, by region
5.6.3. Market share analysis by country
CHAPTER 6: GLOBAL POWER SEMICONDUCTOR MARKET, BY INDUSTRY VERTICAL
6.1. Overview
6.1.1. Market size and forecast
6.2. IT and Telecom
6.2.1. Key market trends, growth factors and opportunities
6.2.2. Market size and forecast, by region
6.2.3. Market share analysis by country
6.3. Aerospace and Defense
6.3.1. Key market trends, growth factors and opportunities
6.3.2. Market size and forecast, by region
6.3.3. Market share analysis by country
6.4. Industrial
6.4.1. Key market trends, growth factors and opportunities
6.4.2. Market size and forecast, by region
6.4.3. Market share analysis by country
6.5. Energy and Power
6.5.1. Key market trends, growth factors and opportunities
6.5.2. Market size and forecast, by region
6.5.3. Market share analysis by country
6.6. Electronics
6.6.1. Key market trends, growth factors and opportunities
6.6.2. Market size and forecast, by region
6.6.3. Market share analysis by country
6.7. Automotive
6.7.1. Key market trends, growth factors and opportunities
6.7.2. Market size and forecast, by region
6.7.3. Market share analysis by country
6.8. Healthcare
6.8.1. Key market trends, growth factors and opportunities
6.8.2. Market size and forecast, by region
6.8.3. Market share analysis by country
CHAPTER 7: GLOBAL POWER SEMICONDUCTOR MARKET, BY REGION
7.1. Overview
7.1.1. Market size and forecast By Region
7.2. North America
7.2.1. Key trends and opportunities
7.2.2. Market size and forecast, by Material
7.2.3. Market size and forecast, by Product
7.2.4. Market size and forecast, by Industry Vertical
7.2.5. Market size and forecast, by country
7.2.5.1. U.S.
7.2.5.1.1. Key market trends, growth factors and opportunities
7.2.5.1.2. Market size and forecast, by Material
7.2.5.1.3. Market size and forecast, by Product
7.2.5.1.4. Market size and forecast, by Industry Vertical
7.2.5.2. Canada
7.2.5.2.1. Key market trends, growth factors and opportunities
7.2.5.2.2. Market size and forecast, by Material
7.2.5.2.3. Market size and forecast, by Product
7.2.5.2.4. Market size and forecast, by Industry Vertical
7.2.5.3. Mexico
7.2.5.3.1. Key market trends, growth factors and opportunities
7.2.5.3.2. Market size and forecast, by Material
7.2.5.3.3. Market size and forecast, by Product
7.2.5.3.4. Market size and forecast, by Industry Vertical
7.3. Europe
7.3.1. Key trends and opportunities
7.3.2. Market size and forecast, by Material
7.3.3. Market size and forecast, by Product
7.3.4. Market size and forecast, by Industry Vertical
7.3.5. Market size and forecast, by country
7.3.5.1. UK
7.3.5.1.1. Key market trends, growth factors and opportunities
7.3.5.1.2. Market size and forecast, by Material
7.3.5.1.3. Market size and forecast, by Product
7.3.5.1.4. Market size and forecast, by Industry Vertical
7.3.5.2. Germany
7.3.5.2.1. Key market trends, growth factors and opportunities
7.3.5.2.2. Market size and forecast, by Material
7.3.5.2.3. Market size and forecast, by Product
7.3.5.2.4. Market size and forecast, by Industry Vertical
7.3.5.3. France
7.3.5.3.1. Key market trends, growth factors and opportunities
7.3.5.3.2. Market size and forecast, by Material
7.3.5.3.3. Market size and forecast, by Product
7.3.5.3.4. Market size and forecast, by Industry Vertical
7.3.5.4. Rest of Europe
7.3.5.4.1. Key market trends, growth factors and opportunities
7.3.5.4.2. Market size and forecast, by Material
7.3.5.4.3. Market size and forecast, by Product
7.3.5.4.4. Market size and forecast, by Industry Vertical
7.4. Asia-Pacific
7.4.1. Key trends and opportunities
7.4.2. Market size and forecast, by Material
7.4.3. Market size and forecast, by Product
7.4.4. Market size and forecast, by Industry Vertical
7.4.5. Market size and forecast, by country
7.4.5.1. China
7.4.5.1.1. Key market trends, growth factors and opportunities
7.4.5.1.2. Market size and forecast, by Material
7.4.5.1.3. Market size and forecast, by Product
7.4.5.1.4. Market size and forecast, by Industry Vertical
7.4.5.2. Japan
7.4.5.2.1. Key market trends, growth factors and opportunities
7.4.5.2.2. Market size and forecast, by Material
7.4.5.2.3. Market size and forecast, by Product
7.4.5.2.4. Market size and forecast, by Industry Vertical
7.4.5.3. India
7.4.5.3.1. Key market trends, growth factors and opportunities
7.4.5.3.2. Market size and forecast, by Material
7.4.5.3.3. Market size and forecast, by Product
7.4.5.3.4. Market size and forecast, by Industry Vertical
7.4.5.4. South Korea
7.4.5.4.1. Key market trends, growth factors and opportunities
7.4.5.4.2. Market size and forecast, by Material
7.4.5.4.3. Market size and forecast, by Product
7.4.5.4.4. Market size and forecast, by Industry Vertical
7.4.5.5. Rest of Asia-Pacific
7.4.5.5.1. Key market trends, growth factors and opportunities
7.4.5.5.2. Market size and forecast, by Material
7.4.5.5.3. Market size and forecast, by Product
7.4.5.5.4. Market size and forecast, by Industry Vertical
7.5. LAMEA
7.5.1. Key trends and opportunities
7.5.2. Market size and forecast, by Material
7.5.3. Market size and forecast, by Product
7.5.4. Market size and forecast, by Industry Vertical
7.5.5. Market size and forecast, by country
7.5.5.1. Latin America
7.5.5.1.1. Key market trends, growth factors and opportunities
7.5.5.1.2. Market size and forecast, by Material
7.5.5.1.3. Market size and forecast, by Product
7.5.5.1.4. Market size and forecast, by Industry Vertical
7.5.5.2. Middle East
7.5.5.2.1. Key market trends, growth factors and opportunities
7.5.5.2.2. Market size and forecast, by Material
7.5.5.2.3. Market size and forecast, by Product
7.5.5.2.4. Market size and forecast, by Industry Vertical
7.5.5.3. Africa
7.5.5.3.1. Key market trends, growth factors and opportunities
7.5.5.3.2. Market size and forecast, by Material
7.5.5.3.3. Market size and forecast, by Product
7.5.5.3.4. Market size and forecast, by Industry Vertical
CHAPTER 8: COMPETITIVE LANDSCAPE
8.1. Introduction
8.2. Top winning strategies
8.3. Product Mapping of Top 10 Player
8.4. Competitive Dashboard
8.5. Competitive Heatmap
8.6. Top player positioning, 2022
CHAPTER 9: COMPANY PROFILES
9.1. Infineon Technologies AG
9.1.1. Company overview
9.1.2. Key Executives
9.1.3. Company snapshot
9.1.4. Operating business segments
9.1.5. Product portfolio
9.1.6. Business performance
9.1.7. Key strategic moves and developments
9.2. Texas Instruments Inc.
9.2.1. Company overview
9.2.2. Key Executives
9.2.3. Company snapshot
9.2.4. Operating business segments
9.2.5. Product portfolio
9.2.6. Business performance
9.2.7. Key strategic moves and developments
9.3. STMicroelectronics N.V.
9.3.1. Company overview
9.3.2. Key Executives
9.3.3. Company snapshot
9.3.4. Operating business segments
9.3.5. Product portfolio
9.3.6. Business performance
9.3.7. Key strategic moves and developments
9.4. NXP Semiconductors N.V.
9.4.1. Company overview
9.4.2. Key Executives
9.4.3. Company snapshot
9.4.4. Operating business segments
9.4.5. Product portfolio
9.4.6. Business performance
9.4.7. Key strategic moves and developments
9.5. ON Semiconductor Corporation
9.5.1. Company overview
9.5.2. Key Executives
9.5.3. Company snapshot
9.5.4. Operating business segments
9.5.5. Product portfolio
9.5.6. Business performance
9.5.7. Key strategic moves and developments
9.6. Mitsubishi Electric Corporation.
9.6.1. Company overview
9.6.2. Key Executives
9.6.3. Company snapshot
9.6.4. Operating business segments
9.6.5. Product portfolio
9.6.6. Business performance
9.6.7. Key strategic moves and developments
9.7. Renesas Electronics
9.7.1. Company overview
9.7.2. Key Executives
9.7.3. Company snapshot
9.7.4. Operating business segments
9.7.5. Product portfolio
9.7.6. Business performance
9.7.7. Key strategic moves and developments
9.8. Toshiba Corporation
9.8.1. Company overview
9.8.2. Key Executives
9.8.3. Company snapshot
9.8.4. Operating business segments
9.8.5. Product portfolio
9.8.6. Business performance
9.8.7. Key strategic moves and developments
9.9. Fuji Electric Co., Ltd.
9.9.1. Company overview
9.9.2. Key Executives
9.9.3. Company snapshot
9.9.4. Operating business segments
9.9.5. Product portfolio
9.9.6. Business performance
9.9.7. Key strategic moves and developments
9.10. Hitachi, Ltd.
9.10.1. Company overview
9.10.2. Key Executives
9.10.3. Company snapshot
9.10.4. Operating business segments
9.10.5. Product portfolio
9.10.6. Business performance
9.10.7. Key strategic moves and developments
※参考情報

パワー半導体は、電力の制御や変換を目的とした半導体デバイスの一種であり、電気エネルギーの流れを制御する役割を果たします。これらのデバイスは、電源供給、モーター制御、電力変換など、さまざまなアプリケーションで重要な役割を担っています。
パワー半導体の特徴は、高電圧や高電流の条件下でも動作できる点です。このような性質を持つため、通常の信号用半導体よりも耐圧や耐熱性が求められます。また、信号用半導体が主に情報処理や通信に使用されるのに対し、パワー半導体はエネルギーの効率的な変換と制御に特化しています。

パワー半導体の種類にはいくつかの主要なデバイスがあります。まず、バイポーラ接合トランジスタ(BJT)があります。BJTは、高い電流を制御できる特性があり、主にスイッチング回路やアナログ回路で使用されます。しかし、スイッチング速度が遅いため、高周波数の用途にはあまり適していません。

次に、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)があります。MOSFETは、非常に高いスイッチング速度を持ち、低いドライブ電力で動作するため、主にスイッチング電源やモーター制御に広く利用されています。特に、パワーMOSFETは高電圧や高電流のアプリケーションにおいて非常に重要です。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)は、BJTとMOSFETの特性を組み合わせたデバイスです。IGBTは高電圧、高電流で動作することができ、スイッチング速度もMOSFETに近いため、主に電力制御システム、インバータ、アクチュエータなどで使用されます。

サイリスタも重要なパワー半導体の一種です。サイリスタは、トリガー信号によって導通状態に切り替わり、非常に大きな電流を扱うことができます。主に交流電源の制御や電力因数改善装置で使用されます。しかし、サイリスタは一度オンになるとオフにするためには特別な手法が必要なため、用途に応じた理解と設計が必要です。

パワー半導体は、さまざまな用途で利用されています。まず、電源装置においては、AC/DCコンバータやDC/DCコンバータなどがあり、これによって異なる電圧や電流の供給が可能です。特に、スイッチング電源は高効率で軽量なため、広く普及しています。また、太陽光発電システムや風力発電システムのインバータにおいてもパワー半導体が多く使用されています。

さらに、電動車両やハイブリッド車では、モーター制御に欠かせない存在です。パワー半導体は、モーターの出力や回転速度を制御することで、エネルギー効率を向上させ、より少ないエネルギーで高い性能を実現します。

近年、パワー半導体はSiC(シリコンカーバイド)やGaN(ギャリウムナイトライド)などの新しい材料に注目が集まっています。これらの材料は、従来のシリコンに比べて高い耐圧性、高温動作、効率性を持ち、次世代のパワー半導体デバイスとして期待されています。これにより、電力損失を低減し、よりコンパクトで軽量な機器の実現が可能になります。

また、パワー半導体の発展は、さまざまな関連技術とも深く結びついています。たとえば、パワーエレクトロニクス、制御アルゴリズム、冷却技術などは、パワー半導体の性能を最大限に引き出すために重要です。特に、冷却技術は、高出力で動作するパワー半導体デバイスの温度管理において重要な役割を果たします。

このように、パワー半導体は現代のエネルギー管理や効率化に欠かせない技術であり、今後もより高性能・高効率なデバイスの開発が期待されます。


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★リサーチレポート[ パワー半導体のグローバル市場(2023-2032):SiC、GaN、その他(Global Power Semiconductor Market By Material (SiC, GaN, Others), By Product (Power MOSFET, IGBT, Thyristor, Power Diode, Others), By Industry Vertical (IT and Telecom, Aerospace and Defense, Industrial, Energy and Power, Electronics, Automotive, Healthcare): Global Opportunity Analysis and Industry Forecast, 2023-2032)]についてメールでお問い合わせはこちらでお願いします。
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