1 エグゼクティブサマリー
1.1 市場規模 2024-2025年
1.2 市場成長 2025年(予測)-2034年(予測)
1.3 主要な需要ドライバー
1.4 主要プレイヤーと競争構造
1.5 業界のベストプラクティス
1.6 最近の動向と発展
1.7 業界見通し
2 市場概要とステークホルダーの洞察
2.1 市場動向
2.2 主要垂直市場
2.3 主要地域
2.4 供給者パワー
2.5 購買者パワー
2.6 主要市場機会とリスク
2.7 ステークホルダーによる主要イニシアチブ
3 経済概要
3.1 GDP見通し
3.2 一人当たりGDP成長率
3.3 インフレ動向
3.4 民主主義指数
3.5 総公的債務比率
3.6 国際収支（BoP）ポジション
3.7 人口見通し
3.8 都市化動向
4 国別リスクプロファイル
4.1 国別リスク
4.2 ビジネス環境
5 グローバル窒化ガリウム半導体デバイス市場分析
5.1 主要産業ハイライト
5.2 グローバル窒化ガリウム半導体デバイス 過去市場（2018-2024）
5.3 グローバル窒化ガリウム半導体デバイス市場予測（2025-2034）
5.4 グローバル窒化ガリウム半導体デバイス市場：タイプ別
5.4.1 GaN高周波デバイス
5.4.1.1 過去動向（2018-2024）
5.4.1.2 予測動向（2025-2034）
5.4.2 光半導体
5.4.2.1 過去動向（2018-2024）
5.4.2.2 予測動向（2025-2034）
5.4.3 パワー半導体
5.4.3.1 過去動向（2018-2024）
5.4.3.2 予測動向（2025-2034）
5.5 グローバル窒化ガリウム半導体デバイス市場（デバイス別）
5.5.1 トランジスタ
5.5.1.1 過去動向（2018-2024年）
5.5.1.2 予測動向（2025-2034年）
5.5.2 ダイオード
5.5.2.1 過去動向（2018-2024年）
5.5.2.2 予測動向（2025-2034年）
5.5.3 整流器
5.5.3.1 過去動向（2018-2024）
5.5.3.2 予測動向（2025-2034）
5.5.4 パワーIC
5.5.4.1 過去動向（2018-2024）
5.5.4.2 予測動向 (2025-2034)
5.5.5 その他
5.6 ウェーハサイズ別グローバル窒化ガリウム半導体デバイス市場
5.6.1 2インチ
5.6.1.1 過去動向 (2018-2024)
5.6.1.2 予測動向 (2025-2034)
5.6.2 4インチ
5.6.2.1 過去動向 (2018-2024)
5.6.2.2 予測動向 (2025-2034)
5.6.3 6インチ以上
5.6.3.1 過去動向 (2018-2024)
5.6.3.2 予測動向（2025-2034年）
5.7 用途別グローバル窒化ガリウム半導体デバイス市場
5.7.1 自動車
5.7.1.1 過去動向（2018-2024年）
5.7.1.2 予測動向（2025-2034年）
5.7.2 民生用電子機器
5.7.2.1 過去動向（2018-2024年）
5.7.2.2 予測動向（2025-2034年）
5.7.3 防衛・航空宇宙
5.7.3.1 過去動向（2018-2024年）
5.7.3.2 予測動向（2025-2034年）
5.7.4 医療
5.7.4.1 過去動向（2018-2024）
5.7.4.2 予測動向（2025-2034）
5.7.5 産業・電力
5.7.5.1 過去動向（2018-2024）
5.7.5.2 予測動向（2025-2034）
5.7.6 情報通信技術（ICT）
5.7.6.1 過去動向（2018-2024）
5.7.6.2 予測動向（2025-2034）
5.7.7 その他
5.8 地域別グローバル窒化ガリウム半導体デバイス市場
5.8.1 北米
5.8.1.1 過去動向（2018-2024年）
5.8.1.2 予測動向（2025-2034年）
5.8.2 欧州
5.8.2.1 過去動向（2018-2024年）
5.8.2.2 予測動向（2025-2034）
5.8.3 アジア太平洋地域
5.8.3.1 過去動向（2018-2024）
5.8.3.2 予測動向（2025-2034）
5.8.4 ラテンアメリカ
5.8.4.1 過去動向（2018-2024年）
5.8.4.2 予測動向（2025-2034年）
5.8.5 中東・アフリカ
5.8.5.1 過去動向（2018-2024年）
5.8.5.2 予測動向（2025-2034年）
6 北米窒化ガリウム半導体デバイス市場分析
6.1 アメリカ合衆国
6.1.1 過去動向（2018-2024）
6.1.2 予測動向（2025-2034）
6.2 カナダ
6.2.1 過去動向（2018-2024）
6.2.2 予測動向（2025-2034年）
7 欧州窒化ガリウム半導体デバイス市場分析
7.1 イギリス
7.1.1 過去動向（2018-2024年）
7.1.2 予測動向（2025-2034年）
7.2 ドイツ
7.2.1 過去動向（2018-2024年）
7.2.2 予測動向（2025-2034年）
7.3 フランス
7.3.1 過去動向（2018-2024年）
7.3.2 予測動向（2025-2034年）
7.4 イタリア
7.4.1 過去動向 (2018-2024)
7.4.2 予測動向 (2025-2034)
7.5 その他
8 アジア太平洋地域 窒化ガリウム半導体デバイス市場分析
8.1 中国
8.1.1 過去動向 (2018-2024)
8.1.2 予測動向 (2025-2034)
8.2 日本
8.2.1 過去動向 (2018-2024)
8.2.2 予測動向 (2025-2034)
8.3 インド
8.3.1 過去動向 (2018-2024)
8.3.2 予測動向 (2025-2034)
8.4 ASEAN
8.4.1 過去動向（2018-2024）
8.4.2 予測動向（2025-2034）
8.5 オーストラリア
8.5.1 過去動向（2018-2024）
8.5.2 予測動向（2025-2034）
8.6 その他
9 ラテンアメリカ窒化ガリウム半導体デバイス市場分析
9.1 ブラジル
9.1.1 過去動向（2018-2024）
9.1.2 予測動向（2025-2034）
9.2 アルゼンチン
9.2.1 過去動向（2018-2024）
9.2.2 予測動向（2025-2034）
9.3 メキシコ
9.3.1 過去動向（2018-2024）
9.3.2 予測動向（2025-2034）
9.4 その他
10 中東・アフリカ 窒化ガリウム半導体デバイス市場分析
10.1 サウジアラビア
10.1.1 過去動向（2018-2024年）
10.1.2 予測動向（2025-2034年）
10.2 アラブ首長国連邦
10.2.1 過去動向（2018-2024年）
10.2.2 予測動向（2025-2034年）
10.3 ナイジェリア
10.3.1 過去動向（2018-2024年）
10.3.2 予測動向（2025-2034年）
10.4 南アフリカ
10.4.1 過去動向（2018-2024年）
10.4.2 予測動向（2025-2034年）
10.5 その他
11 市場ダイナミクス
11.1 SWOT分析
11.1.1 強み
11.1.2 弱み
11.1.3 機会
11.1.4 脅威
11.2 ポーターの5つの力分析
11.2.1 供給者の交渉力
11.2.2 購入者の交渉力
11.2.3 新規参入の脅威
11.2.4 競争の激しさ
11.2.5 代替品の脅威
11.3 需要の主要指標
11.4 価格の主要指標
12 競争環境
12.1 サプライヤー選定
12.2 主要グローバルプレイヤー
12.3 主要地域プレイヤー
12.4 主要プレイヤーの戦略
12.5 企業プロファイル
12.5.1 Efficient Power Conversion Corporation (EPC)
12.5.1.1 会社概要
12.5.1.2 製品ポートフォリオ
12.5.1.3 顧客層と実績
12.5.1.4 認証
12.5.2 NXP Semiconductors N.V.
12.5.2.1 会社概要
12.5.2.2 製品ポートフォリオ
12.5.2.3 顧客層と実績
12.5.2.4 認証
12.5.3 Wolfspeed, Inc.
12.5.3.1 会社概要
12.5.3.2 製品ポートフォリオ
12.5.3.3 顧客層の広がりと実績
12.5.3.4 認証
12.5.4 Texas Instruments Incorporated
12.5.4.1 会社概要
12.5.4.2 製品ポートフォリオ
12.5.4.3 顧客層の広がりと実績
12.5.4.4 認証
12.5.5 富士通株式会社
12.5.5.1 会社概要
12.5.5.2 製品ポートフォリオ
12.5.5.3 顧客層と実績
12.5.5.4 認証
12.5.6 インフィニオン・テクノロジーズAG
12.5.6.1 会社概要
12.5.6.2 製品ポートフォリオ
12.5.6.3 顧客層の広がりと実績
12.5.6.4 認証
12.5.7 MACOMテクノロジーソリューションズ株式会社
12.5.7.1 会社概要
12.5.7.2 製品ポートフォリオ
12.5.7.3 顧客層の広がりと実績
12.5.7.4 認証
12.5.8 東芝株式会社
12.5.8.1 会社概要
12.5.8.2 製品ポートフォリオ
12.5.8.3 顧客層と実績
12.5.8.4 認証
12.5.9 パナソニックホールディングス株式会社
12.5.9.1 会社概要
12.5.9.2 製品ポートフォリオ
12.5.9.3 顧客層と実績
12.5.9.4 認証
12.5.10 GaN Systems Inc.
12.5.10.1 会社概要
12.5.10.2 製品ポートフォリオ
12.5.10.3 顧客層と実績
12.5.10.4 認証
12.5.11 その他

1 Executive Summary
1.1 Market Size 2024-2025
1.2 Market Growth 2025(F)-2034(F)
1.3 Key Demand Drivers
1.4 Key Players and Competitive Structure
1.5 Industry Best Practices
1.6 Recent Trends and Developments
1.7 Industry Outlook
2 Market Overview and Stakeholder Insights
2.1 Market Trends
2.2 Key Verticals
2.3 Key Regions
2.4 Supplier Power
2.5 Buyer Power
2.6 Key Market Opportunities and Risks
2.7 Key Initiatives by Stakeholders
3 Economic Summary
3.1 GDP Outlook
3.2 GDP Per Capita Growth
3.3 Inflation Trends
3.4 Democracy Index
3.5 Gross Public Debt Ratios
3.6 Balance of Payment (BoP) Position
3.7 Population Outlook
3.8 Urbanisation Trends
4 Country Risk Profiles
4.1 Country Risk
4.2 Business Climate
5 Global Gallium Nitride Semiconductor Devices Market Analysis
5.1 Key Industry Highlights
5.2 Global Gallium Nitride Semiconductor Devices Historical Market (2018-2024)
5.3 Global Gallium Nitride Semiconductor Devices Market Forecast (2025-2034)
5.4 Global Gallium Nitride Semiconductor Devices Market by Type
5.4.1 GaN Radio Frequency Devices
5.4.1.1 Historical Trend (2018-2024)
5.4.1.2 Forecast Trend (2025-2034)
5.4.2 Opto-semiconductors
5.4.2.1 Historical Trend (2018-2024)
5.4.2.2 Forecast Trend (2025-2034)
5.4.3 Power Semiconductors
5.4.3.1 Historical Trend (2018-2024)
5.4.3.2 Forecast Trend (2025-2034)
5.5 Global Gallium Nitride Semiconductor Devices Market by Devices
5.5.1 Transistor
5.5.1.1 Historical Trend (2018-2024)
5.5.1.2 Forecast Trend (2025-2034)
5.5.2 Diode
5.5.2.1 Historical Trend (2018-2024)
5.5.2.2 Forecast Trend (2025-2034)
5.5.3 Rectifier
5.5.3.1 Historical Trend (2018-2024)
5.5.3.2 Forecast Trend (2025-2034)
5.5.4 Power IC
5.5.4.1 Historical Trend (2018-2024)
5.5.4.2 Forecast Trend (2025-2034)
5.5.5 Others
5.6 Global Gallium Nitride Semiconductor Devices Market by Wafer Size
5.6.1 2-inch
5.6.1.1 Historical Trend (2018-2024)
5.6.1.2 Forecast Trend (2025-2034)
5.6.2 4-inch
5.6.2.1 Historical Trend (2018-2024)
5.6.2.2 Forecast Trend (2025-2034)
5.6.3 6-inch and Above
5.6.3.1 Historical Trend (2018-2024)
5.6.3.2 Forecast Trend (2025-2034)
5.7 Global Gallium Nitride Semiconductor Devices Market by End Use
5.7.1 Automotive
5.7.1.1 Historical Trend (2018-2024)
5.7.1.2 Forecast Trend (2025-2034)
5.7.2 Consumer Electronics
5.7.2.1 Historical Trend (2018-2024)
5.7.2.2 Forecast Trend (2025-2034)
5.7.3 Defence and Aerospace
5.7.3.1 Historical Trend (2018-2024)
5.7.3.2 Forecast Trend (2025-2034)
5.7.4 Healthcare
5.7.4.1 Historical Trend (2018-2024)
5.7.4.2 Forecast Trend (2025-2034)
5.7.5 Industrial and Power
5.7.5.1 Historical Trend (2018-2024)
5.7.5.2 Forecast Trend (2025-2034)
5.7.6 Information and Communication Technology
5.7.6.1 Historical Trend (2018-2024)
5.7.6.2 Forecast Trend (2025-2034)
5.7.7 Others
5.8 Global Gallium Nitride Semiconductor Devices Market by Region
5.8.1 North America
5.8.1.1 Historical Trend (2018-2024)
5.8.1.2 Forecast Trend (2025-2034)
5.8.2 Europe
5.8.2.1 Historical Trend (2018-2024)
5.8.2.2 Forecast Trend (2025-2034)
5.8.3 Asia Pacific
5.8.3.1 Historical Trend (2018-2024)
5.8.3.2 Forecast Trend (2025-2034)
5.8.4 Latin America
5.8.4.1 Historical Trend (2018-2024)
5.8.4.2 Forecast Trend (2025-2034)
5.8.5 Middle East and Africa
5.8.5.1 Historical Trend (2018-2024)
5.8.5.2 Forecast Trend (2025-2034)
6 North America Gallium Nitride Semiconductor Devices Market Analysis
6.1 United States of America
6.1.1 Historical Trend (2018-2024)
6.1.2 Forecast Trend (2025-2034)
6.2 Canada
6.2.1 Historical Trend (2018-2024)
6.2.2 Forecast Trend (2025-2034)
7 Europe Gallium Nitride Semiconductor Devices Market Analysis
7.1 United Kingdom
7.1.1 Historical Trend (2018-2024)
7.1.2 Forecast Trend (2025-2034)
7.2 Germany
7.2.1 Historical Trend (2018-2024)
7.2.2 Forecast Trend (2025-2034)
7.3 France
7.3.1 Historical Trend (2018-2024)
7.3.2 Forecast Trend (2025-2034)
7.4 Italy
7.4.1 Historical Trend (2018-2024)
7.4.2 Forecast Trend (2025-2034)
7.5 Others
8 Asia Pacific Gallium Nitride Semiconductor Devices Market Analysis
8.1 China
8.1.1 Historical Trend (2018-2024)
8.1.2 Forecast Trend (2025-2034)
8.2 Japan
8.2.1 Historical Trend (2018-2024)
8.2.2 Forecast Trend (2025-2034)
8.3 India
8.3.1 Historical Trend (2018-2024)
8.3.2 Forecast Trend (2025-2034)
8.4 ASEAN
8.4.1 Historical Trend (2018-2024)
8.4.2 Forecast Trend (2025-2034)
8.5 Australia
8.5.1 Historical Trend (2018-2024)
8.5.2 Forecast Trend (2025-2034)
8.6 Others
9 Latin America Gallium Nitride Semiconductor Devices Market Analysis
9.1 Brazil
9.1.1 Historical Trend (2018-2024)
9.1.2 Forecast Trend (2025-2034)
9.2 Argentina
9.2.1 Historical Trend (2018-2024)
9.2.2 Forecast Trend (2025-2034)
9.3 Mexico
9.3.1 Historical Trend (2018-2024)
9.3.2 Forecast Trend (2025-2034)
9.4 Others
10 Middle East and Africa Gallium Nitride Semiconductor Devices Market Analysis
10.1 Saudi Arabia
10.1.1 Historical Trend (2018-2024)
10.1.2 Forecast Trend (2025-2034)
10.2 United Arab Emirates
10.2.1 Historical Trend (2018-2024)
10.2.2 Forecast Trend (2025-2034)
10.3 Nigeria
10.3.1 Historical Trend (2018-2024)
10.3.2 Forecast Trend (2025-2034)
10.4 South Africa
10.4.1 Historical Trend (2018-2024)
10.4.2 Forecast Trend (2025-2034)
10.5 Others
11 Market Dynamics
11.1 SWOT Analysis
11.1.1 Strengths
11.1.2 Weaknesses
11.1.3 Opportunities
11.1.4 Threats
11.2 Porter’s Five Forces Analysis
11.2.1 Supplier’s Power
11.2.2 Buyer’s Power
11.2.3 Threat of New Entrants
11.2.4 Degree of Rivalry
11.2.5 Threat of Substitutes
11.3 Key Indicators for Demand
11.4 Key Indicators for Price
12 Competitive Landscape
12.1 Supplier Selection
12.2 Key Global Players
12.3 Key Regional Players
12.4 Key Player Strategies
12.5 Company Profiles
12.5.1 Efficient Power Conversion Corporation (EPC)
12.5.1.1 Company Overview
12.5.1.2 Product Portfolio
12.5.1.3 Demographic Reach and Achievements
12.5.1.4 Certifications
12.5.2 NXP Semiconductors N.V.
12.5.2.1 Company Overview
12.5.2.2 Product Portfolio
12.5.2.3 Demographic Reach and Achievements
12.5.2.4 Certifications
12.5.3 Wolfspeed, Inc.
12.5.3.1 Company Overview
12.5.3.2 Product Portfolio
12.5.3.3 Demographic Reach and Achievements
12.5.3.4 Certifications
12.5.4 Texas Instruments Incorporated
12.5.4.1 Company Overview
12.5.4.2 Product Portfolio
12.5.4.3 Demographic Reach and Achievements
12.5.4.4 Certifications
12.5.5 Fujitsu Limited
12.5.5.1 Company Overview
12.5.5.2 Product Portfolio
12.5.5.3 Demographic Reach and Achievements
12.5.5.4 Certifications
12.5.6 Infineon Technologies AG
12.5.6.1 Company Overview
12.5.6.2 Product Portfolio
12.5.6.3 Demographic Reach and Achievements
12.5.6.4 Certifications
12.5.7 MACOM Technology Solutions Inc.
12.5.7.1 Company Overview
12.5.7.2 Product Portfolio
12.5.7.3 Demographic Reach and Achievements
12.5.7.4 Certifications
12.5.8 Toshiba Corporation
12.5.8.1 Company Overview
12.5.8.2 Product Portfolio
12.5.8.3 Demographic Reach and Achievements
12.5.8.4 Certifications
12.5.9 Panasonic Holdings Corporation
12.5.9.1 Company Overview
12.5.9.2 Product Portfolio
12.5.9.3 Demographic Reach and Achievements
12.5.9.4 Certifications
12.5.10 GaN Systems Inc.
12.5.10.1 Company Overview
12.5.10.2 Product Portfolio
12.5.10.3 Demographic Reach and Achievements
12.5.10.4 Certifications
12.5.11 Others

※参考情報 GaN半導体デバイスは、窒化ガリウム（Gallium Nitride, GaN）を基盤とする電子デバイスです。GaNは、広帯域ギャップ半導体として知られ、特に高い電圧や高温環境での動作が可能であるため、次世代のパワーエレクトロニクスや高周波デバイスとして注目されています。GaN半導体デバイスは、従来のシリコン（Si）デバイスに比べて、より優れた性能を発揮することができることから、幅広い応用が期待されています。 GaNの最も大きなメリットは、その高い電子移動度です。これにより、高速なスイッチングが可能となり、高効率の電力変換が実現します。また、GaNはシリコンよりも高い耐圧を持ち、より小型化されたデバイスの設計が可能です。このため、GaN半導体デバイスは、特に電力変換器、RF（高周波）デバイス、LED（発光ダイオード）などの分野で活用されています。 GaN半導体デバイスの種類には、主にパワートランジスタ、パワーMOSFET、RFアンプ、LEDなどがあります。パワートランジスタは、高電力の制御や電力変換システムに使用され、大きなスイッチング能力と高効率を提供します。GaNベースのパワーMOSFETは、非常に高いスイッチング速度を持ち、効率的に電力を制御するために利用されます。また、RFアンプは、通信や無線システムにおいて、高周波信号の増幅に用いられます。 GaNのLEDは、青色光を発生させることで知られ、ホワイトLEDの基盤としても広く使用されています。GaN技術は、ディスプレイや照明技術に革命をもたらし、エネルギー効率の高い照明ソリューションを提供しています。これらのデバイスは、従来の光源と比較してはるかに低いエネルギーでより高い輝度を実現することができます。 GaN半導体デバイスの用途は多岐に渡ります。電力変換器としての利用は特に重要であり、再生可能エネルギーシステムや電動車両の充電器、データセンターの電源供給装置などで効果を発揮しています。高効率の電力変換によって、エネルギーコストの削減や環境負荷の軽減に寄与します。また、通信機器においては、5G技術の発展に伴い、GaNデバイスが高周波帯域のRF信号処理に必要不可欠な存在となっています。 GaN技術の進歩は、関連技術とも密接に関連しています。例えば、エピタキシャル成長技術や気相成長技術がGaNデバイスの生産に使用されており、これらの技術の向上により、更に高性能なデバイスが開発されています。また、熱管理技術も重要です。GaNデバイスは高い熱伝導率を持つものの、高出力デバイスでは過熱が問題となるため、効果的な放熱設計が必要です。このため、冷却技術の進歩がGaNデバイスの性能を制約する可能性があるため、慎重な設計が求められます。 今後の展望として、GaN半導体デバイスはさまざまな新しい市場での需要が見込まれています。特に電気自動車の普及や再生可能エネルギーシステムの拡大により、GaNデバイスの需要は増加するでしょう。また、さらなる研究開発が行われることで、より高性能でコスト効果の高いGaNデバイスが登場することが期待されています。これにより、効率的で持続可能なエネルギー利用が進展し、社会全体のエネルギー問題への貢献が期待されます。GaN半導体デバイスは、今後のテクノロジーの進展において重要な役割を果たす存在となるでしょう。

❖ 免責事項 ❖
http://www.globalresearch.jp/disclaimer