1 当調査分析レポートの紹介
・IGBTチップ市場の定義
・市場セグメント
タイプ別：超低圧400～500V、低圧600～1350V、中圧1400～2500V、高圧2500～6500V
用途別：ディスクリートIGBT、IGBTモジュール、IGBT-IPM
・世界のIGBTチップ市場概観
・本レポートの特徴とメリット
・調査方法と情報源
調査方法
調査プロセス
基準年
レポートの前提条件と注意点
2 IGBTチップの世界市場規模
・IGBTチップの世界市場規模：2023年VS2030年
・IGBTチップのグローバル売上高、展望、予測：2019年～2030年
・IGBTチップのグローバル売上高：2019年～2030年
3 企業の概況
・グローバル市場におけるIGBTチップ上位企業
・グローバル市場におけるIGBTチップの売上高上位企業ランキング
・グローバル市場におけるIGBTチップの企業別売上高ランキング
・世界の企業別IGBTチップの売上高
・世界のIGBTチップのメーカー別価格（2019年～2024年）
・グローバル市場におけるIGBTチップの売上高上位3社および上位5社、2023年
・グローバル主要メーカーのIGBTチップの製品タイプ
・グローバル市場におけるIGBTチップのティア1、ティア2、ティア3メーカー
グローバルIGBTチップのティア1企業リスト
グローバルIGBTチップのティア2、ティア3企業リスト
4 製品タイプ別分析
・概要
タイプ別 – IGBTチップの世界市場規模、2023年・2030年
超低圧400～500V、低圧600～1350V、中圧1400～2500V、高圧2500～6500V
・タイプ別 – IGBTチップのグローバル売上高と予測
タイプ別 – IGBTチップのグローバル売上高、2019年～2024年
タイプ別 – IGBTチップのグローバル売上高、2025年～2030年
タイプ別-IGBTチップの売上高シェア、2019年～2030年
・タイプ別 – IGBTチップの価格（メーカー販売価格）、2019年～2030年
5 用途別分析
・概要
用途別 – IGBTチップの世界市場規模、2023年・2030年
ディスクリートIGBT、IGBTモジュール、IGBT-IPM
・用途別 – IGBTチップのグローバル売上高と予測
用途別 – IGBTチップのグローバル売上高、2019年～2024年
用途別 – IGBTチップのグローバル売上高、2025年～2030年
用途別 – IGBTチップのグローバル売上高シェア、2019年～2030年
・用途別 – IGBTチップの価格（メーカー販売価格）、2019年～2030年
6 地域別分析
・地域別 – IGBTチップの市場規模、2023年・2030年
・地域別 – IGBTチップの売上高と予測
地域別 – IGBTチップの売上高、2019年～2024年
地域別 – IGBTチップの売上高、2025年～2030年
地域別 – IGBTチップの売上高シェア、2019年～2030年
・北米
北米のIGBTチップ売上高・販売量、2019年～2030年
米国のIGBTチップ市場規模、2019年～2030年
カナダのIGBTチップ市場規模、2019年～2030年
メキシコのIGBTチップ市場規模、2019年～2030年
・ヨーロッパ
ヨーロッパのIGBTチップ売上高・販売量、2019年〜2030年
ドイツのIGBTチップ市場規模、2019年～2030年
フランスのIGBTチップ市場規模、2019年～2030年
イギリスのIGBTチップ市場規模、2019年～2030年
イタリアのIGBTチップ市場規模、2019年～2030年
ロシアのIGBTチップ市場規模、2019年～2030年
・アジア
アジアのIGBTチップ売上高・販売量、2019年～2030年
中国のIGBTチップ市場規模、2019年～2030年
日本のIGBTチップ市場規模、2019年～2030年
韓国のIGBTチップ市場規模、2019年～2030年
東南アジアのIGBTチップ市場規模、2019年～2030年
インドのIGBTチップ市場規模、2019年～2030年
・南米
南米のIGBTチップ売上高・販売量、2019年～2030年
ブラジルのIGBTチップ市場規模、2019年～2030年
アルゼンチンのIGBTチップ市場規模、2019年～2030年
・中東・アフリカ
中東・アフリカのIGBTチップ売上高・販売量、2019年～2030年
トルコのIGBTチップ市場規模、2019年～2030年
イスラエルのIGBTチップ市場規模、2019年～2030年
サウジアラビアのIGBTチップ市場規模、2019年～2030年
UAEIGBTチップの市場規模、2019年～2030年
7 主要メーカーのプロフィール
※掲載企業：Infineon Technologies、Fuji Electric、Mitsubishi Electric Corporation、Hitachi ABB、Toshiba、Starpower Semiconductor、MacMic Science & Technology、CRRC、BYD、Littelfuse (IXYS)
・Company A
Company Aの会社概要
Company Aの事業概要
Company AのIGBTチップの主要製品
Company AのIGBTチップのグローバル販売量・売上
Company Aの主要ニュース＆最新動向
・Company B
Company Bの会社概要
Company Bの事業概要
Company BのIGBTチップの主要製品
Company BのIGBTチップのグローバル販売量・売上
Company Bの主要ニュース＆最新動向
…
…
8 世界のIGBTチップ生産能力分析
・世界のIGBTチップ生産能力
・グローバルにおける主要メーカーのIGBTチップ生産能力
・グローバルにおけるIGBTチップの地域別生産量
9 主な市場動向、機会、促進要因、抑制要因
・市場の機会と動向
・市場の促進要因
・市場の抑制要因
10 IGBTチップのサプライチェーン分析
・IGBTチップ産業のバリューチェーン
・IGBTチップの上流市場
・IGBTチップの下流市場と顧客リスト
・マーケティングチャネル分析
マーケティングチャネル
世界のIGBTチップの販売業者と販売代理店
11 まとめ
12 付録
・注記
・クライアントの例
・免責事項
・IGBTチップのタイプ別セグメント
・IGBTチップの用途別セグメント
・IGBTチップの世界市場概要、2023年
・主な注意点
・IGBTチップの世界市場規模：2023年VS2030年
・IGBTチップのグローバル売上高：2019年～2030年
・IGBTチップのグローバル販売量：2019年～2030年
・IGBTチップの売上高上位3社および5社の市場シェア、2023年
・タイプ別-IGBTチップのグローバル売上高
・タイプ別-IGBTチップのグローバル売上高シェア、2019年～2030年
・タイプ別-IGBTチップのグローバル売上高シェア、2019年～2030年
・タイプ別-IGBTチップのグローバル価格
・用途別-IGBTチップのグローバル売上高
・用途別-IGBTチップのグローバル売上高シェア、2019年～2030年
・用途別-IGBTチップのグローバル売上高シェア、2019年～2030年
・用途別-IGBTチップのグローバル価格
・地域別-IGBTチップのグローバル売上高、2023年・2030年
・地域別-IGBTチップのグローバル売上高シェア、2019年 VS 2023年 VS 2030年
・地域別-IGBTチップのグローバル売上高シェア、2019年～2030年
・国別-北米のIGBTチップ市場シェア、2019年～2030年
・米国のIGBTチップの売上高
・カナダのIGBTチップの売上高
・メキシコのIGBTチップの売上高
・国別-ヨーロッパのIGBTチップ市場シェア、2019年～2030年
・ドイツのIGBTチップの売上高
・フランスのIGBTチップの売上高
・英国のIGBTチップの売上高
・イタリアのIGBTチップの売上高
・ロシアのIGBTチップの売上高
・地域別-アジアのIGBTチップ市場シェア、2019年～2030年
・中国のIGBTチップの売上高
・日本のIGBTチップの売上高
・韓国のIGBTチップの売上高
・東南アジアのIGBTチップの売上高
・インドのIGBTチップの売上高
・国別-南米のIGBTチップ市場シェア、2019年～2030年
・ブラジルのIGBTチップの売上高
・アルゼンチンのIGBTチップの売上高
・国別-中東・アフリカIGBTチップ市場シェア、2019年～2030年
・トルコのIGBTチップの売上高
・イスラエルのIGBTチップの売上高
・サウジアラビアのIGBTチップの売上高
・UAEのIGBTチップの売上高
・世界のIGBTチップの生産能力
・地域別IGBTチップの生産割合（2023年対2030年）
・IGBTチップ産業のバリューチェーン
・マーケティングチャネル
| ※参考情報 IGBTチップ（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）は、パワーエレクトロニクス分野で広く使用される重要な半導体デバイスです。IGBTは、高効率で高い電力を扱う能力があり、様々な産業において欠かせない存在となっています。このデバイスは、主に電力変換や制御、スイッチングに利用されており、その特性は数多くの応用において優れたパフォーマンスを発揮します。 IGBTの基本的な定義は、絶縁ゲートを持つバイポーラトランジスタであるということです。これは、MOSFETとバイポーラトランジスタの特性を兼ね備えたデバイスで、ゲートにかかる電圧によりスイッチのオン・オフを制御することができます。IGBTは、大きな電流を流すことができ、スイッチがオンの状態で非常に低い導通抵抗を持つため、効率的な電力変換が可能です。 IGBTチップの特徴として、まず挙げられるのは高電圧耐性です。一般的に、IGBTは600Vから1,700V、さらには3,300V以上の高電圧で動作することができるため、大型のパワーエレクトロニクス装置やインバータシステムに適しています。また、IGBTはスイッチング速度が比較的速く、これにより高い周波数での運用も可能です。この速さは、スイッチング損失を最小限に抑える効果があり、高効率なエネルギー変換を実現します。 IGBTの種類には、いくつかの異なる構造や特性を持つものがあります。例えば、従来型のIGBTに加えて、省エネルギー型IGBTや高速IGBTが開発されており、用途に応じて最適なデバイスを選ぶことができます。省エネルギー型IGBTは、導通損失をさらに削減することを目的としており、特に持続的なエネルギー効率が重要なシステムに向いています。一方、高速IGBTは、スイッチング速度を向上させることを重視しており、高周波アプリケーションでの使用に適しています。 IGBTの用途は多岐に渡ります。まず、電力変換装置においてIGBTが広く使われています。これには、太陽光発電システムのインバータ、風力発電システム、電動車両の駆動装置などが含まれます。これらの分野では、IGBTの高効率なスイッチング特性が、そのシステム全体のエネルギー効率を向上させるために不可欠です。 また、IGBTは電力量の調整が必要な各種産業プロセスにも用いられています。具体的には、電気炉、溶接機、ヒーティング装置などの高出力機器で利用されており、特に負荷の変動に対して効果的に制御を行うために重要な役割を果たしています。さらに、IGBTは家電製品にも応用されており、例えばエアコンや冷蔵庫のインバータ制御回路にも使用されています。これは、エネルギー効率の向上とランニングコストの削減に寄与しています。 IGBT関連の技術としては、まずパワーエレクトロニクス技術が挙げられます。この技術は、電気エネルギーの変換、制御、供給を扱い、その中でIGBTが中心的な役割を果たしています。また、デジタル制御技術も重要です。現代のIGBTモジュールはマイコンやFPGAなどのデジタルコンポーネントと連携し、精密なスイッチング制御を行うことができ、結果的に全体のパフォーマンスが向上します。 近年では、IGBTの高性能化・小型化が進んでおり、各種の新しい材料や半導体技術が研究されています。特に、シリコンカーバイト（SiC）やガリウムナイトライド（GaN）などの次世代半導体材料が注目されており、これらはIGBTよりも高効率で高電圧耐性を持つ特性を兼ね備えています。これにより、IGBTもこれらの新材料と組み合わせることで、さらなる性能向上を図れる可能性があります。 最後に、今後のIGBT技術の発展において、持続可能なエネルギーの利用がますます重要視されています。IGBT技術は、再生可能エネルギーの効率的な利用や、電動化社会への貢献において、欠かせない要素となるでしょう。これらの発展を通じて、IGBTチップはますます進化し続け、新しい時代のパワーエレクトロニクスを牽引する存在となると期待されています。 |
❖ 免責事項 ❖
http://www.globalresearch.jp/disclaimer
