カテゴリー： Allied Market Research, IT/電子, 世界

ワイドバンドギャップ半導体の世界市場2023-2032：機会分析・産業予測

◆英語タイトル：Wide Bandgap Semiconductors Market By Material (Silicon Carbide (SiC), Gallium Nitride (GaN), Diamond, Others), By Industry Vertical (Consumer Electronics, Automotive, Aerospace and Defense, IT and Telecom, Energy and Utility, Others): Global Opportunity Analysis and Industry Forecast, 2023-2032

Allied Market Researchが発行した調査報告書（ALD24FEB214）◆商品コード：ALD24FEB214
◆発行会社（リサーチ会社）：Allied Market Research
◆発行日：2023年11月
   最新版(2025年又は2026年)はお問い合わせください。
◆ページ数：290
◆レポート形式：英語 / PDF
◆納品方法：Eメール（受注後24時間以内）
◆調査対象地域：グローバル
◆産業分野：半導体＆電子
◆販売価格オプション（消費税別）
Online Only（1名閲覧、印刷不可）USD3,570 ⇒換算￥535,500見積依頼/購入/質問フォーム
Single User（1名閲覧）USD5,730 ⇒換算￥859,500見積依頼/購入/質問フォーム
Enterprise User（閲覧人数無制限）USD9,600 ⇒換算￥1,440,000見積依頼/購入/質問フォーム
※販売価格オプションの説明はこちらで、ご利用ガイドはこちらでご確認いただけます。
※お支払金額は「換算金額（日本円）＋消費税＋配送料（Eメール納品は無料）」です。
※Eメールによる納品の場合、通常ご注文当日～2日以内に納品致します。
※レポート納品後、納品日＋5日以内に請求書を発行・送付致します。（請求書発行日より2ヶ月以内の銀行振込条件、カード払いに変更可）
※上記の日本語題名はH&Iグローバルリサーチが翻訳したものです。英語版原本には日本語表記はありません。
※為替レートは適宜修正・更新しております。リアルタイム更新ではありません。

❖ レポートの概要 ❖

ワイドバンドギャップ半導体市場は、2022年に16億ドルと評価され、2023年から2032年までの年平均成長率は13.17%で、2032年には54億ドルに達すると予測されています。ワイドバンドギャップ半導体として知られる一連の材料は、幅広いエネルギーバンドギャップ、すなわち伝導帯の電子の動きを収容できる最低エネルギーバンドと価電子帯の電子が生息する最高エネルギーバンドとの間のエネルギー差を有しています。これらの材料は、バンドギャップが狭いシリコンのような従来の半導体とは異なり、バンドギャップが広いです。

高性能でエネルギー効率の高い電子機器へのニーズが、ワイドバンドギャップ半導体産業における革命的な発展を促しています。技術革新の先陣を切っているのは炭化ケイ素（SiC）と窒化ガリウム（GaN）で、パワーエレクトロニクス、電気自動車、5Gインフラ、再生可能エネルギー・システムなどで利用されています。世界中で、ワイドバンドギャップ半導体は、産業界が持続可能性と効率性を重視するにつれて、ますます普及しています。現在のトレンドには、技術統合を促進するパートナーシップ、歩留まりを向上させる製造技術の改善、現代のエレクトロニクス分野を変革するこれらの半導体の全潜在能力を実現するための絶え間ない推進力が含まれます。

窒化ガリウム（GaN）と炭化ケイ素（SiC）は、一般的なワイドバンドギャップ半導体材料です。これらの材料は、バンドギャップが大きいため、より高い温度と電圧で機能することができ、高出力・高周波電子デバイスを必要とするアプリケーションに適しています。ワイドバンドギャップ半導体の用途には、パワーエレクトロニクス、高周波（RF）機器、LED照明、電気自動車、再生可能エネルギー源などがあります。ワイドバンドギャップ半導体の特別な特性は、いくつかの応用分野において、より優れた性能、より高いエネルギー効率、そして技術的成長を支えています。

ワイドバンドギャップ半導体市場は、材料、用途、電池タイプ、地域に区分されます。材料別では、炭化ケイ素（SiC）、窒化ガリウム（GaN）、ダイヤモンド、その他に分類されます。業種別では、家電、自動車、航空宇宙・防衛、IT・通信、エネルギー・ユーティリティ、その他に分類されます。地域別では、北米、欧州、アジア太平洋、LAMEAとその主要国を分析しています。

地域別では、北米（米国、カナダ、メキシコ）、欧州（英国、ドイツ、フランス、その他欧州）、アジア太平洋（中国、日本、インド、韓国、その他アジア太平洋）、LAMEA（中南米、中東、アフリカ）のワイドバンドギャップ半導体市場動向を分析しています。

本レポートで提供している世界の主要ワイドバンドギャップ半導体市場プレイヤーの競争分析およびプロファイルには、Infineon Technologies AG, Microsemi Corporation, STMicroelectronics, Maxell Ltd., ROHM Semiconductor, Texas Instruments Inc., Vishay Intertechnology Inc., Panasonic Corporation, Genesic semiconductor, Nexperia and Wolfspeed, Inc.などが含まれます。ワイドバンドギャップ半導体市場の主要企業が採用する主な戦略は、製品の発売です。

ステークホルダーにとっての主なメリット
本レポートは、2022年から2032年までのワイドバンドギャップ半導体市場分析の市場セグメント、現在の動向、予測、ダイナミクスを定量的に分析し、ワイドバンドギャップ半導体の市場機会を特定します。
主要な促進要因、阻害要因、機会に関する情報とともに市場調査を提供します。
ポーターのファイブフォース分析により、バイヤーとサプライヤーの潜在力を明らかにし、ステークホルダーが利益重視のビジネス決定を下し、サプライヤーとバイヤーのネットワークを強化できるようにします。
ワイドバンドギャップ半導体市場のセグメンテーションを詳細に分析することで、市場機会を見極めることができます。
ワイドバンドギャップ半導体市場のセグメンテーションを詳細に分析することで、市場機会を見極めることができます。
市場プレイヤーのポジショニングにより、ベンチマーキングを容易にし、市場プレイヤーの現在のポジションを明確に理解することができます。
ワイドバンドギャップ半導体の地域別および世界市場動向、主要企業、市場セグメント、応用分野、市場成長戦略などの分析を含みます。

本レポートのカスタマイズの可能性（別途費用とスケジュールが必要です。）
製品ベンチマーク／製品仕様と用途
新製品開発／主要メーカーの製品マトリックス
規制ガイドライン
輸出入分析／データ

主要市場セグメント
材料別
窒化ガリウム（GaN）
ダイヤモンド
その他
炭化ケイ素（SiC）

産業分野別
民生用電子機器
自動車
航空宇宙・防衛
IT・通信
エネルギー・ユーティリティ
その他

地域別
北米
米国
カナダ
メキシコ
アジア太平洋
中国
日本
インド
韓国
その他のアジア太平洋地域
ヨーロッパ
イギリス
ドイツ
フランス
その他のヨーロッパ
LAMEA
ラテンアメリカ
中東
アフリカ

主な市場プレイヤー
○ Infineon Technologies AG
○ STMicroelectronics
○ ROHM Semiconductor
○ Vishay Intertechnology Inc.
○ Nexperia
○ Genesic Semiconductor
○ Wolfspeed, Inc.
○ Microsemi Corporation.
○ Texas Instruments Inc.
○ Panasonic Corporation

第1章：イントロダクション
1.1. 報告書の記述
1.2. 主要市場セグメント
1.3. ステークホルダーにとっての主なメリット
1.4. 調査方法
1.4.1. 一次調査
1.4.2. 二次調査
1.4.3. アナリストのツールとモデル
第2章：エグゼクティブサマリー
2.1. CXOの視点
第3章：市場概要
3.1. 市場の定義と範囲
3.2. 主な調査結果
3.2.1. 主な影響要因
3.2.2. 投資ポケットの上位
3.3. ファイブフォース分析
3.3.1. サプライヤーの高い交渉力
3.3.2. 新規参入の脅威は中程度
3.3.3. 低〜中程度の代替品の脅威
3.3.4. ライバルの強さは中程度から高程度
3.3.5. 買い手の交渉力が中程度から高い
3.4. 市場動向
3.4.1. 推進要因
3.4.1.1. ワイドバンドギャップ材料の研究開発への投資拡大
3.4.1.2. ワイドバンドギャップ半導体の世界市場を牽引するEV需要の急増
3.4.2. 阻害要因
3.4.2.1. ワイドバンドギャップ半導体の高コスト
3.4.3. 機会
3.4.3.1. 電気自動車におけるワイドバンドギャップデバイスの需要拡大
第4章：ワイドバンドギャップ半導体市場：材料別
4.1. 概要
4.1.1. 市場規模と予測
4.2. 炭化ケイ素（SiC）
4.2.1. 主な市場動向・成長要因・機会
4.2.2. 市場規模・予測：地域別
4.2.3. 国別市場シェア分析
4.3. 窒化ガリウム（GaN）
4.3.1. 主な市場動向・成長要因・機会
4.3.2. 市場規模・予測：地域別
4.3.3. 国別市場シェア分析
4.4. ダイヤモンド
4.4.1. 主な市場動向・成長要因・機会
4.4.2. 市場規模・予測：地域別
4.4.3. 国別市場シェア分析
4.5. その他
4.5.1. 主な市場動向・成長要因・機会
4.5.2. 市場規模・予測：地域別
4.5.3. 国別市場シェア分析
第5章：ワイドバンドギャップ半導体市場：産業別
5.1. 概要
5.1.1. 市場規模と予測
5.2. コンシューマー・エレクトロニクス
5.2.1. 主な市場動向・成長要因・機会
5.2.2. 市場規模・予測：地域別
5.2.3. 国別市場シェア分析
5.3. 自動車
5.3.1. 主な市場動向・成長要因・機会
5.3.2. 市場規模・予測：地域別
5.3.3. 国別市場シェア分析
5.4. 航空宇宙・防衛
5.4.1. 主な市場動向・成長要因・機会
5.4.2. 市場規模・予測：地域別
5.4.3. 国別市場シェア分析
5.5. IT・通信
5.5.1. 主な市場動向・成長要因・機会
5.5.2. 市場規模・予測：地域別
5.5.3. 国別市場シェア分析
5.6. エネルギーとユーティリティ
5.6.1. 主な市場動向・成長要因・機会
5.6.2. 市場規模・予測：地域別
5.6.3. 国別市場シェア分析
5.7. その他
5.7.1. 主な市場動向・成長要因・機会
5.7.2. 市場規模・予測：地域別
5.7.3. 国別市場シェア分析
第6章：ワイドバンドギャップ半導体市場：地域別
6.1. 概要
6.1.1. 市場規模・予測 地域別
6.2. 北米
6.2.1. 主な市場動向・成長要因・機会
6.2.2. 市場規模・予測：素材別
6.2.3. 市場規模・予測：産業バーティカル別
6.2.4. 市場規模・予測：国別
6.2.4.1. 米国
6.2.4.1.1. 市場規模・予測：素材別
6.2.4.1.2. 市場規模・予測：産業別
6.2.4.2. カナダ
6.2.4.2.1. 市場規模・予測：素材別
6.2.4.2.2. 市場規模・予測：産業別
6.2.4.3. メキシコ
6.2.4.3.1. 市場規模・予測：素材別
6.2.4.3.2. 市場規模・予測：産業別
6.3. アジア太平洋
6.3.1. 主な市場動向・成長要因・機会
6.3.2. 市場規模・予測：素材別
6.3.3. 市場規模・予測：産業バーティカル別
6.3.4. 市場規模・予測：国別
6.3.4.1. 中国
6.3.4.1.1. 市場規模・予測：素材別
6.3.4.1.2. 市場規模・予測：産業バーティカル別
6.3.4.2. 日本
6.3.4.2.1. 市場規模・予測：素材別
6.3.4.2.2. 市場規模・予測：産業バーティカル別
6.3.4.3. インド
6.3.4.3.1. 市場規模・予測：素材別
6.3.4.3.2. 市場規模・予測：産業別
6.3.4.4. 韓国
6.3.4.4.1. 市場規模・予測：素材別
6.3.4.4.2. 市場規模・予測：産業バーティカル別
6.3.4.5. その他のアジア太平洋地域
6.3.4.5.1. 市場規模・予測：素材別
6.3.4.5.2. 市場規模・予測：産業別
6.4. 欧州
6.4.1. 主な市場動向・成長要因・機会
6.4.2. 市場規模・予測：素材別
6.4.3. 市場規模・予測：産業バーティカル別
6.4.4. 市場規模・予測：国別
6.4.4.1. 英国
6.4.4.1.1. 市場規模・予測：素材別
6.4.4.1.2. 市場規模・予測：産業別
6.4.4.2. ドイツ
6.4.4.2.1. 市場規模・予測：素材別
6.4.4.2.2. 市場規模・予測：産業別
6.4.4.3. フランス
6.4.4.3.1. 市場規模・予測：素材別
6.4.4.3.2. 市場規模・予測：産業バーティカル別
6.4.4.4. その他のヨーロッパ
6.4.4.4.1. 市場規模・予測：素材別
6.4.4.4.2. 市場規模・予測：産業別
6.5. 中南米
6.5.1. 主な市場動向・成長要因・機会
6.5.2. 市場規模・予測：素材別
6.5.3. 市場規模・予測：産業バーティカル別
6.5.4. 市場規模・予測：国別
6.5.4.1. ラテンアメリカ
6.5.4.1.1. 市場規模・予測：素材別
6.5.4.1.2. 市場規模・予測：産業別
6.5.4.2. 中東
6.5.4.2.1. 市場規模・予測：素材別
6.5.4.2.2. 市場規模・予測：産業別
6.5.4.3. アフリカ
6.5.4.3.1. 市場規模・予測：素材別
6.5.4.3.2. 市場規模・予測：産業別
第7章：競争状況
7.1. はじめに
7.2. 上位の勝利戦略
7.3. トップ10プレーヤーの製品マッピング
7.4. 競合ダッシュボード
7.5. 競合ヒートマップ
7.6. トッププレーヤーのポジショニング、2022年
第8章：企業情報

❖ レポートの目次 ❖

第1章：序論
1.1. レポートの概要
1.2. 主要市場セグメント
1.3. ステークホルダーにとっての主なメリット
1.4. 調査方法
1.4.1. 一次調査
1.4.2. 二次調査
1.4.3. アナリストツールとモデル
第2章：エグゼクティブサマリー
2.1. CXOの視点
第3章：市場概要
3.1. 市場の定義と範囲
3.2. 主な調査結果
3.2.1. 主要な影響要因
3.2.2. 主要な投資先
3.3. ポーターの5つの力分析
3.3.1. サプライヤーの高い交渉力
3.3.2. 新規参入の脅威が中程度
3.3.3. 代替品の脅威が低～中程度
3.3.4.中程度から高い競争の激しさ
3.3.5. 買い手の交渉力（中程度から高い）
3.4. 市場ダイナミクス
3.4.1. 推進要因
3.4.1.1. ワイドバンドギャップ材料の研究開発投資の増加
3.4.1.2. EV需要の急増が世界のワイドバンドギャップ半導体市場を牽引
3.4.2. 制約要因
3.4.2.1. ワイドバンドギャップ半導体の高コスト
3.4.3. 機会
3.4.3.1. 電気自動車におけるワイドバンドギャップデバイスの需要増加
第4章：ワイドバンドギャップ半導体市場（材料別）
4.1. 概要
4.1.1. 市場規模と予測
4.2. シリコンカーバイド（SiC）
4.2.1. 主要な市場動向、成長要因、機会
4.2.2.地域別市場規模と予測
4.2.3. 国別市場シェア分析
4.3. 窒化ガリウム（GaN）
4.3.1. 主要市場動向、成長要因、機会
4.3.2. 地域別市場規模と予測
4.3.3. 国別市場シェア分析
4.4. ダイヤモンド
4.4.1. 主要市場動向、成長要因、機会
4.4.2. 地域別市場規模と予測
4.4.3. 国別市場シェア分析
4.5. その他
4.5.1. 主要市場動向、成長要因、機会
4.5.2. 地域別市場規模と予測
4.5.3. 国別市場シェア分析
第5章：ワイドバンドギャップ半導体市場（業種別）
5.1. 概要
5.1.1. 市場規模と予測
5.2.民生用電子機器
5.2.1. 主要市場動向、成長要因、機会
5.2.2. 地域別市場規模と予測
5.2.3. 国別市場シェア分析
5.3. 自動車
5.3.1. 主要市場動向、成長要因、機会
5.3.2. 地域別市場規模と予測
5.3.3. 国別市場シェア分析
5.4. 航空宇宙・防衛
5.4.1. 主要市場動向、成長要因、機会
5.4.2. 地域別市場規模と予測
5.4.3. 国別市場シェア分析
5.5. IT・通信
5.5.1. 主要市場動向、成長要因、機会
5.5.2. 地域別市場規模と予測
5.5.3. 国別市場シェア分析
5.6. エネルギー・公益事業
5.6.1. 主要市場動向、成長要因、機会
5.6.2.地域別市場規模と予測
5.6.3. 国別市場シェア分析
5.7. その他
5.7.1. 主要市場動向、成長要因、機会
5.7.2. 地域別市場規模と予測
5.7.3. 国別市場シェア分析
第6章：ワイドバンドギャップ半導体市場（地域別）
6.1. 概要
6.1.1. 地域別市場規模と予測
6.2. 北米
6.2.1. 主要市場動向、成長要因、機会
6.2.2. 材料別市場規模と予測
6.2.3. 業種別市場規模と予測
6.2.4. 国別市場規模と予測
6.2.4.1. 米国
6.2.4.1.1. 材料別市場規模と予測
6.2.4.1.2.市場規模と予測（業種別）
6.2.4.2. カナダ
6.2.4.2.1. 市場規模と予測（材質別）
6.2.4.2.2. 市場規模と予測（業種別）
6.2.4.3. メキシコ
6.2.4.3.1. 市場規模と予測（材質別）
6.2.4.3.2. 市場規模と予測（業種別）
6.3. アジア太平洋地域
6.3.1. 主要市場動向、成長要因、機会
6.3.2. 市場規模と予測（材質別）
6.3.3. 市場規模と予測（業種別）
6.3.4. 市場規模と予測（国別）
6.3.4.1. 中国
6.3.4.1.1. 市場規模と予測（材質別）
6.3.4.1.2. 市場規模と予測（業種別）
6.3.4.2.日本
6.3.4.2.1. 市場規模と予測（材質別）
6.3.4.2.2. 市場規模と予測（業種別）
6.3.4.3. インド
6.3.4.3.1. 市場規模と予測（材質別）
6.3.4.3.2. 市場規模と予測（業種別）
6.3.4.4. 韓国
6.3.4.4.1. 市場規模と予測（材質別）
6.3.4.4.2. 市場規模と予測（業種別）
6.3.4.5. その他のアジア太平洋地域
6.3.4.5.1. 市場規模と予測（材質別）
6.3.4.5.2. 市場規模と予測（業種別）
6.4. ヨーロッパ
6.4.1. 主要な市場動向、成長要因、機会
6.4.2. 市場規模と予測（材質別）
6.4.3.市場規模と予測（業種別）
6.4.4. 市場規模と予測（国別）
6.4.4.1. 英国
6.4.4.1.1. 市場規模と予測（材質別）
6.4.4.1.2. 市場規模と予測（業種別）
6.4.4.2. ドイツ
6.4.4.2.1. 市場規模と予測（材質別）
6.4.4.2.2. 市場規模と予測（業種別）
6.4.4.3. フランス
6.4.4.3.1. 市場規模と予測（材質別）
6.4.4.3.2. 市場規模と予測（業種別）
6.4.4.4. その他のヨーロッパ諸国
6.4.4.4.1. 市場規模と予測（材質別）
6.4.4.4.2. 市場規模と予測（業種別）
6.5. LAMEA
6.5.1.主要市場動向、成長要因、機会
6.5.2. 市場規模と予測（材質別）
6.5.3. 市場規模と予測（業種別）
6.5.4. 市場規模と予測（国別）
6.5.4.1. 中南米
6.5.4.1.1. 市場規模と予測（材質別）
6.5.4.1.2. 市場規模と予測（業種別）
6.5.4.2. 中東
6.5.4.2.1. 市場規模と予測（材質別）
6.5.4.2.2. 市場規模と予測（業種別）
6.5.4.3. アフリカ
6.5.4.3.1. 市場規模と予測（材質別）
6.5.4.3.2. 市場規模と予測（業種別）
第7章：競争環境
7.1. はじめに
7.2. 成功に導く主な戦略
7.3.上位10社の製品マッピング
7.4. 競合ダッシュボード
7.5. 競合ヒートマップ
7.6. 2022年のトッププレーヤーのポジショニング
第8章：企業プ​​ロフィール
8.1. Infineon Technologies AG
8.1.1. 会社概要
8.1.2. 主要役員
8.1.3. 会社概要
8.1.4. 事業セグメント
8.1.5. 製品ポートフォリオ
8.1.6. 業績
8.1.7. 主要な戦略的動きと展開
8.2. Microsemi Corporation
8.2.1. 会社概要
8.2.2. 主要役員
8.2.3. 会社概要
8.2.4. 事業セグメント
8.2.5. 製品ポートフォリオ
8.2.6. 業績
8.3. STMicroelectronics
8.3.1.会社概要
8.3.2. 主要役員
8.3.3. 会社概要
8.3.4. 事業セグメント
8.3.5. 製品ポートフォリオ
8.3.6. 業績
8.3.7. 主要な戦略的動きと展開
8.4. ロームセミコンダクタ
8.4.1. 会社概要
8.4.2. 主要役員
8.4.3. 会社概要
8.4.4. 事業セグメント
8.4.5. 製品ポートフォリオ
8.4.6. 業績
8.4.7. 主要な戦略的動きと展開
8.5. テキサス・インスツルメンツ社
8.5.1. 会社概要
8.5.2. 主要役員
8.5.3. 会社概要
8.5.4. 事業セグメント
8.5.5. 製品ポートフォリオ
8.5.6. 業績
8.5.7.主要な戦略的動きと展開
8.6. Vishay Intertechnology Inc.
8.6.1. 会社概要
8.6.2. 主要役員
8.6.3. 会社概要
8.6.4. 事業セグメント
8.6.5. 製品ポートフォリオ
8.6.6. 業績
8.7. Genesic Semiconductor
8.7.1. 会社概要
8.7.2. 主要役員
8.7.3. 会社概要
8.7.4. 事業セグメント
8.7.5. 製品ポートフォリオ
8.8. パナソニック株式会社
8.8.1. 会社概要
8.8.2. 主要役員
8.8.3. 会社概要
8.8.4. 事業セグメント
8.8.5. 製品ポートフォリオ
8.8.6. 業績
8.9. Nexperia
8.9.1. 会社概要
8.9.2.主要役員
8.9.3. 会社概要
8.9.4. 事業セグメント
8.9.5. 製品ポートフォリオ
8.9.6. 主要な戦略的動きと展開
8.10. Wolfspeed, Inc.
8.10.1. 会社概要
8.10.2. 主要役員
8.10.3. 会社概要
8.10.4. 事業セグメント
8.10.5. 製品ポートフォリオ
8.10.6. 業績
8.10.7. 主要な戦略的動きと展開

CHAPTER 1: INTRODUCTION
1.1. Report description
1.2. Key market segments
1.3. Key benefits to the stakeholders
1.4. Research methodology
1.4.1. Primary research
1.4.2. Secondary research
1.4.3. Analyst tools and models
CHAPTER 2: EXECUTIVE SUMMARY
2.1. CXO Perspective
CHAPTER 3: MARKET OVERVIEW
3.1. Market definition and scope
3.2. Key findings
3.2.1. Top impacting factors
3.2.2. Top investment pockets
3.3. Porter’s five forces analysis
3.3.1. High bargaining power of suppliers
3.3.2. Moderate threat of new entrants
3.3.3. Low to moderate threat of substitutes
3.3.4. Moderate to high intensity of rivalry
3.3.5. Moderate to high bargaining power of buyers
3.4. Market dynamics
3.4.1. Drivers
3.4.1.1. Growing investments in R&D activities for wide bandgap materials
3.4.1.2. Surge in demand for EVs driving global wide band gap semiconductors market
3.4.2. Restraints
3.4.2.1. High cost of wide bandgap semiconductor
3.4.3. Opportunities
3.4.3.1. Growing demand for wide bandgap devices in electric vehicles
CHAPTER 4: WIDE BANDGAP SEMICONDUCTORS MARKET, BY MATERIAL
4.1. Overview
4.1.1. Market size and forecast
4.2. Silicon Carbide (SiC)
4.2.1. Key market trends, growth factors and opportunities
4.2.2. Market size and forecast, by region
4.2.3. Market share analysis by country
4.3. Gallium Nitride (GaN)
4.3.1. Key market trends, growth factors and opportunities
4.3.2. Market size and forecast, by region
4.3.3. Market share analysis by country
4.4. Diamond
4.4.1. Key market trends, growth factors and opportunities
4.4.2. Market size and forecast, by region
4.4.3. Market share analysis by country
4.5. Others
4.5.1. Key market trends, growth factors and opportunities
4.5.2. Market size and forecast, by region
4.5.3. Market share analysis by country
CHAPTER 5: WIDE BANDGAP SEMICONDUCTORS MARKET, BY INDUSTRY VERTICAL
5.1. Overview
5.1.1. Market size and forecast
5.2. Consumer Electronics
5.2.1. Key market trends, growth factors and opportunities
5.2.2. Market size and forecast, by region
5.2.3. Market share analysis by country
5.3. Automotive
5.3.1. Key market trends, growth factors and opportunities
5.3.2. Market size and forecast, by region
5.3.3. Market share analysis by country
5.4. Aerospace and Defense
5.4.1. Key market trends, growth factors and opportunities
5.4.2. Market size and forecast, by region
5.4.3. Market share analysis by country
5.5. IT and Telecom
5.5.1. Key market trends, growth factors and opportunities
5.5.2. Market size and forecast, by region
5.5.3. Market share analysis by country
5.6. Energy and Utility
5.6.1. Key market trends, growth factors and opportunities
5.6.2. Market size and forecast, by region
5.6.3. Market share analysis by country
5.7. Others
5.7.1. Key market trends, growth factors and opportunities
5.7.2. Market size and forecast, by region
5.7.3. Market share analysis by country
CHAPTER 6: WIDE BANDGAP SEMICONDUCTORS MARKET, BY REGION
6.1. Overview
6.1.1. Market size and forecast By Region
6.2. North America
6.2.1. Key market trends, growth factors and opportunities
6.2.2. Market size and forecast, by Material
6.2.3. Market size and forecast, by Industry Vertical
6.2.4. Market size and forecast, by country
6.2.4.1. U.S.
6.2.4.1.1. Market size and forecast, by Material
6.2.4.1.2. Market size and forecast, by Industry Vertical
6.2.4.2. Canada
6.2.4.2.1. Market size and forecast, by Material
6.2.4.2.2. Market size and forecast, by Industry Vertical
6.2.4.3. Mexico
6.2.4.3.1. Market size and forecast, by Material
6.2.4.3.2. Market size and forecast, by Industry Vertical
6.3. Asia-Pacific
6.3.1. Key market trends, growth factors and opportunities
6.3.2. Market size and forecast, by Material
6.3.3. Market size and forecast, by Industry Vertical
6.3.4. Market size and forecast, by country
6.3.4.1. China
6.3.4.1.1. Market size and forecast, by Material
6.3.4.1.2. Market size and forecast, by Industry Vertical
6.3.4.2. Japan
6.3.4.2.1. Market size and forecast, by Material
6.3.4.2.2. Market size and forecast, by Industry Vertical
6.3.4.3. India
6.3.4.3.1. Market size and forecast, by Material
6.3.4.3.2. Market size and forecast, by Industry Vertical
6.3.4.4. South Korea
6.3.4.4.1. Market size and forecast, by Material
6.3.4.4.2. Market size and forecast, by Industry Vertical
6.3.4.5. Rest of Asia-Pacific
6.3.4.5.1. Market size and forecast, by Material
6.3.4.5.2. Market size and forecast, by Industry Vertical
6.4. Europe
6.4.1. Key market trends, growth factors and opportunities
6.4.2. Market size and forecast, by Material
6.4.3. Market size and forecast, by Industry Vertical
6.4.4. Market size and forecast, by country
6.4.4.1. UK
6.4.4.1.1. Market size and forecast, by Material
6.4.4.1.2. Market size and forecast, by Industry Vertical
6.4.4.2. Germany
6.4.4.2.1. Market size and forecast, by Material
6.4.4.2.2. Market size and forecast, by Industry Vertical
6.4.4.3. France
6.4.4.3.1. Market size and forecast, by Material
6.4.4.3.2. Market size and forecast, by Industry Vertical
6.4.4.4. Rest of Europe
6.4.4.4.1. Market size and forecast, by Material
6.4.4.4.2. Market size and forecast, by Industry Vertical
6.5. LAMEA
6.5.1. Key market trends, growth factors and opportunities
6.5.2. Market size and forecast, by Material
6.5.3. Market size and forecast, by Industry Vertical
6.5.4. Market size and forecast, by country
6.5.4.1. Latin America
6.5.4.1.1. Market size and forecast, by Material
6.5.4.1.2. Market size and forecast, by Industry Vertical
6.5.4.2. Middle East
6.5.4.2.1. Market size and forecast, by Material
6.5.4.2.2. Market size and forecast, by Industry Vertical
6.5.4.3. Africa
6.5.4.3.1. Market size and forecast, by Material
6.5.4.3.2. Market size and forecast, by Industry Vertical
CHAPTER 7: COMPETITIVE LANDSCAPE
7.1. Introduction
7.2. Top winning strategies
7.3. Product mapping of top 10 player
7.4. Competitive dashboard
7.5. Competitive heatmap
7.6. Top player positioning, 2022
CHAPTER 8: COMPANY PROFILES
8.1. Infineon Technologies AG
8.1.1. Company overview
8.1.2. Key executives
8.1.3. Company snapshot
8.1.4. Operating business segments
8.1.5. Product portfolio
8.1.6. Business performance
8.1.7. Key strategic moves and developments
8.2. Microsemi Corporation.
8.2.1. Company overview
8.2.2. Key executives
8.2.3. Company snapshot
8.2.4. Operating business segments
8.2.5. Product portfolio
8.2.6. Business performance
8.3. STMicroelectronics
8.3.1. Company overview
8.3.2. Key executives
8.3.3. Company snapshot
8.3.4. Operating business segments
8.3.5. Product portfolio
8.3.6. Business performance
8.3.7. Key strategic moves and developments
8.4. ROHM Semiconductor
8.4.1. Company overview
8.4.2. Key executives
8.4.3. Company snapshot
8.4.4. Operating business segments
8.4.5. Product portfolio
8.4.6. Business performance
8.4.7. Key strategic moves and developments
8.5. Texas Instruments Inc.
8.5.1. Company overview
8.5.2. Key executives
8.5.3. Company snapshot
8.5.4. Operating business segments
8.5.5. Product portfolio
8.5.6. Business performance
8.5.7. Key strategic moves and developments
8.6. Vishay Intertechnology Inc.
8.6.1. Company overview
8.6.2. Key executives
8.6.3. Company snapshot
8.6.4. Operating business segments
8.6.5. Product portfolio
8.6.6. Business performance
8.7. Genesic Semiconductor
8.7.1. Company overview
8.7.2. Key executives
8.7.3. Company snapshot
8.7.4. Operating business segments
8.7.5. Product portfolio
8.8. Panasonic Corporation
8.8.1. Company overview
8.8.2. Key executives
8.8.3. Company snapshot
8.8.4. Operating business segments
8.8.5. Product portfolio
8.8.6. Business performance
8.9. Nexperia
8.9.1. Company overview
8.9.2. Key executives
8.9.3. Company snapshot
8.9.4. Operating business segments
8.9.5. Product portfolio
8.9.6. Key strategic moves and developments
8.10. Wolfspeed, Inc.
8.10.1. Company overview
8.10.2. Key executives
8.10.3. Company snapshot
8.10.4. Operating business segments
8.10.5. Product portfolio
8.10.6. Business performance
8.10.7. Key strategic moves and developments
※参考情報

ワイドバンドギャップ半導体は、バンドギャップが3 eV以上の半導体材料を指します。バンドギャップとは、電子が価帯から導帯に移動するために必要なエネルギーの差を示しており、この値が大きいほど高い電圧や高温環境での動作が可能です。従来のシリコン半導体のバンドギャップは約1.1 eVであるため、ワイドバンドギャップ半導体は、特に高温・高電圧・高周波環境において優れた性能を発揮します。
ワイドバンドギャップ半導体の代表的な材料には、窒化ガリウム（GaN）、炭化ケイ素（SiC）、酸化亜鉛（ZnO）、および窒化アルミニウム（AlN）などがあります。これらの材料は、それぞれ異なる特性を持ち、用途に応じた選択が行われます。例えば、GaNは高い電子移動度を持ち、高周波および高電力のアプリケーションに適しています。一方、SiCは高温環境での電力変換などに非常に強みがあります。

ワイドバンドギャップ半導体の用途は多岐にわたります。特に、電力電子機器においては、変換効率の向上や小型化が可能であるため、電動車両や再生可能エネルギーシステムにおいて重要な役割を果たしています。また、通信分野でもGaNを用いた高周波トランジスタが使われており、5G通信の基盤技術として注目されています。

さらに、医療機器や航空宇宙分野でも、ワイドバンドギャップ半導体の需要が高まっています。これらの分野では、高い信頼性や耐環境性が求められるため、高性能な半導体が必要です。例えば、SiCは高温や高放射線環境でも安定して動作するため、宇宙探査ミッションなどにも適合します。

関連技術としては、パワーエレクトロニクスやRFID（無線周波数識別）技術、さらには高効率LED（発光ダイオード）技術などがあります。特にLEDは、GaNをベースとした青色LEDが成功を収めたおかげで、照明やディスプレイ技術に革命をもたらしました。これにより、エネルギー効率の高い照明が普及し、環境負荷の軽減にも寄与しています。

また、ワイドバンドギャップ半導体の材料技術や製造プロセスに関しても、精力的な研究が進められています。特に、高品質な結晶成長技術の開発が進むことで、デバイス性能が向上し、コスト低減にも寄与しています。最近では、2次元材料やナノテクノロジーの融合による新しいデバイスアーキテクチャの提案も行われており、さらなる革新が期待されています。

今後、ワイドバンドギャップ半導体の需要はますます拡大すると考えられます。特に、エネルギー効率向上のニーズが高まる中で、これらの半導体材料は電力変換や高電圧アプリケーションにおいて中心的な役割を果たすでしょう。自動車の電動化や、再生可能エネルギーの普及が進む中、ワイドバンドギャップ半導体技術は、持続可能な社会の実現に向けた重要な鍵となると期待されています。これらの開発が進むことで、次世代のエレクトロニクスやエネルギーシステムが変革を迎えるでしょう。


❖ 免責事項 ❖
http://www.globalresearch.jp/disclaimer
★リサーチレポート[ ワイドバンドギャップ半導体の世界市場2023-2032：機会分析・産業予測(Wide Bandgap Semiconductors Market By Material (Silicon Carbide (SiC), Gallium Nitride (GaN), Diamond, Others), By Industry Vertical (Consumer Electronics, Automotive, Aerospace and Defense, IT and Telecom, Energy and Utility, Others): Global Opportunity Analysis and Industry Forecast, 2023-2032)]についてメールでお問い合わせはこちらでお願いします。
グローバルリサーチ調査資料のイメージグローバルリサーチ調査資料のイメージ
◆関連リサーチレポート◆
  • バッテリーバインダーの世界市場2023-2032：機会分析・産業予測
  • 機械安全性の世界市場2023-2032：機会分析・産業予測
  • スチールワイヤの世界市場2023-2032：機会分析・産業予測
  • 燃料電池プラントバランス（BoP）の世界市場2023-2032：機会分析・産業予測
  • AC MCBの世界市場2023-2032：機会分析・産業予測

    • ◆H&Iグローバルリサーチのお客様（例）◆