| ◆英語タイトル：Global IGBT-Based Power Semiconductor Market 2022 by Manufacturers, Regions, Type and Application, Forecast to 2028
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 | ◆商品コード：GIR22NO7567
◆発行会社（リサーチ会社）：GlobalInfoResearch
◆発行日：2022年11月（※2026年版があります。お問い合わせください。）
◆ページ数：104
◆レポート形式：英語 / PDF
◆納品方法：Eメール（注文後2-3日）
◆調査対象地域：グローバル
◆産業分野：電子＆半導体
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※上記の日本語題名はH&Iグローバルリサーチが翻訳したものです。英語版原本には日本語表記はありません。
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IGBT（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）は、パワー半導体の一種であり、直流電流と交流電流の制御を目的とした重要なデバイスです。インバータやスイッチング電源など多くの電力変換装置に利用されており、その高い効率性と柔軟な操作が特長です。IGBTは、MOSFET（メタル-オキシド-セミコンドクタフィールド効果トランジスタ）とバイポーラトランジスタの特性を組み合わせた半導体素子であり、これにより高い電圧対応と大電流制御を実現しています。
まず、IGBTの定義について触れます。IGBTは、ゲート端子によって特別に制御された電流を流すことができるパワー素子であり、高いスイッチング速度と低いオン抵抗を兼ね備えています。これにより、効率的に電力を制御し、非常に多くの電気機器に利用されるのです。IGBTは、主にパワーエレクトロニクスの分野で広く使われていますが、その応用は多岐にわたります。
IGBTの特徴として、まず高耐圧性が挙げられます。一般に、IGBTは数百ボルトから数キロボルトまでの高電圧に対応可能です。これにより、電力変換装置や大規模なインダストリアル機器での使用が可能となっています。次に、大電流を制御できるという点も重要です。IGBTは数十アンペアから数百アンペアまでの大きな電流を扱うことができ、一連のアプリケーションに対応しています。また、静的および動的特性が良好で、スイッチング損失を最小限に抑えることができるため、高効率な動作が実現できます。
IGBTの種類には、主に標準IGBT、フィードスルーIGBT、逆電圧IGBT、冷却IGBTなどがあります。標準IGBTは一般的な電力変換用途に最適化されていますが、フィードスルー型は逆方向の電流を取り扱うのに適しています。また、逆電圧IGBTは、特に逆バイアスで動作するアプリケーションに対応し、冷却IGBTは効果的な熱管理を可能にする設計がされています。
IGBTはその特性から、さまざまな用途に利用されています。具体的には、電気自動車におけるインバータ、再生可能エネルギーシステムの最大出力追跡回路、鉄道の牽引制御システム、医療用機器における電力供給装置、家庭用電化製品など、多岐にわたります。特に、再生可能エネルギー分野では、太陽光発電や風力発電のインバータにおいて重要な役割を果たしています。また、インダストリアルオートメーションでも広く使用されており、各種のモーター制御や変速装置に不可欠なデバイスとされています。
関連技術としては、パワーエレクトロニクスの進展が挙げられます。特に、IGBTとともに用いられる技術にはMOSFET、ダイオード、および各種のコントロール回路が含まれます。これらの技術は、IGBTの性能を向上させ、さらに高度な応用が可能となるための重要な要素です。たとえば、パルス幅変調（PWM）技術は、IGBTのスイッチング制御において非常に重要であり、効率的なエネルギー制御が実現されています。また、冷却技術も重要であり、IGBTの信頼性と耐久性を確保するために、適切な熱管理が必要です。
さらに、IGBTの技術は日々進化しており、新しい材料（例：SiCやGaN）の採用が進んでいます。これにより、IGBTの高効率化、耐熱性の向上が望まれ、新しいアプリケーションの開発が期待されています。特にSiC（炭化ケイ素）は、IGBTよりも高い温度や電圧で動作できるため、さらなるエネルギー効率の向上が期待されています。
今後の課題としては、IGBTのさらなる miniaturization（小型化）が挙げられます。電子機器のコンパクト化が進む中、IGBTもより小型化されることが求められています。また、高効率なスイッチング機能の維持及び改善が常に求められており、電力変換効率を最大化するための技術革新が求められています。
IGBTは、高速かつ高効率な高電圧、大電流スイッチングデバイスとして、現代の電力変換技術に欠かせない位置を占めています。多様な用途において、その特性を最大限に活用することで、持続可能な社会の実現に貢献しています。今後もIGBTは、パワー半導体技術の中でも注目のデバイスであり続けるでしょう。 |
IGBTベース型パワー半導体市場レポートは、世界の市場規模、地域および国レベルの市場規模、セグメント市場の成長性、市場シェア、競争環境、販売分析、国内および世界の市場プレーヤーの影響、バリューチェーンの最適化、最近の動向、機会分析、市場成長の戦略的な分析、製品発売、地域市場の拡大などに関する情報を提供します。
GlobalInfoResearchの最新の調査によると、世界のIGBTベース型パワー半導体の市場規模は2021年のxxx米ドルから2028年にはxxx米ドルと推定され、xxx％の成長率で成長すると予想されます。
IGBTベース型パワー半導体市場は種類と用途によって区分されます。2017年～2028年において、量と金額の観点から種類別および用途別セグメントの売上予測データを提供します。この分析は、適格なニッチ市場をターゲットにすることでビジネスを拡大するのに役立ちます。
種類別セグメントは次をカバーします。
・ディスクリート、モジュール
用途別セグメントは次のように区分されます。
・家電、航空宇宙、自動車、その他
世界のIGBTベース型パワー半導体市場の主要な市場プレーヤーは以下のとおりです。
・Infineon Technologies、Mitsubishi、Fuji Electric、Semikron、ON Semiconductors、Fairchild Semiconductors、Texas Instruments Incorporated、STMicroelectronics、IXYS、Toshiba
地域別セグメントは次の地域・国をカバーします。
・北米（米国、カナダ、メキシコ）
・ヨーロッパ（ドイツ、フランス、イギリス、ロシア、イタリア）
・アジア太平洋（日本、中国、韓国、インド、東南アジア、オーストラリア）
・南アメリカ（ブラジル、アルゼンチン、コロンビア）
・中東およびアフリカ（サウジアラビア、UAE、エジプト、南アフリカ）
本調査レポートの内容は計15章あります。
・第1章では、IGBTベース型パワー半導体製品の調査範囲、市場の概要、市場の成長要因・阻害要因、および市場動向について説明します。
・第2章では、主要なIGBTベース型パワー半導体メーカーの企業概要、2019年～2022年までのIGBTベース型パワー半導体の価格、販売量、売上、市場シェアを掲載しています。
・第3章では、主要なIGBTベース型パワー半導体メーカーの競争状況、販売量、売上、世界市場シェアが重点的に比較分析されています。
・第4章では、2017年～2028年までの地域別IGBTベース型パワー半導体の販売量、売上、成長性を示しています。
・第5、6章では、2017年～2028年までのIGBTベース型パワー半導体の種類別と用途別の市場規模、市場シェアと成長率を掲載しています。
・第7、8、9、10、11章では、2017年～2022年までの世界の主要国での販売量、売上、市場シェア、並びに2023年～2028年までの主要地域でのIGBTベース型パワー半導体市場予測を収録しています。
・第12章では、主要な原材料、主要なサプライヤー、およびIGBTベース型パワー半導体の産業チェーンを掲載しています。
・第13、14、15章では、IGBTベース型パワー半導体の販売チャネル、販売業者、顧客、調査結果と結論、付録、データソースなどについて説明します。
***** 目次(一部) *****
・市場概要
- IGBTベース型パワー半導体の概要
- 種類別分析（2017年vs2021年vs2028年）：ディスクリート、モジュール
- 用途別分析（2017年vs2021年vs2028年）：家電、航空宇宙、自動車、その他
- 世界のIGBTベース型パワー半導体市場規模・予測
- 世界のIGBTベース型パワー半導体生産能力分析
- 市場の成長要因・阻害要因・動向
・メーカー情報（企業概要、製品概要、販売量、価格、売上）
- Infineon Technologies、Mitsubishi、Fuji Electric、Semikron、ON Semiconductors、Fairchild Semiconductors、Texas Instruments Incorporated、STMicroelectronics、IXYS、Toshiba
・メーカー別市場シェア・市場集中度
・地域別市場分析2017年-2028年
・種類別分析2017年-2028年：ディスクリート、モジュール
・用途別分析2017年-2028年：家電、航空宇宙、自動車、その他
・IGBTベース型パワー半導体の北米市場
- 種類別市場規模2017年-2028年
- 用途別市場規模2017年-2028年
- 主要国別市場規模：アメリカ、カナダ、メキシコなど
・IGBTベース型パワー半導体のヨーロッパ市場
- 種類別市場規模2017年-2028年
- 用途別市場規模2017年-2028年
- 主要国別市場規模：ドイツ、イギリス、フランス、ロシア、イタリアなど
・IGBTベース型パワー半導体のアジア市場
- 種類別市場規模2017年-2028年
- 用途別市場規模2017年-2028年
- 主要国別市場規模：中国、日本、韓国、インド、東南アジア、オーストラリアなど
・IGBTベース型パワー半導体の南米市場
- 種類別市場規模2017年-2028年
- 用途別市場規模2017年-2028年
- 主要国別市場規模：ブラジル、アルゼンチンなど
・IGBTベース型パワー半導体の中東・アフリカ市場
- 種類別市場規模2017年-2028年
- 用途別市場規模2017年-2028年
- 主要国別市場規模：サウジアラビア、トルコ、エジプト、南アフリカなど
・原材料および産業チェーン
・販売チャネル、流通業者・代理店、顧客リスト
・調査の結果・結論 |
IGBTベースパワー半導体市場レポートは、世界市場規模、地域および国レベルの市場規模、セグメンテーション、市場成長、市場シェア、競合状況、売上分析、国内および世界の市場プレーヤーの影響、バリューチェーンの最適化、貿易規制、最近の動向、機会分析、戦略的市場成長分析、製品投入、地域市場の拡大、技術革新などについて詳細な分析を提供しています。
当社（Global Info Research）の最新調査によると、COVID-19パンデミックの影響により、世界のIGBTベースパワー半導体市場規模は2021年に100万米ドルに達すると推定され、2022年から2028年の予測期間中に%のCAGRで成長し、2028年には100万米ドルに達すると予測されています。2021年のIGBTベースパワー半導体世界市場の%を占める民生用電子機器は、2028年には100万米ドルに達すると予測され、今後6年間で%のCAGRで成長します。一方、ディスクリートセグメントは、2022年から2028年までのCAGR（%）に変更されています。
IGBTベースパワー半導体の世界的主要メーカーには、インフィニオンテクノロジーズ、三菱電機、富士電機、セミクロン、オン・セミコンダクターズなどがあります。売上高ベースでは、2021年には世界上位4社が1%を超えるシェアを占めています。
市場セグメンテーション
IGBTベースパワー半導体市場は、タイプ別および用途別に区分されています。2017年から2028年までのセグメント間の成長率は、タイプ別および用途別の売上高を数量と金額の観点から正確に計算および予測します。この分析は、適格なニッチ市場をターゲットにすることで、事業拡大に役立ちます。
タイプ別市場セグメントは、以下の地域をカバーしています。
ディスクリート
モジュール
用途別市場セグメントは、以下の通りです。
民生用電子機器
航空宇宙
自動車
その他
世界のIGBTベースパワー半導体市場における主要プレーヤーは以下の通りです。
インフィニオン テクノロジーズ
三菱電機
富士電機
セミクロン
オン・セミコンダクターズ
フェアチャイルド・セミコンダクターズ
テキサス・インスツルメンツ
STマイクロエレクトロニクス
IXYS
東芝
地域別市場セグメントは、以下の地域をカバーしています。
北米（米国、カナダ、メキシコ）
欧州（ドイツ、フランス、英国、ロシア、イタリア、その他ヨーロッパ）
アジア太平洋地域（中国、日本、韓国、インド、東南アジア、オーストラリア）
南米（ブラジル、アルゼンチン、コロンビア、その他南米）
中東・アフリカ（サウジアラビア、UAE、エジプト、南アフリカ、その他中東・アフリカ）
調査対象は全15章で構成されています。
第1章では、IGBTベースパワー半導体の製品範囲、市場概要、市場機会、市場牽引力、市場リスクについて解説します。
第2章では、IGBTベースパワー半導体の主要メーカーについて、2019年から2022年にかけての価格、売上高、収益、世界市場シェアなどを踏まえて概観します。
第3章では、IGBTベースパワー半導体の競争状況、主要メーカーの売上高、収益、世界市場シェアを、市場環境比較に基づき重点的に分析します。
第4章では、IGBTベースパワー半導体の地域別内訳データを示し、2017年から2028年までの地域別の売上高、収益、成長率を示します。
第5章と第6章では、2017年から2028年までのタイプ別および用途別の売上高、市場シェア、成長率をタイプ別、用途別にセグメント化します。
第7章、第8章、第9章、第10章、第11章では、2017年から2022年までの世界の主要国の国別売上高、収益、市場シェアを国別に内訳します。また、2023年から2028年までのIGBTベースパワー半導体市場予測を、地域別、タイプ別、用途別に売上高と収益とともに示します。
第12章では、IGBTベースパワー半導体の主要原材料、主要サプライヤー、および産業チェーンについて説明します。
第 13 章、第 14 章、および第 15 章では、IGBT ベースのパワー半導体の販売チャネル、販売代理店、顧客、調査結果と結論、付録、およびデータ ソースについて説明します。
1 市場概要
1.1 IGBTベースパワー半導体の概要
1.2 タイプ別市場分析
1.2.1 概要：IGBTベースパワー半導体の世界市場規模（タイプ別）：2017年、2021年、2028年
1.2.2 ディスクリート
1.2.3 モジュール
1.3 用途別市場分析
1.3.1 概要：IGBTベースパワー半導体の世界市場規模（用途別）：2017年、2021年、2028年
1.3.2 コンシューマーエレクトロニクス
1.3.3 航空宇宙
1.3.4 自動車
1.3.5 その他
1.4 世界のIGBTベースパワー半導体市場規模と予測
1.4.1 世界のIGBTベースパワー半導体売上高（金額ベース）（2017年および2028年） 2021年および2028年）
1.4.2 IGBTベースパワー半導体の世界販売数量（2017～2028年）
1.4.3 IGBTベースパワー半導体の世界価格（2017～2028年）
1.5 IGBTベースパワー半導体の世界生産能力分析
1.5.1 IGBTベースパワー半導体の世界総生産能力（2017～2028年）
1.5.2 IGBTベースパワー半導体の世界地域別生産能力
1.6 市場の推進要因、抑制要因、およびトレンド
1.6.1 IGBTベースパワー半導体市場の推進要因
1.6.2 IGBTベースパワー半導体市場の抑制要因
1.6.3 IGBTベースパワー半導体のトレンド分析
2 メーカープロフィール
2.1 インフィニオンテクノロジー
2.1.1 インフィニオンテクノロジーズの詳細
2.1.2 インフィニオンテクノロジーズの主要事業
2.1.3 インフィニオンテクノロジーズのIGBTベースパワー半導体製品およびサービス
2.1.4 インフィニオンテクノロジーズのIGBTベースパワー半導体の売上高、価格、売上高、粗利益率、市場シェア（2019年、2020年、2021年、2022年）
2.2 三菱電機
2.2.1 三菱電機の詳細
2.2.2 三菱電機の主要事業
2.2.3 三菱電機のIGBTベースパワー半導体製品およびサービス
2.2.4 三菱電機のIGBTベースパワー半導体の売上高、価格、売上高、粗利益率、市場シェア（2019年、2020年、2021年、2022年）
2.3 富士電機
2.3.1 富士電機の詳細
2.3.2 富士電機の主要事業
2.3.3 富士電機のIGBTベースパワー半導体製品およびサービス
2.3.4 富士電機のIGBTベースパワー半導体の売上高、価格、売上高、粗利益率、市場シェア（2019年、2020年、2021年、2022年）
2.4 セミクロン
2.4.1 セミクロンの詳細
2.4.2 セミクロンの主要事業
2.4.3 セミクロンのIGBTベースパワー半導体製品およびサービス
2.4.4 セミクロンのIGBTベースパワー半導体の売上高、価格、売上高、粗利益率、市場シェア（2019年、2020年、2021年、2022年）
2.5 オン・セミコンダクターズ
2.5.1 オン・セミコンダクターズの詳細
2.5.2 オン・セミコンダクターズの主要事業事業内容
2.5.3 オン・セミコンダクターズのIGBTベースパワー半導体製品およびサービス
2.5.4 オン・セミコンダクターズのIGBTベースパワー半導体の売上高、価格、売上高、粗利益率、市場シェア（2019年、2020年、2021年、2022年）
2.6 フェアチャイルドセミコンダクターズ
2.6.1 フェアチャイルドセミコンダクターズの詳細
2.6.2 フェアチャイルドセミコンダクターズの主要事業
2.6.3 フェアチャイルドセミコンダクターズのIGBTベースパワー半導体製品およびサービス
2.6.4 フェアチャイルドセミコンダクターズのIGBTベースパワー半導体の売上高、価格、売上高、粗利益率、市場シェア（2019年、2020年、2021年、2022年）
2.7 テキサス・インスツルメンツ・インコーポレーテッド
2.7.1 テキサス・インスツルメンツ・インコーポレーテッドの詳細
2.7.2 テキサス・インスツルメンツ（TI）の主要事業
2.7.3 TIのIGBTベース・パワー半導体製品およびサービス
2.7.4 TIのIGBTベース・パワー半導体の売上高、価格、売上高、粗利益率、市場シェア（2019年、2020年、2021年、2022年）
2.8 STマイクロエレクトロニクス
2.8.1 STマイクロエレクトロニクスの詳細
2.8.2 STマイクロエレクトロニクスの主要事業
2.8.3 STマイクロエレクトロニクスのIGBTベース・パワー半導体製品およびサービス
2.8.4 STマイクロエレクトロニクスのIGBTベース・パワー半導体の売上高、価格、売上高、粗利益率、市場シェア（2019年、2020年、2021年、2022年）
2.9 IXYS
2.9.1 IXYSの詳細
2.9.2 IXYSの主要事業
2.9.3 IXYSのIGBTベースパワー半導体製品およびサービス
2.9.4 IXYSのIGBTベースパワー半導体の売上高、価格、売上高、粗利益率、市場シェア（2019年、2020年、2021年、2022年）
2.10 東芝
2.10.1 東芝の詳細
2.10.2 東芝の主要事業
2.10.3 東芝のIGBTベースパワー半導体製品およびサービス
2.10.4 東芝のIGBTベースパワー半導体の売上高、価格、売上高、粗利益率、市場シェア（2019年、2020年、2021年、2022年）
3 IGBTベースパワーメーカー別半導体内訳データ
3.1 世界のIGBTベースパワー半導体販売数量（メーカー別）（2019年、2020年、2021年、2022年）
3.2 世界のIGBTベースパワー半導体売上高（メーカー別）（2019年、2020年、2021年、2022年）
3.3 IGBTベースパワー半導体における主要メーカーの市場ポジション
3.4 市場集中度
3.4.1 2021年のIGBTベースパワー半導体メーカー上位3社の市場シェア
3.4.2 2021年のIGBTベースパワー半導体メーカー上位6社の市場シェア
3.5 世界のIGBTベースパワー半導体生産能力（メーカー別）：2021年 vs 2022年
3.6 地域別メーカー：本社所在地とIGBTベースパワー半導体生産量サイト
3.7 新規参入企業と生産能力拡大計画
3.8 合併・買収
4 地域別市場分析
4.1 世界のIGBTベースパワー半導体市場規模（地域別）
4.1.1 世界のIGBTベースパワー半導体販売量（地域別）（2017～2028年）
4.1.2 世界のIGBTベースパワー半導体売上高（地域別）（2017～2028年）
4.2 北米におけるIGBTベースパワー半導体売上高（2017～2028年）
4.3 欧州におけるIGBTベースパワー半導体売上高（2017～2028年）
4.4 アジア太平洋地域におけるIGBTベースパワー半導体売上高（2017～2028年）
4.5 南米におけるIGBTベースパワー半導体売上高(2017-2028)
4.6 中東およびアフリカにおけるIGBTベースパワー半導体の売上高 (2017-2028)
5 市場セグメント（タイプ別）
5.1 世界のIGBTベースパワー半導体の販売数量（タイプ別）（2017-2028）
5.2 世界のIGBTベースパワー半導体の販売金額（タイプ別）（2017-2028）
5.3 世界のIGBTベースパワー半導体の価格（タイプ別）（2017-2028）
6 市場セグメント（用途別）
6.1 世界のIGBTベースパワー半導体の販売数量（用途別）（2017-2028）
6.2 世界のIGBTベースパワー半導体の販売金額（用途別）（2017-2028）
6.3 世界のIGBTベースパワー半導体の価格（用途別） (2017-2028)
7 北米：国別、タイプ別、アプリケーション別
7.1 北米におけるIGBTベースパワー半導体の売上（タイプ別）（2017-2028）
7.2 北米におけるIGBTベースパワー半導体の売上（アプリケーション別）（2017-2028）
7.3 北米におけるIGBTベースパワー半導体の市場規模（国別）
7.3.1 北米におけるIGBTベースパワー半導体の売上数量（国別）（2017-2028）
7.3.2 北米におけるIGBTベースパワー半導体の売上高（国別）（2017-2028）
7.3.3 米国の市場規模と予測（2017-2028）
7.3.4 カナダの市場規模と予測（2017-2028）
7.3.5 メキシコの市場規模と予測（2017～2028年）
8 ヨーロッパ：国別、タイプ別、アプリケーション別
8.1 ヨーロッパにおけるIGBTベースパワー半導体の売上（タイプ別）（2017～2028年）
8.2 ヨーロッパにおけるIGBTベースパワー半導体の売上（アプリケーション別）（2017～2028年）
8.3 ヨーロッパにおけるIGBTベースパワー半導体の市場規模（国別）
8.3.1 ヨーロッパにおけるIGBTベースパワー半導体の売上数量（国別）（2017～2028年）
8.3.2 ヨーロッパにおけるIGBTベースパワー半導体の売上高（国別）（2017～2028年）
8.3.3 ドイツにおける市場規模と予測（2017～2028年）
8.3.4 フランスにおける市場規模と予測（2017～2028年）
8.3.5 英国における市場規模と予測(2017-2028)
8.3.6 ロシア市場規模と予測 (2017-2028)
8.3.7 イタリア市場規模と予測 (2017-2028)
9 アジア太平洋地域：地域別、タイプ別、アプリケーション別
9.1 アジア太平洋地域におけるIGBTベースパワー半導体売上高（タイプ別）（2017-2028）
9.2 アジア太平洋地域におけるIGBTベースパワー半導体売上高（アプリケーション別）（2017-2028）
9.3 アジア太平洋地域におけるIGBTベースパワー半導体市場規模（地域別）
9.3.1 アジア太平洋地域におけるIGBTベースパワー半導体売上高（地域別）（2017-2028）
9.3.2 アジア太平洋地域におけるIGBTベースパワー半導体売上高（地域別） (2017-2028)
9.3.3 中国市場規模と予測 (2017-2028)
9.3.4 日本市場規模と予測 (2017-2028)
9.3.5 韓国市場規模と予測 (2017-2028)
9.3.6 インド市場規模と予測 (2017-2028)
9.3.7 東南アジア市場規模と予測 (2017-2028)
9.3.8 オーストラリア市場規模と予測 (2017-2028)
10 南米：地域別、タイプ別、アプリケーション別
10.1 南米におけるIGBTベースパワー半導体売上（タイプ別）（2017-2028）
10.2 南米におけるIGBTベースパワー半導体売上（アプリケーション別） (2017-2028)
10.3 南米IGBTベースパワー半導体市場規模（国別）
10.3.1 南米IGBTベースパワー半導体販売数量（国別）（2017-2028）
10.3.2 南米IGBTベースパワー半導体売上高（国別）（2017-2028）
10.3.3 ブラジル市場規模と予測（2017-2028）
10.3.4 アルゼンチン市場規模と予測（2017-2028）
11 中東・アフリカ市場規模（国別、タイプ別、アプリケーション別）
11.1 中東・アフリカIGBTベースパワー半導体販売数量（タイプ別）（2017-2028）
11.2 中東・アフリカIGBTベースパワー半導体販売数量（アプリケーション別） (2017-2028)
11.3 中東・アフリカにおけるIGBTベースパワー半導体市場規模（国別）
11.3.1 中東・アフリカにおけるIGBTベースパワー半導体販売数量（国別）（2017-2028）
11.3.2 中東・アフリカにおけるIGBTベースパワー半導体売上高（国別）（2017-2028）
11.3.3 トルコ市場規模と予測（2017-2028）
11.3.4 エジプト市場規模と予測（2017-2028）
11.3.5 サウジアラビア市場規模と予測（2017-2028）
11.3.6 南アフリカ市場規模と予測（2017-2028）
12 原材料と産業チェーン
12.1 原材料IGBTベースパワー半導体と主要メーカー
12.2 IGBTベースパワー半導体の製造コスト比率
12.3 IGBTベースパワー半導体の製造プロセス
12.4 IGBTベースパワー半導体の産業チェーン
13 販売チャネル、販売代理店、トレーダー、ディーラー
13.1 販売チャネル
13.1.1 直接販売
13.1.2 間接販売
13.2 IGBTベースパワー半導体の代表的な販売代理店
13.3 IGBTベースパワー半導体の代表的な顧客
14 調査結果と結論
15 付録
15.1 調査方法
15.2 調査プロセスとデータソース
15.3 免責事項
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