| ◆英語タイトル：Global GaN Field-Effect Transistors Market 2022 by Manufacturers, Regions, Type and Application, Forecast to 2028
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 | ◆商品コード：GIR22NO7390
◆発行会社（リサーチ会社）：GlobalInfoResearch
◆発行日：2022年11月（※2026年版があります。お問い合わせください。）
◆ページ数：107
◆レポート形式：英語 / PDF
◆納品方法：Eメール（注文後2-3日）
◆調査対象地域：グローバル
◆産業分野：電子＆半導体
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※上記の日本語題名はH&Iグローバルリサーチが翻訳したものです。英語版原本には日本語表記はありません。
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GaN電界効果トランジスタ（GaN FET）は、ガリウムナイトライド（GaN）を基にした半導体デバイスであり、高速動作や高効率な電力変換を実現できます。GaNはワイドバンドギャップ半導体として知られ、従来のシリコンベースのデバイスに比べて優れた特性を持っています。このデバイスは、特に高電力および高周波数アプリケーションにおいてその能力を発揮します。
GaN FETの定義として、これは電界効果を利用するトランジスタで、ゲートに外部信号を加えることでドレイン-ソース間の電流を制御できるデバイスです。GaN FETは、通常の金属酸化膜半導体場効果トランジスタ（MOSFET）と似ていますが、GaNの物性による利点を享受することができます。
GaNの特徴の一つは、高いバンドギャップエネルギーです。GaNは約3.4eVのバンドギャップを持ち、この特性によって高温や高電圧環境での使用が可能になります。また、高い電子移動度を持つため、高周波数動作においても優れた性能を発揮します。この特性は、GaN FETを高効率なスイッチング素子として利用する際に重要です。さらに、GaNは熱伝導性が良く、冷却が容易であるため、デバイスの動作温度を保持しやすく、全体的なシステムの効率を向上させることができます。
GaN FETの種類には、HEMT（High Electron Mobility Transistor）およびCAVET（Charge Accumulation Voltage Enhancement Transistor）が含まれます。HEMTは、ガリウムナイトライドとインジウムガリウムのヘテロ接合を利用しており、高電子移動度を実現します。そのため、高周波アプリケーションや高出力アンプで広く使用されています。一方、CAVETは、ゲートに加わる電圧によってチャージキャリアを蓄積させる方式で、効率的なスイッチングが可能です。これらのデバイスは、特定の用途に応じて設計されており、それぞれ特有の利点があります。
GaN FETは、さまざまな分野で幅広く利用されています。一つの主要な用途は、電力変換装置であり、DC-DCコンバータやインバータなど、電力変換の効率を向上させるために使用されます。特に再生可能エネルギーシステムや電気自動車の電力変換システムにおいて、その性能は非常に重要です。さらに、基地局や通信機器では、GaN FETが高周波数での動作を実現し、データ転送速度や通信の安定性を向上させています。
また、GaN FETは、RF（無線周波数）アプリケーションにおいても重要な役割を果たしています。特に、衛星通信やレーダー技術においては、高効率で高出力な増幅器が必要とされ、このニーズに応えるためにGaN FETが使用されています。これにより、高出力な信号を生成し、通信の品質を確保することができます。
関連する技術としては、SiC（シリコンカーバイド）デバイスも挙げられます。SiCはGaNと同様にワイドバンドギャップ半導体ですが、異なる特性を持っています。SiCデバイスは高温動作や高電圧アプリケーションに適しており、特に電力エレクトロニクスの分野で競争力があります。SiCとGaNの両者は、特定の応用において補完的に利用されることが多く、技術の進展によりそれぞれの特性がさらに強化されています。
GaN FETの製造には、高度な半導体加工技術が必要です。成長技術としては、MBE（分子線エピタキシー）やMOCVD（メタル有機化学気相成長）が一般的に使用され、これにより高品質なGaN薄膜が得られます。薄膜の品質はデバイス性能に直結するため、製造プロセスの管理が極めて重要です。近年、製造コストの低下やプロセスの高度化が進んでおり、より高性能かつ低コストなGaN FETの実現が期待されています。
将来的には、GaN FET技術の進展がさらなる革新を促進すると考えられます。特に、集積回路への応用や小型化、高集積化が進む中で、GaN FETはより多様な用途で重要な役割を果たすことになるでしょう。次世代のパワーエレクトロニクス、通信技術、そしてエネルギー管理システムにおいて、GaN FETの性能に依存するシステムがますます増加することが予測されています。
結論として、GaN電界効果トランジスタは、その高性能を活かして多くの産業分野に革新をもたらすデバイスです。今後の技術革新や市場ニーズの変化に応じて、GaN FETの利用範囲はますます広がり、半導体技術の進化に大きな影響を与えることが期待されています。サステナブルな社会の実現に向けて、GaN FETが欠かせない存在となることは間違いありません。 |
GaN電界効果トランジスタ市場レポートは、世界の市場規模、地域および国レベルの市場規模、セグメント市場の成長性、市場シェア、競争環境、販売分析、国内および世界の市場プレーヤーの影響、バリューチェーンの最適化、最近の動向、機会分析、市場成長の戦略的な分析、製品発売、地域市場の拡大などに関する情報を提供します。
GlobalInfoResearchの最新の調査によると、世界のGaN電界効果トランジスタの市場規模は2021年のxxx米ドルから2028年にはxxx米ドルと推定され、xxx％の成長率で成長すると予想されます。
GaN電界効果トランジスタ市場は種類と用途によって区分されます。2017年～2028年において、量と金額の観点から種類別および用途別セグメントの売上予測データを提供します。この分析は、適格なニッチ市場をターゲットにすることでビジネスを拡大するのに役立ちます。
種類別セグメントは次をカバーします。
・HFET、MODFET、その他
用途別セグメントは次のように区分されます。
・家電、自動車、通信、充電機器、その他
世界のGaN電界効果トランジスタ市場の主要な市場プレーヤーは以下のとおりです。
・Infineon Technologies、Texas Instruments、Nexperia、Renesas Electronics、NXP、Transphorm、Panasonic Electronic、GaN Systems、EPC、pSemi (Murata)、Toshiba、Qorvo
地域別セグメントは次の地域・国をカバーします。
・北米（米国、カナダ、メキシコ）
・ヨーロッパ（ドイツ、フランス、イギリス、ロシア、イタリア）
・アジア太平洋（日本、中国、韓国、インド、東南アジア、オーストラリア）
・南アメリカ（ブラジル、アルゼンチン、コロンビア）
・中東およびアフリカ（サウジアラビア、UAE、エジプト、南アフリカ）
本調査レポートの内容は計15章あります。
・第1章では、GaN電界効果トランジスタ製品の調査範囲、市場の概要、市場の成長要因・阻害要因、および市場動向について説明します。
・第2章では、主要なGaN電界効果トランジスタメーカーの企業概要、2019年～2022年までのGaN電界効果トランジスタの価格、販売量、売上、市場シェアを掲載しています。
・第3章では、主要なGaN電界効果トランジスタメーカーの競争状況、販売量、売上、世界市場シェアが重点的に比較分析されています。
・第4章では、2017年～2028年までの地域別GaN電界効果トランジスタの販売量、売上、成長性を示しています。
・第5、6章では、2017年～2028年までのGaN電界効果トランジスタの種類別と用途別の市場規模、市場シェアと成長率を掲載しています。
・第7、8、9、10、11章では、2017年～2022年までの世界の主要国での販売量、売上、市場シェア、並びに2023年～2028年までの主要地域でのGaN電界効果トランジスタ市場予測を収録しています。
・第12章では、主要な原材料、主要なサプライヤー、およびGaN電界効果トランジスタの産業チェーンを掲載しています。
・第13、14、15章では、GaN電界効果トランジスタの販売チャネル、販売業者、顧客、調査結果と結論、付録、データソースなどについて説明します。
***** 目次(一部) *****
・市場概要
- GaN電界効果トランジスタの概要
- 種類別分析（2017年vs2021年vs2028年）：HFET、MODFET、その他
- 用途別分析（2017年vs2021年vs2028年）：家電、自動車、通信、充電機器、その他
- 世界のGaN電界効果トランジスタ市場規模・予測
- 世界のGaN電界効果トランジスタ生産能力分析
- 市場の成長要因・阻害要因・動向
・メーカー情報（企業概要、製品概要、販売量、価格、売上）
- Infineon Technologies、Texas Instruments、Nexperia、Renesas Electronics、NXP、Transphorm、Panasonic Electronic、GaN Systems、EPC、pSemi (Murata)、Toshiba、Qorvo
・メーカー別市場シェア・市場集中度
・地域別市場分析2017年-2028年
・種類別分析2017年-2028年：HFET、MODFET、その他
・用途別分析2017年-2028年：家電、自動車、通信、充電機器、その他
・GaN電界効果トランジスタの北米市場
- 種類別市場規模2017年-2028年
- 用途別市場規模2017年-2028年
- 主要国別市場規模：アメリカ、カナダ、メキシコなど
・GaN電界効果トランジスタのヨーロッパ市場
- 種類別市場規模2017年-2028年
- 用途別市場規模2017年-2028年
- 主要国別市場規模：ドイツ、イギリス、フランス、ロシア、イタリアなど
・GaN電界効果トランジスタのアジア市場
- 種類別市場規模2017年-2028年
- 用途別市場規模2017年-2028年
- 主要国別市場規模：中国、日本、韓国、インド、東南アジア、オーストラリアなど
・GaN電界効果トランジスタの南米市場
- 種類別市場規模2017年-2028年
- 用途別市場規模2017年-2028年
- 主要国別市場規模：ブラジル、アルゼンチンなど
・GaN電界効果トランジスタの中東・アフリカ市場
- 種類別市場規模2017年-2028年
- 用途別市場規模2017年-2028年
- 主要国別市場規模：サウジアラビア、トルコ、エジプト、南アフリカなど
・原材料および産業チェーン
・販売チャネル、流通業者・代理店、顧客リスト
・調査の結果・結論 |
GaN電界効果トランジスタ市場レポートは、世界市場規模、地域および国レベルの市場規模、セグメンテーション市場の成長、市場シェア、競合状況、売上分析、国内および世界の市場プレーヤーの影響、バリューチェーンの最適化、貿易規制、最近の動向、機会分析、戦略的市場成長分析、製品投入、地域市場の拡大、技術革新などについて詳細な分析を提供しています。
当社（Global Info Research）の最新調査によると、COVID-19パンデミックの影響により、世界のGaN電界効果トランジスタ市場規模は2021年に100万米ドルに達すると推定され、2022年から2028年の予測期間中に%のCAGRで成長し、2028年には100万米ドルに達すると予測されています。2021年のGaN電界効果トランジスタ世界市場の%を占める民生用電子機器は、2028年には100万米ドルに達すると予測され、今後6年間で%のCAGRで成長します。 HFETセグメントは、2022年から2028年にかけて%のCAGRで成長すると予測されています。
GaN電界効果トランジスタの世界的主要メーカーには、インフィニオンテクノロジーズ、テキサスインスツルメンツ、ネクスペリア、ルネサス エレクトロニクス、NXPなどが挙げられます。売上高で見ると、世界上位4社は2021年に%を超えるシェアを占めています。
市場セグメンテーション
GaN電界効果トランジスタ市場は、タイプ別および用途別に区分されています。2017年から2028年までのセグメント間の成長率は、タイプ別および用途別の売上高を数量と金額の観点から正確に計算および予測します。この分析は、適格なニッチ市場をターゲットにすることで、事業拡大に役立ちます。
タイプ別市場セグメント：
HFET
MODFET
その他
アプリケーション別市場セグメントは、以下の通りです。
民生用電子機器
自動車
通信
充電機器
その他
世界のGaN電界効果トランジスタ市場における主要プレーヤーは以下の通りです。
インフィニオン テクノロジーズ
テキサス インスツルメンツ
ネクスペリア
ルネサス エレクトロニクス
NXP
トランスフォーム
パナソニック エレクトロニクス
GaNシステムズ
EPC
pSemi（村田製作所）
東芝
Qorvo
地域別市場セグメント：地域分析の対象地域：
北米（米国、カナダ、メキシコ）
欧州（ドイツ、フランス、英国、ロシア、イタリア、その他ヨーロッパ）
アジア太平洋（中国、日本、韓国、インド、東南アジア、オーストラリア）
南米（ブラジル、アルゼンチン、コロンビア、その他南米）
中東およびアフリカ（サウジアラビア、UAE、 （エジプト、南アフリカ、その他の中東・アフリカ）
調査対象は全15章で構成されています。
第1章：GaN電界効果トランジスタの製品範囲、市場概要、市場機会、市場牽引力、市場リスクについて解説します。
第2章：GaN電界効果トランジスタの主要メーカーの概要、価格、売上高、収益、および2019年から2022年までのGaN電界効果トランジスタの世界市場シェア。
第3章：GaN電界効果トランジスタの競争状況、主要メーカーの売上高、収益、および世界市場シェアを、市場環境比較に基づき重点的に分析します。
第4章では、GaN電界効果トランジスタの地域別内訳データを示し、2017年から2028年までの地域別の売上高、収益、成長率を示します。
第5章と第6章では、2017年から2028年までのタイプ別および用途別の売上高、市場シェア、成長率をタイプ別、用途別にセグメント化します。
第7章、第8章、第9章、第10章、第11章では、2017年から2022年までの世界の主要国の国別売上高、収益、市場シェアを国別に内訳します。また、2023年から2028年までの地域別、タイプ別、用途別の売上高と収益を含むGaN電界効果トランジスタ市場予測を示します。
第12章では、GaN電界効果トランジスタの主要原材料、主要サプライヤー、および業界チェーンについて説明します。
第 13 章、第 14 章、および第 15 章では、GaN 電界効果トランジスタの販売チャネル、販売代理店、顧客、調査結果と結論、付録、およびデータ ソースについて説明します。
1 市場概要
1.1 GaN電界効果トランジスタの概要
1.2 タイプ別市場分析
1.2.1 概要：GaN電界効果トランジスタの世界市場（タイプ別）：2017年、2021年、2028年
1.2.2 HFET
1.2.3 MODFET
1.2.4 その他
1.3 用途別市場分析
1.3.1 概要：GaN電界効果トランジスタの世界市場（用途別）：2017年、2021年、2028年
1.3.2 コンシューマーエレクトロニクス
1.3.3 自動車
1.3.4 通信
1.3.5 充電装置
1.3.6 その他
1.4 世界のGaN電界効果トランジスタ市場規模と予測
1.4.1 世界のGaN電界効果トランジスタ（FET）の売上高（2017年、2021年、2028年）
1.4.2 世界のGaN電界効果トランジスタ（FET）の売上高（2017～2028年）
1.4.3 世界のGaN電界効果トランジスタ（FET）の価格（2017～2028年）
1.5 世界のGaN電界効果トランジスタ（FET）の生産能力分析
1.5.1 世界のGaN電界効果トランジスタ（FET）の総生産能力（2017～2028年）
1.5.2 世界のGaN電界効果トランジスタ（FET）の地域別生産能力
1.6 市場の推進要因、抑制要因、およびトレンド
1.6.1 GaN電界効果トランジスタ市場の推進要因
1.6.2 GaN電界効果トランジスタ市場の抑制要因
1.6.3 GaN電界効果トランジスタのトレンド分析
2 メーカープロファイル
2.1 インフィニオン テクノロジーズ
2.1.1 インフィニオン テクノロジーズの詳細
2.1.2 インフィニオン テクノロジーズの主要事業
2.1.3 インフィニオン テクノロジーズの GaN 電界効果トランジスタ製品およびサービス
2.1.4 インフィニオン テクノロジーズの GaN 電界効果トランジスタの売上高、価格、売上高、粗利益率、市場シェア（2019年、2020年、2021年、2022年）
2.2 テキサス インスツルメンツ
2.2.1 テキサス インスツルメンツの詳細
2.2.2 テキサス インスツルメンツの主要事業
2.2.3 テキサス インスツルメンツの GaN 電界効果トランジスタ製品およびサービス
2.2.4 テキサス インスツルメンツの GaN 電界効果トランジスタの売上高、価格、売上高、粗利益率、市場シェア（2019年、2020年、2021年、2022年）
2.3 Nexperia
2.3.1 Nexperiaの詳細
2.3.2 Nexperiaの主要事業
2.3.3 Nexperia GaN電界効果トランジスタ製品およびサービス
2.3.4 Nexperia GaN電界効果トランジスタの売上高、価格、売上高、粗利益率、市場シェア（2019年、2020年、2021年、2022年）
2.4 ルネサス エレクトロニクス
2.4.1 ルネサス エレクトロニクスの詳細
2.4.2 ルネサス エレクトロニクスの主要事業
2.4.3 ルネサス エレクトロニクスのGaN電界効果トランジスタ製品およびサービス
2.4.4 ルネサス エレクトロニクスのGaN電界効果トランジスタの売上高、価格、売上高、粗利益率、市場シェア（2019年、2020年、2021年、2022年）
2.5 NXP
2.5.1 NXPの詳細
2.5.2 NXPの主要事業
2.5.3 NXP GaN電界効果トランジスタ製品およびサービス
2.5.4 NXP GaN電界効果トランジスタの売上高、価格、売上高、粗利益率、市場シェア（2019年、2020年、2021年、2022年）
2.6 Transphorm
2.6.1 Transphormの詳細
2.6.2 Transphormの主要事業
2.6.3 Transphorm GaN電界効果トランジスタ製品およびサービス
2.6.4 Transphorm GaN電界効果トランジスタの売上高、価格、売上高、粗利益率、市場シェア（2019年、2020年、2021年、2022年）
2.7 パナソニック エレクトロニクス
2.7.1 パナソニック エレクトロニクスの詳細
2.7.2 パナソニック エレクトロニクス 主要事業
2.7.3 パナソニック エレクトロニクス GaN 電界効果トランジスタ 製品およびサービス
2.7.4 パナソニック エレクトロニクス GaN 電界効果トランジスタ 売上高、価格、売上高、粗利益率、市場シェア（2019年、2020年、2021年、2022年）
2.8 GaN システム
2.8.1 GaN システムの詳細
2.8.2 GaN システム 主要事業
2.8.3 GaN システム GaN 電界効果トランジスタ 製品およびサービス
2.8.4 GaN システム GaN 電界効果トランジスタ 売上高、価格、売上高、粗利益率、市場シェア（2019年、2020年、2021年、2022年）
2.9 EPC（設計・製造・販売・調達・調達）
2.9.1 EPCの詳細
2.9.2 EPC 主要事業
2.9.3 EPC GaN電界効果トランジスタ 製品およびサービス
2.9.4 EPC GaN電界効果トランジスタ 売上高、価格、売上高、粗利益率、市場シェア（2019年、2020年、2021年、2022年）
2.10 pSemi（村田製作所）
2.10.1 pSemi（村田製作所）の詳細
2.10.2 pSemi（村田製作所）の主要事業
2.10.3 pSemi（村田製作所） GaN電界効果トランジスタ 製品およびサービス
2.10.4 pSemi（村田製作所） GaN電界効果トランジスタ 売上高、価格、売上高、粗利益率、市場シェア（2019年、2020年、2021年、2022年）
2.11 東芝
2.11.1 東芝の詳細
2.11.2 東芝の主要事業
2.11.3 東芝のGaN電界効果トランジスタ製品およびサービス
2.11.4 東芝のGaN電界効果トランジスタの売上高、価格、売上高、粗利益率、市場シェア（2019年、2020年、2021年、2022年）
2.12 Qorvo
2.12.1 Qorvoの詳細
2.12.2 Qorvoの主要事業
2.12.3 QorvoのGaN電界効果トランジスタ製品およびサービス
2.12.4 QorvoのGaN電界効果トランジスタの売上高、価格、売上高、粗利益率、市場シェア（2019年、2020年、2021年、2022年）
3 GaN電界効果トランジスタのメーカー別内訳データ
3.1 世界のGaN電界効果トランジスタメーカー別トランジスタ販売数量（2019年、2020年、2021年、2022年）
3.2 世界のGaN電界効果トランジスタ売上高（メーカー別）（2019年、2020年、2021年、2022年）
3.3 GaN電界効果トランジスタにおける主要メーカーの市場ポジション
3.4 市場集中度
3.4.1 2021年のGaN電界効果トランジスタメーカー上位3社の市場シェア
3.4.2 2021年のGaN電界効果トランジスタメーカー上位6社の市場シェア
3.5 企業別世界のGaN電界効果トランジスタ生産能力：2021年 vs 2022年
3.6 地域別メーカー：本社およびGaN電界効果トランジスタ生産拠点
3.7 新規参入企業および生産能力拡大計画
3.8 合併買収
4 地域別市場分析
4.1 世界のGaN電界効果トランジスタ市場規模（地域別）
4.1.1 世界のGaN電界効果トランジスタ販売数量（地域別）（2017～2028年）
4.1.2 世界のGaN電界効果トランジスタ売上高（地域別）（2017～2028年）
4.2 北米におけるGaN電界効果トランジスタ売上高（2017～2028年）
4.3 欧州におけるGaN電界効果トランジスタ売上高（2017～2028年）
4.4 アジア太平洋地域におけるGaN電界効果トランジスタ売上高（2017～2028年）
4.5 南米におけるGaN電界効果トランジスタ売上高（2017～2028年）
4.6 中東およびアフリカにおけるGaN電界効果トランジスタ売上高(2017-2028)
5 市場セグメント（タイプ別）
5.1 世界のGaN電界効果トランジスタの販売数量（タイプ別）（2017-2028）
5.2 世界のGaN電界効果トランジスタの売上高（タイプ別）（2017-2028）
5.3 世界のGaN電界効果トランジスタの価格（タイプ別）（2017-2028）
6 市場セグメント（用途別）
6.1 世界のGaN電界効果トランジスタの販売数量（用途別）（2017-2028）
6.2 世界のGaN電界効果トランジスタの売上高（用途別）（2017-2028）
6.3 世界のGaN電界効果トランジスタの価格（用途別）（2017-2028）
7 北米（国別、タイプ別、用途別）
7.1 北米におけるGaN電界効果トランジスタの販売数量（用途別）タイプ別（2017～2028年）
7.2 北米におけるGaN電界効果トランジスタのアプリケーション別売上（2017～2028年）
7.3 北米におけるGaN電界効果トランジスタの国別市場規模
7.3.1 北米におけるGaN電界効果トランジスタの国別売上数量（2017～2028年）
7.3.2 北米におけるGaN電界効果トランジスタの国別売上高（2017～2028年）
7.3.3 米国の市場規模と予測（2017～2028年）
7.3.4 カナダの市場規模と予測（2017～2028年）
7.3.5 メキシコの市場規模と予測（2017～2028年）
8 ヨーロッパ：国別、タイプ別、アプリケーション別
8.1 ヨーロッパにおけるGaN電界効果トランジスタの国別売上(2017-2028)
8.2 欧州におけるGaN電界効果トランジスタの用途別売上（2017-2028）
8.3 欧州におけるGaN電界効果トランジスタの国別市場規模
8.3.1 欧州におけるGaN電界効果トランジスタの国別販売数量（2017-2028）
8.3.2 欧州におけるGaN電界効果トランジスタの国別売上高（2017-2028）
8.3.3 ドイツ市場規模と予測（2017-2028）
8.3.4 フランス市場規模と予測（2017-2028）
8.3.5 英国市場規模と予測（2017-2028）
8.3.6 ロシア市場規模と予測（2017-2028）
8.3.7 イタリア市場規模と予測(2017-2028)
9 アジア太平洋地域：地域別、タイプ別、アプリケーション別
9.1 アジア太平洋地域におけるGaN電界効果トランジスタ（タイプ別）売上高（2017-2028）
9.2 アジア太平洋地域におけるGaN電界効果トランジスタ（アプリケーション別）売上高（2017-2028）
9.3 アジア太平洋地域におけるGaN電界効果トランジスタ市場規模（地域別）
9.3.1 アジア太平洋地域におけるGaN電界効果トランジスタ（地域別）売上高（数量ベース）（2017-2028）
9.3.2 アジア太平洋地域におけるGaN電界効果トランジスタ（地域別）売上高（2017-2028）
9.3.3 中国市場規模と予測（2017-2028）
9.3.4 日本市場規模と予測（2017-2028）
9.3.5 韓国市場規模と予測 (2017～2028年)
9.3.6 インド市場規模と予測 (2017～2028年)
9.3.7 東南アジア市場規模と予測 (2017～2028年)
9.3.8 オーストラリア市場規模と予測 (2017～2028年)
10 南米：地域別、タイプ別、用途別
10.1 南米におけるGaN電界効果トランジスタの販売数量（タイプ別）（2017～2028年）
10.2 南米におけるGaN電界効果トランジスタの販売数量（用途別）（2017～2028年）
10.3 南米におけるGaN電界効果トランジスタの市場規模（国別）
10.3.1 南米におけるGaN電界効果トランジスタの販売数量（国別）（2017～2028年）
10.3.2 南米 GaN 電界効果トランジスタ 国別売上高 (2017～2028年)
10.3.3 ブラジル市場規模と予測 (2017～2028年)
10.3.4 アルゼンチン市場規模と予測 (2017～2028年)
11 中東・アフリカ 国別、タイプ別、用途別
11.1 中東・アフリカ GaN 電界効果トランジスタ 種類別売上高 (2017～2028年)
11.2 中東・アフリカ GaN 電界効果トランジスタ 用途別売上高 (2017～2028年)
11.3 中東・アフリカ GaN 電界効果トランジスタ 国別市場規模
11.3.1 中東・アフリカ GaN 電界効果トランジスタ 国別販売数量 (2017～2028年)
11.3.2 中東・アフリカGaN電界効果トランジスタの国別売上高（2017～2028年）
11.3.3 トルコの市場規模と予測（2017～2028年）
11.3.4 エジプトの市場規模と予測（2017～2028年）
11.3.5 サウジアラビアの市場規模と予測（2017～2028年）
11.3.6 南アフリカの市場規模と予測（2017～2028年）
12 原材料と産業チェーン
12.1 GaN電界効果トランジスタの原材料と主要メーカー
12.2 GaN電界効果トランジスタの製造コスト比率
12.3 GaN電界効果トランジスタの製造プロセス
12.4 GaN電界効果トランジスタの産業チェーン
13 販売チャネル、販売代理店、トレーダー、ディーラー
13.1 販売チャネル
13.1.1 直接販売
13.1.2 間接販売
13.2 GaN FET の代表的な販売代理店
13.3 GaN FET の代表的な顧客
14 調査結果と結論
15 付録
15.1 調査方法
15.2 調査プロセスとデータソース
15.3 免責事項
❖ 免責事項 ❖http://www.globalresearch.jp/disclaimer
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