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世界の窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）市場インサイト・予測（Pチャンネル型MOS、Nチャンネル型MOS）

◆英語タイトル：Global Gallium Nitride Junction Field-effect Transistors(GaN JFETs) Market Insights, Forecast to 2028
	◆商品コード：QY22JL1735 ◆発行会社（リサーチ会社）：QYResearch ◆発行日：2022年7月（※2026年版があります。お問い合わせください。） ◆ページ数：129 ◆レポート形式：英語 / PDF ◆納品方法：Eメール（受注後3営業日） ◆調査対象地域：グローバル ◆産業分野：電子＆半導体

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※上記の日本語題名はH&Iグローバルリサーチが翻訳したものです。英語版原本には日本語表記はありません。
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❖ レポートの概要 ❖

窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）は、高性能であり、さまざまな用途に利用される次世代の半導体デバイスです。GaNは、広帯域ギャップ半導体の一種であり、高電圧および高温動作に優れています。そのため、GaN JFETは、特にパワーエレクトロニクスや高周波アプリケーションで注目されています。本稿では、GaN JFETの定義、特徴、種類、用途、そして関連技術について詳述いたします。

GaN JFETは、接合型電界効果トランジスタの一種であり、主に負ドープされたGaN層と基材であるGaNまたは他の半導体材料から構成されます。JFETは、ゲート電圧によってチャネル内のキャリア濃度を調整し、電流の流れを制御する特性を持っています。これにより、スイッチング素子や増幅素子として機能することが可能です。

GaN JFETの最大の特徴は、その高い電力密度と高効率です。具体的には、GaNは高い電子移動度を持ち、広帯域ギャップによって高温や高電圧でも動作が可能です。これにより、デバイスは小型化され、より軽量なシステム設計が実現します。また、GaNの特性を活かすことで、スイッチング周波数が高く、低損失な動作が可能になるため、エネルギー効率が向上します。

GaN JFETには、主に二つの種類があります。一つは、自己バイアス型GaN JFETであり、こちらはその名称が示す通り、自己バイアスによって動作することが特徴です。このタイプは、通常動作において複雑なバイアス回路を必要としないため、シンプルな回路構成が可能となります。もう一つは、外部バイアス型GaN JFETです。こちらは外部からのバイアスを利用して動作し、より広範な操作領域を持ちますが、回路設計が複雑になる可能性があります。

GaN JFETの主な用途としては、通信機器、電源供給装置、電気自動車、再生可能エネルギーシステム、無線機器、高周波数増幅器などが挙げられます。特に電力エレクトロニクスの分野では、その高効率な特性から、従来のシリコンベースのデバイスに取って代わる存在となっています。例えば、DC-DCコンバータやインバータなどの設計において、GaN JFETを使用することにより、体積を削減しつつエネルギー損失を大幅に低減することができます。

関連技術としては、GaN JFETの製造技術やパッケージング技術があります。GaNデバイスの製造には、化学気相成長（CVD）や分子線エpitaxy（MBE）といった技術が採用されており、これらの技術により、薄膜の品質やデバイスのパフォーマンスが向上します。また、GaN JFETを小型化・高集積化するためのパッケージ技術の進化も進んでおり、高熱伝導性のパッケージ材料や冷却技術が開発されています。

加えて、GaN JFETは、次世代のテレコミュニケーション技術や、5Gなどの超高速通信システムにおいても重要な役割を果たしています。これらのシステムでは、高周波数での動作が求められ、GaN JFETの優れた高周波特性が生かされています。また、宇宙産業や医療機器向けの高耐環境デバイスとしても期待が寄せられています。

さらに、GaN JFETは、他の半導体デバイスや材料と組み合わせることで、さらなる機能性を持たせることが可能です。例えば、SiC（シリコンカーバイド）とのハイブリッドシステムや、GaNと他の広帯域ギャップ半導体の統合が進んでおり、新たなデバイスの設計が行われています。

総じて、窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）は、高効率かつ高性能な電力制御デバイスとして、今後ますます重要な役割を果たすことが期待されています。その特性を活かした新しい技術の進展が、私たちの生活や産業に革新をもたらすことでしょう。今後の技術開発に注目が集まる中で、GaN JFETがどのように進化し、さらなる応用が広がっていくのかを見守ることが重要です。

COVID-19のパンデミックにより、窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）のグローバル市場規模は2022年にUS$xxxと推定され、調査期間中のCAGRはxxx％で、2028年までに再調整された規模はUS$xxxになると予測されています。この医療危機による経済変化を十分に考慮すると、2021年に窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の世界市場のxxx％を占める「Pチャンネル型MOS」タイプは、2028年までにUS$xxxの規模になり、パンデミック後の修正xxx％CAGRで成長すると予測されています。一方、「抵抗」セグメントは、この予測期間を通じてxxx％のCAGRに変更されます。
窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の中国市場規模は2021年にUS$xxxと分析されており、米国とヨーロッパの市場規模はそれぞれUS$xxxとUS$xxxです。米国の割合は2021年にxxx％であり、中国とヨーロッパはそれぞれxxx％とxxx％です。中国の割合は2028年にxxx％に達し、対象期間を通じてxxx％のCAGRを記録すると予測されています。日本、韓国、東南アジアはアジアで注目市場であり、今後6年間のCAGRはそれぞれxxx％、xxx％、xxx％になる見通しです。ヨーロッパの窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）市場については、ドイツは2028年までにUS$xxxに達すると予測されており、予測期間中のCAGRはxxx％になる見通しです。

窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）のグローバル主要企業には、Nexperia、Renesas Electronics、Infineon Technologies、Transphorm、Panasonic Electronic、GaN Systems、Efficient Power Conversion Corporation、San'an Optoelectronics、Solid State Devices、Texas Instruments、Qorvo、pSemi Corporation、Toshiba Infrastructure Systems & Solutions Corporation、Alpha and Omega Semiconductor、NTT Advanced Technology Corporation、Tektronix、ON Semiconductor、Advance Compound Semiconductors、ST Microelectronics、Wolfspeedなどがあります。2021年、世界のトップ5プレイヤーは売上ベースで約xxx％の市場シェアを占めています。

窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）市場は、種類と用途によって区分されます。世界の窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）市場のプレーヤー、利害関係者、およびその他の参加者は、当レポートを有益なリソースとして使用することで優位に立つことができます。セグメント分析は、2017年～2028年期間のタイプ別および用途別の販売量、売上、予測に焦点を当てています。

【種類別セグメント】
Pチャンネル型MOS、Nチャンネル型MOS

【用途別セグメント】
抵抗、トランス

【掲載地域】
北米：アメリカ、カナダ
ヨーロッパ：ドイツ、フランス、イギリス、イタリア、ロシア
アジア太平洋：日本、中国、韓国、インド、オーストラリア、台湾、インドネシア、タイ、マレーシア
中南米：メキシコ、ブラジル、アルゼンチン
中東・アフリカ：トルコ、サウジアラビア、UAE

【目次（一部）】

・調査の範囲
- 窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）製品概要
- 種類別市場（Pチャンネル型MOS、Nチャンネル型MOS）
- 用途別市場（抵抗、トランス）
- 調査の目的
・エグゼクティブサマリー
- 世界の窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）販売量予測2017-2028
- 世界の窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）売上予測2017-2028
- 窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の地域別販売量
- 窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の地域別売上
- 北米市場
- ヨーロッパ市場
- アジア太平洋市場
- 中南米市場
- 中東・アフリカ市場
・メーカーの競争状況
- 主要メーカー別窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）販売量
- 主要メーカー別窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）売上
- 主要メーカー別窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）価格
- 競争状況の分析
- 企業M&A動向
・種類別市場規模（Pチャンネル型MOS、Nチャンネル型MOS）
- 窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の種類別販売量
- 窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の種類別売上
- 窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の種類別価格
・用途別市場規模（抵抗、トランス）
- 窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の用途別販売量
- 窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の用途別売上
- 窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の用途別価格
・北米市場
- 北米の窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）市場規模（種類別、用途別）
- 主要国別の窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）市場規模（アメリカ、カナダ）
・ヨーロッパ市場
- ヨーロッパの窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）市場規模（種類別、用途別）
- 主要国別の窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）市場規模（ドイツ、フランス、イギリス、イタリア、ロシア）
・アジア太平洋市場
- アジア太平洋の窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）市場規模（種類別、用途別）
- 主要国別の窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）市場規模（日本、中国、韓国、インド、オーストラリア、台湾、インドネシア、タイ、マレーシア）
・中南米市場
- 中南米の窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）市場規模（種類別、用途別）
- 主要国別の窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）市場規模（メキシコ、ブラジル、アルゼンチン）
・中東・アフリカ市場
- 中東・アフリカの窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）市場規模（種類別、用途別）
- 主要国別の窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）市場規模（トルコ、サウジアラビア）
・企業情報
Nexperia、Renesas Electronics、Infineon Technologies、Transphorm、Panasonic Electronic、GaN Systems、Efficient Power Conversion Corporation、San'an Optoelectronics、Solid State Devices、Texas Instruments、Qorvo、pSemi Corporation、Toshiba Infrastructure Systems & Solutions Corporation、Alpha and Omega Semiconductor、NTT Advanced Technology Corporation、Tektronix、ON Semiconductor、Advance Compound Semiconductors、ST Microelectronics、Wolfspeed
・産業チェーン及び販売チャネル分析
- 窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の産業チェーン分析
- 窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の原材料
- 窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の生産プロセス
- 窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の販売及びマーケティング
- 窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の主要顧客
・マーケットドライバー、機会、課題、リスク要因分析
- 窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の産業動向
- 窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）のマーケットドライバー
- 窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の課題
- 窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の阻害要因
・主な調査結果

接合ゲート電界効果トランジスタ（JFET）は、最もシンプルなタイプの電界効果トランジスタの1つです。JFETは3端子半導体デバイスであり、電子制御スイッチや抵抗器として、あるいは増幅器の構築に使用できます。
市場分析と考察：世界の窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）市場

COVID-19パンデミックの影響により、世界の窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）市場規模は2022年に100万米ドルに達すると推定され、2022年から2028年の予測期間中に%のCAGRで成長し、2028年には100万米ドルに達すると予測されています。この健康危機による経済変動を十分に考慮すると、2021年の窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）世界市場の%を占めるPチャネル型MOSトランジスタは、2028年には百万米ドル規模に達すると予測され、2022年から2028年にかけて修正された%のCAGRで成長すると予測されます。一方、抵抗セグメントは、この予測期間を通じて%のCAGRで成長します。

中国の窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）市場規模は2021年に百万米ドルと評価されています。一方、米国と欧州の窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）市場規模はそれぞれ百万米ドルと百万米ドルです。 2021年の米国市場シェアは%、中国市場と欧州市場はそれぞれ%と%です。中国市場シェアは2028年に%に達し、2022年から2028年の分析期間を通じて%のCAGRで推移すると予測されています。日本、韓国、東南アジアはアジアにおける注目すべき市場であり、今後6年間でそれぞれ%、%、%のCAGRで推移すると見込まれています。欧州における窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）市場については、ドイツは2022年から2028年の予測期間を通じて%のCAGRで推移し、2028年には100万米ドルに達すると予測されています。

窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の世界主要メーカーには、Nexperia、ルネサスエレクトロニクス、インフィニオンテクノロジーズ、Transphorm、パナソニックエレクトロニクス、GaN Systems、Efficient Power Conversion Corporation、San’an Optoelectronics and Solid State Devicesなどが含まれます。2021年、世界上位5社の売上高シェアは約%です。

生産面では、本レポートは、2017年から2022年までの窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の生産能力、生産量、成長率、メーカー別および地域（地域レベルおよび国レベル）別の市場シェア、そして2028年までの予測を調査しています。

販売面では、本レポートは、地域（地域レベルおよび国レベル）、企業別、タイプ別、アプリケーション別の窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の販売に焦点を当てています。 2017年から2022年までの市場規模と2028年までの予測。

世界の窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）市場の範囲とセグメント

窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）市場は、タイプ別および用途別にセグメント化されています。世界の窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）市場におけるプレーヤー、ステークホルダー、その他の関係者は、このレポートを強力なリソースとして活用することで、市場における優位性を獲得することができます。セグメント分析は、2017年から2028年までの期間におけるタイプ別および用途別の生産能力、収益、および予測に焦点を当てています。

タイプ別セグメント

Pチャネル型MOSトランジスタ

Nチャネル型MOSトランジスタ

用途別セグメント

抵抗

トランス

企業別セグメント

Nexperia

ルネサスエレクトロニクス

インフィニオンテクノロジーズ

Transphorm

パナソニックエレクトロニクス

GaNシステムズ

Efficient Power Conversion Corporation

San’an Optoelectronics

Solid State Devices

テキサス・インスツルメンツ

Qorvo

pSemi Corporation

東芝インフラシステムズ株式会社

Alpha and Omega Semiconductor

NTTアドバンステクノロジ株式会社

Tektronix

ON Semiconductor

Advance Compound Semiconductors

STマイクロエレクトロニクス

Wolfspeed

地域別生産量

北米

欧州

中国

日本

韓国

地域別消費量

北米

米国

カナダ

欧州

ドイツ

フランス

英国

イタリア

ロシア

アジア太平洋地域

中国

日本

韓国

インド

オーストラリア

中国・台湾

インドネシア

タイ

マレーシア

ラテンアメリカ

メキシコ

ブラジル

アルゼンチン

コロンビア

中東・アフリカ

トルコ

サウジアラビア

UAE

❖ レポートの目次 ❖

1 調査対象範囲

1.1 窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）製品概要

1.2 市場タイプ別

1.2.1 窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の世界市場規模（タイプ別）、2017年、2021年、2028年

1.2.2 Pチャネル型MOSトランジスタ

1.2.3 Nチャネル型MOSトランジスタ

1.3 用途別市場

1.3.1 窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の世界市場規模（用途別）、2017年、2021年、2028年

1.3.2 抵抗

1.3.3 トランス

1.4 調査目的

1.5 調査対象年

2 窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタの世界市場トランジスタ（GaN JFET）生産

2.1 世界の窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）生産能力（2017～2028年）

2.2 世界の窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）生産量（地域別）：2017年 vs. 2021年 vs. 2028年

2.3 世界の窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）生産量（地域別）

2.3.1 世界の窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）生産量（地域別）の推移（2017～2022年）

2.3.2 世界の窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）生産量（地域別）の予測（2023～2028年）

2.4 北米

2.5 欧州

2.6 中国

2.7 日本

2.8 韓国

3 世界の窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）販売数量・金額の推定と予測

3.1 世界の窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）販売数量の推定と予測 2017～2028年

3.2 世界の窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）売上高の推定と予測 2017～2028年

3.3 世界の窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）売上高（地域別）：2017年 vs. 2021年 vs. 2028年

3.4 世界の窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）売上高（地域別）

3.4.1 世界の窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN地域別GaN接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）売上高（2017～2022年）

3.4.2 地域別GaN接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）売上高（2023～2028年）

3.5 地域別GaN接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）売上高

3.5.1 地域別GaN接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）売上高（2017～2022年）

3.5.2 地域別GaN接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）売上高（2023～2028年）

3.6 北米

3.7 欧州

3.8 アジア太平洋地域

3.9 中南米

3.10 中東・アフリカ

4 メーカー別競争状況

4.1 世界のGaN窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）のメーカー別生産能力

4.2 世界の窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）売上高（メーカー別）

4.2.1 世界の窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）売上高（メーカー別）（2017～2022年）

4.2.2 世界の窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）売上高市場シェア（メーカー別）（2017～2022年）

4.2.3 2021年の世界窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）メーカー上位10社および上位5社

4.3 世界の窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）売上高（メーカー別）

4.3.1 世界の窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）のメーカー別売上高（2017～2022年）

4.3.2 窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の世界市場シェア（メーカー別）（2017～2022年）

4.3.3 窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の売上高上位10社および上位5社（2021年）

4.4 窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の世界市場シェア（メーカー別）

4.5 競争環境分析

4.5.1 メーカー市場集中度（CR5およびHHI）

4.5.2 窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の世界市場シェア（企業タイプ別、ティア1、ティア2、ティア3）

4.5.3 窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の世界市場シェア（ティア1、ティア2、ティア3）電界効果トランジスタ（GaN JFET）メーカーの地理的分布

4.6 合併・買収、事業拡大計画

5 市場規模（タイプ別）

5.1 窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の世界売上高（タイプ別）

5.1.1 窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の世界売上高（タイプ別）の推移（2017～2022年）

5.1.2 窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の世界売上高予測（タイプ別）（2023～2028年）

5.1.3 窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の世界売上高（タイプ別）市場シェア（2017～2028年）

5.2 窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の世界売上高（タイプ別）

5.2.1 世界の窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の種類別売上高推移（2017～2022年）

5.2.2 世界の窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の種類別売上高予測（2023～2028年）

5.2.3 世界の窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の種類別売上高市場シェア（2017～2028年）

5.3 世界の窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の種類別価格

5.3.1 世界の窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の種類別価格（2017～2022年）

5.3.2 世界の窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の種類別価格予測(2023-2028)

6 用途別市場規模

6.1 窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ(GaN JFET)の世界売上高（用途別）

6.1.1 窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ(GaN JFET)の世界売上高（用途別）の推移 (2017-2022)

6.1.2 窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ(GaN JFET)の世界売上高（用途別）の予測 (2023-2028)

6.1.3 窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ(GaN JFET)の世界売上高市場シェア（用途別） (2017-2028)

6.2 窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ(GaN JFET)の世界売上高（用途別）

6.2.1 窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ(GaN JFET)の世界売上高（用途別）の推移(2017-2022)

6.2.2 世界の窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ(GaN JFET) の用途別売上高予測 (2023-2028)

6.2.3 世界の窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ(GaN JFET) の用途別売上高市場シェア (2017-2028)

6.3 世界の窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ(GaN JFET) の用途別価格

6.3.1 世界の窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ(GaN JFET) の用途別価格 (2017-2022)

6.3.2 世界の窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ(GaN JFET) の用途別価格予測 (2023-2028)

7 北米

7.1 北米窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタトランジスタ（GaN JFET）市場規模（タイプ別）

7.1.1 北米における窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）売上高（タイプ別）（2017～2028年）

7.1.2 北米における窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）売上高（タイプ別）（2017～2028年）

7.2 北米における窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）市場規模（用途別）

7.2.1 北米における窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）売上高（用途別）（2017～2028年）

7.2.2 北米における窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）売上高（用途別）（2017～2028年）

7.3 北米における窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN国別GaN JFET売上高

7.3.1 北米におけるGaN接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の国別売上高（2017～2028年）

7.3.2 北米におけるGaN接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の国別売上高（2017～2028年）

7.3.3 米国

7.3.4 カナダ

8 ヨーロッパ

8.1 ヨーロッパにおけるGaN接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）市場規模（タイプ別）

8.1.1 ヨーロッパにおけるGaN接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の国別売上高（2017～2028年）

8.1.2 ヨーロッパにおけるGaN接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の国別売上高（2017～2028年）

8.2 ヨーロッパにおけるGaN窒化物接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）市場規模（用途別）

8.2.1 欧州における窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の用途別売上高（2017～2028年）

8.2.2 欧州における窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の用途別売上高（2017～2028年）

8.3 欧州における窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の国別売上高

8.3.1 欧州における窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の国別売上高（2017～2028年）

8.3.2 欧州における窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の国別売上高（2017～2028年）

8.3.3 ドイツ

8.3.4 フランス

8.3.5 英国

8.3.6 イタリア

8.3.7 ロシア

9 アジア太平洋地域

9.1 アジア太平洋地域窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）市場規模（タイプ別）

9.1.1 アジア太平洋地域窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）売上高（タイプ別）（2017～2028年）

9.1.2 アジア太平洋地域窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）売上高（タイプ別）（2017～2028年）

9.2 アジア太平洋地域窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）市場規模（用途別）

9.2.1 アジア太平洋地域窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）売上高（用途別）（2017～2028年）

9.2.2 アジア太平洋地域窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）トランジスタ（GaN JFET）の用途別売上高（2017～2028年）

9.3 アジア太平洋地域における窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の地域別売上高

9.3.1 アジア太平洋地域における窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の地域別売上高（2017～2028年）

9.3.2 アジア太平洋地域における窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の地域別売上高（2017～2028年）

9.3.3 中国

9.3.4 日本

9.3.5 韓国

9.3.6 インド

9.3.7 オーストラリア

9.3.8 中国・台湾

9.3.9 インドネシア

9.3.10 タイ

9.3.11 マレーシア

10 ラテンアメリカ

10.1 ラテンアメリカ窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）市場規模（タイプ別）

10.1.1 ラテンアメリカにおける窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）売上高（タイプ別）（2017～2028年）

10.1.2 ラテンアメリカにおける窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）売上高（タイプ別）（2017～2028年）

10.2 ラテンアメリカにおける窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）市場規模（用途別）

10.2.1 ラテンアメリカにおける窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）売上高（用途別）（2017～2028年）

10.2.2 ラテンアメリカにおける窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）売上高（用途別）（2017～2028年）

10.3 ラテンアメリカにおけるガリウム窒化物接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の国別売上

10.3.1 ラテンアメリカにおける窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の国別売上（2017～2028年）

10.3.2 ラテンアメリカにおける窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の国別収益（2017～2028年）

10.3.3 メキシコ

10.3.4 ブラジル

10.3.5 アルゼンチン

10.3.6 コロンビア

11 中東およびアフリカ

11.1 中東およびアフリカにおける窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の市場規模（タイプ別）

11.1.1 中東およびアフリカにおける窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の国別売上（2017～2028年）

11.1.2 中東およびアフリカにおける窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ(GaN JFET)の売上高（タイプ別）（2017年～2028年）

11.2 中東およびアフリカにおける窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ(GaN JFET)の市場規模（用途別）

11.2.1 中東およびアフリカにおける窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ(GaN JFET)の売上高（用途別）（2017年～2028年）

11.2.2 中東およびアフリカにおける窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ(GaN JFET)の売上高（用途別）（2017年～2028年）

11.3 中東およびアフリカにおける窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ(GaN JFET)の売上高（国別）

11.3.1 中東およびアフリカにおける窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ(GaN JFET)の売上高（国別） (2017-2028)

11.3.2 中東およびアフリカにおける窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ(GaN JFET)の国別売上高(2017-2028)

11.3.3 トルコ

11.3.4 サウジアラビア

11.3.5 アラブ首長国連邦(UAE)

12 企業概要

12.1 Nexperia

12.1.1 Nexperia 企業情報

12.1.2 Nexperia 概要

12.1.3 Nexperia 窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ(GaN JFET)の売上高、価格、売上高、粗利益率(2017-2022)

12.1.4 Nexperia 窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ(GaN JFET)の製品型番、写真、説明、仕様

12.1.5 Nexperia最近の動向

12.2 ルネサスエレクトロニクス

12.2.1 ルネサスエレクトロニクス株式会社の情報

12.2.2 ルネサスエレクトロニクスの概要

12.2.3 ルネサスエレクトロニクスの窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の売上高、価格、売上高、粗利益率（2017～2022年）

12.2.4 ルネサスエレクトロニクスの窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の製品型番、写真、説明、仕様

12.2.5 ルネサスエレクトロニクスの最近の動向

12.3 インフィニオンテクノロジーズ

12.3.1 インフィニオンテクノロジーズ株式会社の情報

12.3.2 インフィニオンテクノロジーズの概要

12.3.3 インフィニオンテクノロジーズの窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の売上高、価格、売上高、粗利益率粗利益率（2017～2022年）

12.3.4 インフィニオンテクノロジーズ窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）製品型番、写真、説明、仕様

12.3.5 インフィニオンテクノロジーズの最近の開発状況

12.4 トランスフォーム

12.4.1 トランスフォーム株式会社の情報

12.4.2 トランスフォームの概要

12.4.3 トランスフォーム窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）売上高、価格、売上高、粗利益率（2017～2022年）

12.4.4 トランスフォーム窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）製品型番、写真、説明、仕様

12.4.5 トランスフォームの最近の開発状況

12.5 パナソニックエレクトロニクス

12.5.1 パナソニックエレクトロニクス株式会社情報

12.5.2 パナソニックエレクトロニクス概要

12.5.3 パナソニックエレクトロニクス窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の売上高、価格、売上高、粗利益率（2017～2022年）

12.5.4 パナソニックエレクトロニクス窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の製品型番、写真、説明、仕様

12.5.5 パナソニックエレクトロニクスの最新開発状況

12.6 GaNシステムズ

12.6.1 GaNシステムズ株式会社の情報

12.6.2 GaNシステムズ概要

12.6.3 GaNシステムズ窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の売上高、価格、売上高、粗利益率（2017～2022年）

12.6.4 GaNシステムズ窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の製品型番、写真、説明、仕様

12.6.5 GaNシステムの最新開発状況

12.7 Efficient Power Conversion Corporation

12.7.1 Efficient Power Conversion Corporationの会社情報

12.7.2 Efficient Power Conversion Corporationの概要

12.7.3 Efficient Power Conversion Corporationの窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の売上高、価格、売上高、粗利益率（2017～2022年）

12.7.4 Efficient Power Conversion Corporationの窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の製品型番、写真、説明、仕様

12.7.5 Efficient Power Conversion Corporationの最新開発状況

12.8 San’an Optoelectronics

12.8.1 San’an Optoelectronics Corporationの情報

12.8.2 San’anオプトエレクトロニクス概要

12.8.3 三安オプトエレクトロニクス窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の売上高、価格、売上高、粗利益率（2017～2022年）

12.8.4 三安オプトエレクトロニクス窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の製品型番、写真、説明、仕様

12.8.5 三安オプトエレクトロニクスの最新開発状況

12.9 固体デバイス

12.9.1 固体デバイス企業情報

12.9.2 固体デバイス概要

12.9.3 固体デバイス窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の売上高、価格、売上高、粗利益率（2017～2022年）

12.9.4 固体デバイスガリウム窒化物接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）製品型番、写真、説明、仕様

12.9.5 ソリッドステートデバイスの最新開発状況

12.10 テキサス・インスツルメンツ

12.10.1 テキサス・インスツルメンツ社情報

12.10.2 テキサス・インスツルメンツ社概要

12.10.3 テキサス・インスツルメンツ社製窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の売上高、価格、売上高、粗利益率（2017～2022年）

12.10.4 テキサス・インスツルメンツ社製窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）製品型番、写真、説明、仕様

12.10.5 テキサス・インスツルメンツ社製最新開発状況

12.11 Qorvo

12.11.1 Qorvo社情報

12.11.2 Qorvo社概要

12.11.3 Qorvo 窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の売上高、価格、売上高、粗利益率（2017～2022年）

12.11.4 Qorvo 窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の製品型番、写真、説明、仕様

12.11.5 Qorvo の最新開発状況

12.12 pSemi Corporation

12.12.1 pSemi Corporation の企業情報

12.12.2 pSemi Corporation の概要

12.12.3 pSemi Corporation 窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の売上高、価格、売上高、粗利益率（2017～2022年）

12.12.4 pSemi Corporation 窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）製品型番、写真、説明、仕様

12.12.5 pSemi Corporationの最近の開発状況

12.13 東芝インフラシステムズ株式会社

12.13.1 東芝インフラシステムズ株式会社の会社情報

12.13.2 東芝インフラシステムズ株式会社の概要

12.13.3 東芝インフラシステムズ株式会社窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の売上高、価格、売上高、粗利益率（2017～2022年）

12.13.4 東芝インフラシステムズ株式会社窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の製品型番、写真、説明、仕様

12.13.5 東芝インフラシステムズ株式会社の最近の開発状況

12.14 アルファ・アンド・オメガ・セミコンダクター

12.14.1 アルファ・アンド・オメガ・セミコンダクター株式会社情報

12.14.2 アルファ・アンド・オメガ・セミコンダクター概要

12.14.3 アルファ・アンド・オメガ・セミコンダクター窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）売上高、価格、売上高、粗利益率（2017～2022年）

12.14.4 アルファ・アンド・オメガ・セミコンダクター窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）製品型番、写真、説明、仕様

12.14.5 アルファ・アンド・オメガ・セミコンダクターの最新動向

12.15 NTTアドバンステクノロジ株式会社

12.15.1 NTTアドバンステクノロジ株式会社企業情報

12.15.2 NTTアドバンステクノロジ株式会社概要

12.15.3 NTTアドバンステクノロジ株式会社窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）売上高、価格、売上高、粗利益率(2017-2022)

12.15.4 NTTアドバンステクノロジ株式会社窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ(GaN JFET) 製品型番、写真、説明、仕様

12.15.5 NTTアドバンステクノロジ株式会社最近の動向

12.16 テクトロニクス

12.16.1 テクトロニクス株式会社の情報

12.16.2 テクトロニクスの概要

12.16.3 テクトロニクス窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ(GaN JFET) 売上高、価格、売上高、粗利益率 (2017-2022)

12.16.4 テクトロニクス窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ(GaN JFET) 製品型番、写真、説明、仕様

12.16.5 テクトロニクスの記録開発動向

12.17 オン・セミコンダクター

12.17.1 オン・セミコンダクター社情報

12.17.2 オン・セミコンダクター社概要

12.17.3 オン・セミコンダクター社窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の売上高、価格、売上高、粗利益率（2017～2022年）

12.17.4 オン・セミコンダクター社窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の製品型番、写真、説明、仕様

12.17.5 オン・セミコンダクター社の最新開発動向

12.18 アドバンスド・コンパウンド・セミコンダクターズ

12.18.1 アドバンスド・コンパウンド・セミコンダクターズ社情報

12.18.2 アドバンスド・コンパウンド・セミコンダクターズ社概要

12.18.3 アドバンスド・コンパウンド・セミコンダクターズ社窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の売上高、価格、売上高と粗利益率（2017～2022年）

12.18.4 先進化合物半導体窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）製品型番、写真、説明、仕様

12.18.5 先進化合物半導体の最新開発状況

12.19 STマイクロエレクトロニクス

12.19.1 STマイクロエレクトロニクスの企業情報

12.19.2 STマイクロエレクトロニクスの概要

12.19.3 STマイクロエレクトロニクス窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）売上高、価格、売上高、粗利益率（2017～2022年）

12.19.4 STマイクロエレクトロニクス窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）製品型番、写真、説明、仕様

12.19.5 STマイクロエレクトロニクスの最新動向

12.20 Wolfspeed

12.20.1 Wolfspeed Corporationの情報

12.20.2 Wolfspeedの概要

12.20.3 Wolfspeed製窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の売上高、価格、売上高、粗利益率（2017～2022年）

12.20.4 Wolfspeed製窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の製品型番、写真、説明、仕様

12.20.5 Wolfspeedの最新動向

13 業界チェーンと販売チャネル分析

13.1 窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の業界チェーン分析

13.2 窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の主要原材料

13.2.1 主要原材料

13.2.2 原材料主要サプライヤー

13.3 窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の生産形態とプロセス

13.4 窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の販売・マーケティング

13.4.1 窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の販売チャネル

13.4.2 窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の販売代理店

13.5 窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の顧客

14 市場推進要因、機会、課題、リスク要因分析

14.1 窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の業界動向

14.2 窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）の市場推進要因

14.3 窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）市場の課題

14.4 窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）市場の制約要因

15 グローバル窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）調査における主な知見

16 付録

16.1 調査方法

16.1.1 方法論／研究アプローチ

16.1.2 データソース

16.2 著者情報

16.3 免責事項

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★リサーチレポート[ 世界の窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）市場インサイト・予測（Pチャンネル型MOS、Nチャンネル型MOS）(Global Gallium Nitride Junction Field-effect Transistors(GaN JFETs) Market Insights, Forecast to 2028)]についてメールでお問い合わせはこちらでお願いします。

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世界の窒化ガリウム接合型電界効果トランジスタ（GaN JFET）市場インサイト・予測（Pチャンネル型MOS、Nチャンネル型MOS）

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