世界の窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaNFET)市場インサイト・予測(金属酸化物半導体電界効果トランジスタ、ヘテロ接合電界効果トランジスタ、変調ドープ電界効果トランジスタ)

◆英語タイトル:Global Gallium Nitride Field-effect Transistors(GaN FETs) Market Insights, Forecast to 2028

QYResearchが発行した調査報告書(QY22JL1734)◆商品コード:QY22JL1734
◆発行会社(リサーチ会社):QYResearch
◆発行日:2022年7月(※2026年版があります。お問い合わせください。)
◆ページ数:128
◆レポート形式:英語 / PDF
◆納品方法:Eメール(受注後3営業日)
◆調査対象地域:グローバル
◆産業分野:電子&半導体
◆販売価格オプション(消費税別)
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❖ レポートの概要 ❖
窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaNFET)は、次世代のパワーエレクトロニクスや高周波アプリケーションにおいて非常に重要な半導体素子です。ここでは、その定義、特徴、種類、用途、関連技術について詳しく説明いたします。

まず、GaNFETの定義について触れます。GaNFETは、窒化ガリウム(GaN)という材料を使用した電界効果トランジスタです。GaNは、広帯域ギャップ半導体として知られており、従来のシリコン半導体よりも優れた性能を発揮します。特に高温および高電圧での動作が可能で、エネルギー効率の高いスイッチング素子として利用されています。

GaNFETの特徴には、いくつかの点が挙げられます。まず一つ目は、高い電子移動度です。GaNはシリコンに比べて電子移動度が高いため、高速なスイッチングが可能です。これにより、スイッチング損失を低減し、より効率的な電力変換が実現できます。二つ目は、高耐圧性です。GaNは非常に高いバイアスを持つ特性を持ち、電圧が数千ボルトにも耐えることができます。この特性は、パワーエレクトロニクスにおいて特に重要です。三つ目は、高い熱伝導性です。GaNは、デバイスの発熱を抑えることができるため、冷却システムの設計が容易になります。さらに、GaNFETは小型化が可能であり、これによりシステム全体のサイズを小さくすることができます。

GaNFETの種類には、主に二つのタイプがあります。一つは、HEMT(High Electron Mobility Transistor)です。HEMTは、GaNと他の材料(例えば、アルミニウムガリウム窒化物)を組み合わせた構造を持っています。これにより、さらに高い電子移動度を実現し、高周波や高電圧での性能を向上させています。もう一つは、GaNトンネルFET(TFET)です。トンネルFETは、トンネル効果を利用してスイッチングを行う特性を持ち、低オフ電流で動作できます。これにより、高エネルギー効率が期待できます。

GaNFETの用途は広く、特にパワーエレクトロニクスにおいて重要な役割を果たしています。例えば、電力変換装置やDC-DCコンバータ、インバータ、充電器などでの使用が増えています。これらのデバイスでは、高い効率と高い耐圧が求められるため、GaNFETの特性が非常に適しています。また、無線通信、レーダーシステム、さらには電気自動車などの分野においても、GaNFETが利用されており、特にその高周波特性は、通信機器やRFアンプなどでの利用において非常に魅力的です。

さらに、GaNFETは、再生可能エネルギーシステムにも適用されています。例えば、太陽光発電や風力発電システムにおけるインバータにおいて、エネルギーの効率的な変換が求められます。そのため、GaNFETの高い性能は非常に有効です。また、電気自動車の充電インフラや電力網自体においても、GaNFETはその高い耐圧性と効率から、多くの注目を浴びています。

このように、GaNFETには多くの利点があり、さまざまな技術革新と結びついています。関連技術としては、GaNデバイスの製造プロセスがあります。GaNは結晶成長が難しいため、高品質のGaN結晶を製造する技術が重要です。また、GaNデバイスの冷却技術や、パッケージング技術も進化しており、より良い熱管理と性能を実現しようとしています。

また、GaNFETの市場は年々拡大しており、特にエネルギー効率が重視される今後の環境では、その需要がますます高まると予想されています。高効率で省エネなデバイスへの移行が進む中、GaNFETの活用はますます進化し、多様な分野での応用が期待されます。

総じて、窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaNFET)は、その優れた特性から多くの応用が期待されている先進的なデバイスです。今後の技術革新とともに、その存在感はますます高まっていくことでしょう。技術者や研究者たちは、GaNFETのさらなる可能性を探求し、次世代のエレクトロニクス技術の発展に寄与していくことでしょう。
COVID-19のパンデミックにより、窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaNFET)のグローバル市場規模は2022年にUS$xxxと推定され、調査期間中のCAGRはxxx%で、2028年までに再調整された規模はUS$xxxになると予測されています。この医療危機による経済変化を十分に考慮すると、2021年に窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaNFET)の世界市場のxxx%を占める「金属酸化物半導体電界効果トランジスタ」タイプは、2028年までにUS$xxxの規模になり、パンデミック後の修正xxx%CAGRで成長すると予測されています。一方、「家電」セグメントは、この予測期間を通じてxxx%のCAGRに変更されます。
窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaNFET)の中国市場規模は2021年にUS$xxxと分析されており、米国とヨーロッパの市場規模はそれぞれUS$xxxとUS$xxxです。米国の割合は2021年にxxx%であり、中国とヨーロッパはそれぞれxxx%とxxx%です。中国の割合は2028年にxxx%に達し、対象期間を通じてxxx%のCAGRを記録すると予測されています。日本、韓国、東南アジアはアジアで注目市場であり、今後6年間のCAGRはそれぞれxxx%、xxx%、xxx%になる見通しです。ヨーロッパの窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaNFET)市場については、ドイツは2028年までにUS$xxxに達すると予測されており、予測期間中のCAGRはxxx%になる見通しです。

窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaNFET)のグローバル主要企業には、Nexperia、Renesas Electronics、Infineon Technologies、Transphorm、Panasonic Electronic、GaN Systems、Efficient Power Conversion Corporation.、San'an Optoelectronics、Solid State Devices、Texas Instruments、Qorvo、pSemi Corporation、Toshiba Infrastructure Systems & Solutions Corporation、Alpha and Omega Semiconductor、NTT Advanced Technology Corporation、Tektronix、ON Semiconductor、Advance Compound Semiconductors、ST Microelectronics、Wolfspeedなどがあります。2021年、世界のトップ5プレイヤーは売上ベースで約xxx%の市場シェアを占めています。

窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaNFET)市場は、種類と用途によって区分されます。世界の窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaNFET)市場のプレーヤー、利害関係者、およびその他の参加者は、当レポートを有益なリソースとして使用することで優位に立つことができます。セグメント分析は、2017年~2028年期間のタイプ別および用途別の販売量、売上、予測に焦点を当てています。

【種類別セグメント】
金属酸化物半導体電界効果トランジスタ、ヘテロ接合電界効果トランジスタ、変調ドープ電界効果トランジスタ

【用途別セグメント】
家電、自動車回路、通信機器、家電、充電機器

【掲載地域】
北米:アメリカ、カナダ
ヨーロッパ:ドイツ、フランス、イギリス、イタリア、ロシア
アジア太平洋:日本、中国、韓国、インド、オーストラリア、台湾、インドネシア、タイ、マレーシア
中南米:メキシコ、ブラジル、アルゼンチン
中東・アフリカ:トルコ、サウジアラビア、UAE

【目次(一部)】

・調査の範囲
- 窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaNFET)製品概要
- 種類別市場(金属酸化物半導体電界効果トランジスタ、ヘテロ接合電界効果トランジスタ、変調ドープ電界効果トランジスタ)
- 用途別市場(家電、自動車回路、通信機器、家電、充電機器)
- 調査の目的
・エグゼクティブサマリー
- 世界の窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaNFET)販売量予測2017-2028
- 世界の窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaNFET)売上予測2017-2028
- 窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaNFET)の地域別販売量
- 窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaNFET)の地域別売上
- 北米市場
- ヨーロッパ市場
- アジア太平洋市場
- 中南米市場
- 中東・アフリカ市場
・メーカーの競争状況
- 主要メーカー別窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaNFET)販売量
- 主要メーカー別窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaNFET)売上
- 主要メーカー別窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaNFET)価格
- 競争状況の分析
- 企業M&A動向
・種類別市場規模(金属酸化物半導体電界効果トランジスタ、ヘテロ接合電界効果トランジスタ、変調ドープ電界効果トランジスタ)
- 窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaNFET)の種類別販売量
- 窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaNFET)の種類別売上
- 窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaNFET)の種類別価格
・用途別市場規模(家電、自動車回路、通信機器、家電、充電機器)
- 窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaNFET)の用途別販売量
- 窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaNFET)の用途別売上
- 窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaNFET)の用途別価格
・北米市場
- 北米の窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaNFET)市場規模(種類別、用途別)
- 主要国別の窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaNFET)市場規模(アメリカ、カナダ)
・ヨーロッパ市場
- ヨーロッパの窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaNFET)市場規模(種類別、用途別)
- 主要国別の窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaNFET)市場規模(ドイツ、フランス、イギリス、イタリア、ロシア)
・アジア太平洋市場
- アジア太平洋の窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaNFET)市場規模(種類別、用途別)
- 主要国別の窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaNFET)市場規模(日本、中国、韓国、インド、オーストラリア、台湾、インドネシア、タイ、マレーシア)
・中南米市場
- 中南米の窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaNFET)市場規模(種類別、用途別)
- 主要国別の窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaNFET)市場規模(メキシコ、ブラジル、アルゼンチン)
・中東・アフリカ市場
- 中東・アフリカの窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaNFET)市場規模(種類別、用途別)
- 主要国別の窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaNFET)市場規模(トルコ、サウジアラビア)
・企業情報
Nexperia、Renesas Electronics、Infineon Technologies、Transphorm、Panasonic Electronic、GaN Systems、Efficient Power Conversion Corporation.、San'an Optoelectronics、Solid State Devices、Texas Instruments、Qorvo、pSemi Corporation、Toshiba Infrastructure Systems & Solutions Corporation、Alpha and Omega Semiconductor、NTT Advanced Technology Corporation、Tektronix、ON Semiconductor、Advance Compound Semiconductors、ST Microelectronics、Wolfspeed
・産業チェーン及び販売チャネル分析
- 窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaNFET)の産業チェーン分析
- 窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaNFET)の原材料
- 窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaNFET)の生産プロセス
- 窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaNFET)の販売及びマーケティング
- 窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaNFET)の主要顧客
・マーケットドライバー、機会、課題、リスク要因分析
- 窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaNFET)の産業動向
- 窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaNFET)のマーケットドライバー
- 窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaNFET)の課題
- 窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaNFET)の阻害要因
・主な調査結果

電界効果トランジスタ(FET)は、電界を用いて電流の流れを制御するトランジスタの一種です。FETは、ソース、ゲート、ドレインの3つの端子を持つデバイスです。FETはゲートに電圧を印加することで電流の流れを制御し、ドレインとソース間の導電性を変化させます。
市場分析と考察:世界の窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)市場

COVID-19パンデミックの影響により、世界の窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)市場規模は2022年に100万米ドルに達すると推定され、2022年から2028年の予測期間中、%のCAGRで成長し、2028年には100万米ドルに達すると予測されています。この健康危機による経済変動を十分に考慮すると、2021年の窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)世界市場の%を占める金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)は、2028年には百万米ドル規模に達すると予測され、2022年から2028年にかけて修正された%のCAGRで成長すると予想されます。一方、コンシューマーエレクトロニクスセグメントは、この予測期間を通じて%のCAGRで成長します。

中国の窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)市場規模は2021年に百万米ドルと評価され、米国と欧州の窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)市場規模はそれぞれ百万米ドルと百万米ドルです。米国の割合は2021年に%、中国とヨーロッパはそれぞれ%と%です。中国の割合は2028年に%に達し、2022年から2028年の分析期間を通じて%のCAGRで成長すると予測されています。日本、韓国、東南アジアはアジアで注目すべき市場であり、今後6年間でそれぞれ%、%、%のCAGRで成長すると見込まれています。ヨーロッパの窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)市場については、ドイツは2022年から2028年の予測期間を通じて%のCAGRで成長し、2028年には100万米ドルに達すると予測されています。

窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の世界主要メーカーには、ネクスペリア社、ルネサス エレクトロニクス社、インフィニオンテクノロジーズ社、トランスフォーム社、パナソニック エレクトロニクス社、GaNシステムズ社、エフィシエント・パワー・コンバージョン社、三安光電有限公司などが含まれます。2021年、世界上位5社の売上高シェアは約%です。

生産面では、本レポートは、2017年から2022年までの窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の生産能力、生産量、成長率、メーカー別および地域(地域レベルおよび国レベル)別の市場シェア、そして2028年までの予測を調査しています。

販売面では、本レポートは、地域(地域レベルおよび国レベル)、企業別、タイプ別、アプリケーション別の窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の販売に焦点を当てています。 2017年から2022年までの市場規模と2028年までの予測。

世界の窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)市場の範囲とセグメント

窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)市場は、タイプ別および用途別にセグメント化されています。世界の窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)市場におけるプレーヤー、利害関係者、その他の関係者は、このレポートを強力なリソースとして活用することで、市場における優位性を獲得することができます。セグメント分析は、2017年から2028年までの期間におけるタイプ別および用途別の生産能力、収益、および予測に焦点を当てています。

タイプ別セグメント

金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOS)

ヘテロ接合電界効果トランジスタ(HFET)

変調ドープ電界効果トランジスタ(MODFET)

用途別セグメント

民生用電子機器

車載用回路

通信機器

産業機器

充電装置

企業別セグメント

Nexperia

ルネサス エレクトロニクス

インフィニオン テクノロジーズ

トランスフォーム

パナソニック エレクトロニクス

GaNシステムズ

エフィシエント・パワー・コンバージョン・コーポレーション

三安オプトエレクトロニクス

ソリッドステートデバイス

テキサス・インスツルメンツ

Qorvo

pSemi Corporation

東芝インフラシステムズ株式会社

アルファ・アンド・オメガ・セミコンダクター

NTTアドバンステクノロジ株式会社

テクトロニクス

オン・セミコンダクター

アドバンスド・コンパウンド・セミコンダクターズ

STマイクロエレクトロニクス

ウルフスピード

地域別生産量

北米

欧州

中国

日本

韓国

地域別消費量

北米

米国

カナダ

欧州

ドイツ

フランス

英国

イタリア

ロシア

アジア太平洋地域

中国

日本

韓国

インド

オーストラリア

中国(台湾)

インドネシア

タイ

マレーシア

中南米

メキシコ

ブラジル

アルゼンチン

コロンビア

中東・アフリカ

トルコ

サウジアラビア

アラブ首長国連邦

❖ レポートの目次 ❖

1 調査対象範囲

1.1 窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)製品概要

1.2 市場(タイプ別)

1.2.1 窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の世界市場規模(タイプ別、2017年、2021年、2028年)

1.2.2 金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOS)

1.2.3 ヘテロ接合電界効果トランジスタ(HFET)

1.2.4 変調ドープ電界効果トランジスタ(MOD)

1.3 用途別市場

1.3.1 窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の世界市場規模(用途別、2017年、2021年、2028年)

1.3.2 コンシューマーエレクトロニクス

1.3.3 自動車回路

1.3.4 通信機器

1.3.5 産業用機器

1.3.6 充電機器

1.4 調査目的

1.5 調査対象年

2 世界の窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)生産量

2.1 世界の窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)生産能力(2017~2028年)

2.2 世界の窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)生産量(地域別):2017年 vs. 2021年 vs. 2028年

2.3 世界の窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)生産量(地域別):2017年 vs. 2021年 vs. 2028年

2.3 世界の窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)生産量(地域別)

2.3.1 世界の窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)生産量の推移(地域別:2017~2022年)

2.3.2 世界の窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の地域別生産量予測(2023~2028年)

2.4 北米

2.5 欧州

2.6 中国

2.7 日本

2.8 韓国

3 世界の窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)販売数量・金額の推定と予測

3.1 世界の窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)販売数量の推定と予測(2017~2028年)

3.2 世界の窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)売上高の推定と予測(2017~2028年)

3.3 世界の窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)売上高(地域別):2017年 vs. 2021年 vs. 2028年

3.4 世界の窒化ガリウム地域別電界効果トランジスタ(GaN FET)売上高

3.4.1 世界の窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)売上高(地域別)(2017~2022年)

3.4.2 世界の窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)売上高(地域別)(2023~2028年)

3.5 世界の窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)売上高(地域別)

3.5.1 世界の窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)売上高(地域別)(2017~2022年)

3.5.2 世界の窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)売上高(地域別)(2023~2028年)

3.6 北米

3.7 欧州

3.8 アジア太平洋地域

3.9ラテンアメリカ

3.10 中東・アフリカ

4 メーカー別競争

4.1 世界の窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)生産能力(メーカー別)

4.2 世界の窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)売上高(メーカー別)

4.2.1 世界の窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)売上高(メーカー別)(2017~2022年)

4.2.2 世界の窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)売上高市場シェア(メーカー別)(2017~2022年)

4.2.3 2021年の世界窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)メーカー上位10社および上位5社

4.3 世界の窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)売上高(メーカー別)メーカー

4.3.1 世界の窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)メーカー別売上高(2017~2022年)

4.3.2 世界の窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)メーカー別売上高市場シェア(2017~2022年)

4.3.3 2021年の窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)売上高上位10社および上位5社

4.4 世界の窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)メーカー別販売価格

4.5 競争環境分析

4.5.1 メーカー市場集中度(CR5およびHHI)

4.5.2 世界の窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)メーカー別市場シェア(Tier 1、Tier 2、およびTier 3)

4.5.3 世界の窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)メーカーの地理的分布

4.6 合併・買収、事業拡大計画

5 タイプ別市場規模

5.1 世界の窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)売上高(タイプ別)

5.1.1 世界の窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)売上高(タイプ別)の推移(2017~2022年)

5.1.2 世界の窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)売上高(タイプ別)の予測(2023~2028年)

5.1.3 世界の窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)売上高市場シェア(タイプ別)(2017~2028年)

5.2 世界の窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)トランジスタ(GaN FET)の種類別売上高

5.2.1 世界の窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の種類別売上高の推移(2017~2022年)

5.2.2 世界の窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の種類別売上高予測(2023~2028年)

5.2.3 世界の窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の種類別売上高市場シェア(2017~2028年)

5.3 世界の窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の種類別価格

5.3.1 世界の窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の種類別価格(2017~2022年)

5.3.2 世界の窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)価格予測(タイプ別、2023~2028年)

6 用途別市場規模

6.1 窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の世界売上高(用途別)

6.1.1 窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の世界売上高(用途別、2017~2022年)

6.1.2 窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の世界売上高(用途別、2023~2028年)

6.1.3 窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の世界売上高市場シェア(用途別、2017~2028年)

6.2 窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の世界売上高(用途別)

6.2.1 窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の世界売上高(用途別)用途別売上高(2017~2022年)

6.2.2 世界の窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)用途別売上高予測(2023~2028年)

6.2.3 世界の窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)用途別売上高市場シェア(2017~2028年)

6.3 世界の窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)用途別価格

6.3.1 世界の窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)用途別価格(2017~2022年)

6.3.2 世界の窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)用途別価格予測(2023~2028年)

7 北米

7.1 北米 窒化ガリウム電界効果トランジスタトランジスタ(GaN FET)市場規模(タイプ別)

7.1.1 北米における窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)売上高(タイプ別)(2017~2028年)

7.1.2 北米における窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)売上高(タイプ別)(2017~2028年)

7.2 北米における窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)市場規模(用途別)

7.2.1 北米における窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)売上高(用途別)(2017~2028年)

7.2.2 北米における窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)売上高(用途別)(2017~2028年)

7.3 北米における窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)売上高(用途別)国別

7.3.1 北米における窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の売上(国別)(2017~2028年)

7.3.2 北米における窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の収益(国別)(2017~2028年)

7.3.3 米国

7.3.4 カナダ

8 ヨーロッパ

8.1 ヨーロッパにおける窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の市場規模(タイプ別)

8.1.1 ヨーロッパにおける窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の売上(タイプ別)(2017~2028年)

8.1.2 ヨーロッパにおける窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の収益(タイプ別)(2017~2028年)

8.2 ヨーロッパにおける窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)市場規模(用途別)

8.2.1 欧州における窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の用途別売上高(2017~2028年)

8.2.2 欧州における窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の用途別売上高(2017~2028年)

8.3 欧州における窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の国別売上高

8.3.1 欧州における窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の国別売上高(2017~2028年)

8.3.2 欧州における窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の国別売上高(2017~2028年)

8.3.3 ドイツ

8.3.4 フランス

8.3.5 英国

8.3.6 イタリア

8.3.7 ロシア

9 アジア太平洋地域

9.1 アジア太平洋地域における窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)市場規模(タイプ別)

9.1.1 アジア太平洋地域における窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)売上高(タイプ別)(2017~2028年)

9.1.2 アジア太平洋地域における窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)売上高(タイプ別)(2017~2028年)

9.2 アジア太平洋地域における窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)市場規模(用途別)

9.2.1 アジア太平洋地域における窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)売上高(用途別)(2017~2028年)

9.2.2 アジア太平洋地域における窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)売上高(用途別) (2017-2028)

9.3 アジア太平洋地域における窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の地域別売上高

9.3.1 アジア太平洋地域における窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の地域別売上高(2017-2028)

9.3.2 アジア太平洋地域における窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の地域別収益(2017-2028)

9.3.3 中国

9.3.4 日本

9.3.5 韓国

9.3.6 インド

9.3.7 オーストラリア

9.3.8 中国・台湾

9.3.9 インドネシア

9.3.10 タイ

9.3.11 マレーシア

10 ラテンアメリカ

10.1 ラテンアメリカにおける窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)市場タイプ別市場規模

10.1.1 ラテンアメリカにおける窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の販売状況(タイプ別)(2017~2028年)

10.1.2 ラテンアメリカにおける窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の販売状況(タイプ別)(2017~2028年)

10.2 ラテンアメリカにおける窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の市場規模(用途別)

10.2.1 ラテンアメリカにおける窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の販売状況(用途別)(2017~2028年)

10.2.2 ラテンアメリカにおける窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の販売状況(用途別)(2017~2028年)

10.3 ラテンアメリカにおける窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の販売状況(国別)

10.3.1 ラテンアメリカにおける窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の国別売上高(2017~2028年)

10.3.2 ラテンアメリカにおける窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の国別売上高(2017~2028年)

10.3.3 メキシコ

10.3.4 ブラジル

10.3.5 アルゼンチン

10.3.6 コロンビア

11 中東およびアフリカ

11.1 中東およびアフリカにおける窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の市場規模(タイプ別)

11.1.1 中東およびアフリカにおける窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の国別売上高(2017~2028年)

11.1.2 中東およびアフリカにおける窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)タイプ別売上高(2017~2028年)

11.2 中東およびアフリカにおける窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)市場規模(用途別)

11.2.1 中東およびアフリカにおける窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の用途別売上高(2017~2028年)

11.2.2 中東およびアフリカにおける窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の用途別売上高(2017~2028年)

11.3 中東およびアフリカにおける窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の国別売上高

11.3.1 中東およびアフリカにおける窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の国別売上高(2017~2028年)

11.3.2 中東およびアフリカにおける窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN国別GaN FET売上高(2017~2028年)

11.3.3 トルコ

11.3.4 サウジアラビア

11.3.5 UAE

12 企業概要

12.1 Nexperia

12.1.1 Nexperia Corporation情報

12.1.2 Nexperia概要

12.1.3 Nexperia GaN FET売上高、価格、売上高、粗利益率(2017~2022年)

12.1.4 Nexperia GaN FET製品型番、写真、説明、仕様

12.1.5 Nexperiaの最新動向

12.2 ルネサス エレクトロニクス

12.2.1 ルネサス エレクトロニクス株式会社情報

12.2.2ルネサス エレクトロニクスの概要

12.2.3 ルネサス エレクトロニクスの窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の売上高、価格、売上高、粗利益率(2017年~2022年)

12.2.4 ルネサス エレクトロニクスの窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の製品型番、写真、説明、仕様

12.2.5 ルネサス エレクトロニクスの最新開発状況

12.3 インフィニオンテクノロジーズ

12.3.1 インフィニオンテクノロジーズについて

12.3.2 インフィニオンテクノロジーズの概要

12.3.3 インフィニオンテクノロジーズの窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の売上高、価格、売上高、粗利益率(2017年~2022年)

12.3.4 インフィニオンテクノロジーズの窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET(窒化ガリウム電界効果トランジスタ)製品型番、写真、説明、仕様

12.3.5 インフィニオンテクノロジーズの最近の開発状況

12.4 トランスフォーム

12.4.1 トランスフォーム株式会社の情報

12.4.2 トランスフォームの概要

12.4.3 トランスフォームの窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の売上高、価格、売上高、粗利益率(2017~2022年)

12.4.4 トランスフォームの窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)製品型番、写真、説明、仕様

12.4.5 トランスフォームの最近の開発状況

12.5 パナソニック エレクトロニック

12.5.1 パナソニック エレクトロニック株式会社の情報

12.5.2 パナソニック エレクトロニックの概要

12.5.3 パナソニック エレクトロニックの窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の売上高、価格、売上高および粗利益率(2017年~2022年)

12.5.4 パナソニック エレクトロニクス社 窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)製品型番、写真、説明、仕様

12.5.5 パナソニック エレクトロニクス社の最新開発状況

12.6 GaNシステムズ

12.6.1 GaNシステムズ株式会社の情報

12.6.2 GaNシステムズ社の概要

12.6.3 GaNシステムズ社 窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)売上高、価格、売上高および粗利益率(2017年~2022年)

12.6.4 GaNシステムズ社 窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)製品型番、写真、説明、仕様

12.6.5 GaNシステムズ社の最新開発状況

12.7 エフィシエント・パワー・コンバージョン・コーポレーション

12.7.1 Efficient Power Conversion Corporation. 企業情報

12.7.2 Efficient Power Conversion Corporation. 概要

12.7.3 Efficient Power Conversion Corporation. 窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の売上高、価格、売上高、粗利益率(2017~2022年)

12.7.4 Efficient Power Conversion Corporation. 窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の製品型番、写真、説明、仕様

12.7.5 Efficient Power Conversion Corporation.最近の動向

12.8 三安オプトエレクトロニクス

12.8.1 三安オプトエレクトロニクス株式会社の情報

12.8.2 三安オプトエレクトロニクスの概要

12.8.3 三安オプトエレクトロニクスの窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の売上高、価格、売上高、粗利益率(2017~2022年)

12.8.4 三安オプトエレクトロニクスの窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の製品型番、写真、説明、仕様

12.8.5 三安オプトエレクトロニクスの最近の動向

12.9 固体デバイス

12.9.1 固体デバイス株式会社の情報

12.9.2 固体デバイスの概要

12.9.3 固体デバイス 窒化ガリウム電界効果トランジスタトランジスタ(GaN FET)の売上高、価格、売上高、粗利益率(2017~2022年)

12.9.4 固体デバイス 窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)製品型番、写真、説明、仕様

12.9.5 固体デバイスの最新開発状況

12.10 テキサス・インスツルメンツ

12.10.1 テキサス・インスツルメンツ社の概要

12.10.3 テキサス・インスツルメンツの窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の売上高、価格、売上高、粗利益率(2017~2022年)

12.10.4 テキサス・インスツルメンツの窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)製品型番、写真、説明、仕様

12.10.5 テキサス・インスツルメンツの最新開発状況開発状況

12.11 Qorvo

12.11.1 Qorvo Corporation 情報

12.11.2 Qorvo 概要

12.11.3 Qorvo 窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の売上高、価格、売上高、粗利益率(2017~2022年)

12.11.4 Qorvo 窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の製品型番、写真、説明、仕様

12.11.5 Qorvo の最新開発状況

12.12 pSemi Corporation

12.12.1 pSemi Corporation 情報

12.12.2 pSemi Corporation 概要

12.12.3 pSemi Corporation 窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の売上高、価格、売上高、粗利益率(2017-2022)

12.12.4 pSemi Corporation 窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET) 製品型番、写真、説明、仕様

12.12.5 pSemi Corporation の最近の開発状況

12.13 東芝インフラシステムズ株式会社

12.13.1 東芝インフラシステムズ株式会社 会社情報

12.13.2 東芝インフラシステムズ株式会社 概要

12.13.3 東芝インフラシステムズ株式会社 窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET) 売上高、価格、売上高、粗利益率 (2017-2022)

12.13.4 東芝インフラシステムズ株式会社 窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET) 製品型番、写真、説明、仕様

12.13.5 東芝インフラシステム&ソリューションズ株式会社 最近の動向

12.14 アルファ・アンド・オメガ・セミコンダクター

12.14.1 アルファ・アンド・オメガ・セミコンダクター株式会社 情報

12.14.2 アルファ・アンド・オメガ・セミコンダクター 概要

12.14.3 アルファ・アンド・オメガ・セミコンダクター 窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET) 売上高、価格、売上高、粗利益率(2017~2022年)

12.14.4 アルファ・アンド・オメガ・セミコンダクター 窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET) 製品型番、写真、説明、仕様

12.14.5 アルファ・アンド・オメガ・セミコンダクター 最近の動向

12.15 NTTアドバンステクノロジ株式会社

12.15.1 NTTアドバンステクノロジ株式会社 情報

12.15.2 NTTアドバンステクノロジ株式会社 概要

12.15.3 NTTアドバンステクノロジ株式会社窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の売上高、価格、売上高、粗利益率(2017~2022年)

12.15.4 NTTアドバンステクノロジ株式会社 窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)製品型番、写真、説明、仕様

12.15.5 NTTアドバンステクノロジ株式会社の最近の開発状況

12.16 テクトロニクス

12.16.1 テクトロニクス株式会社の情報

12.16.2 テクトロニクスの概要

12.16.3 テクトロニクス 窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の売上高、価格、売上高、粗利益率(2017~2022年)

12.16.4 テクトロニクス 窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)製品型番、写真、説明、仕様

12.16.5 テクトロニクスの最新開発状況

12.17 オン・セミコンダクター

12.17.1 オン・セミコンダクター社情報

12.17.2 オン・セミコンダクター社概要

12.17.3 オン・セミコンダクター社 窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の売上高、価格、売上高、粗利益率(2017~2022年)

12.17.4 オン・セミコンダクター社 窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の製品型番、写真、説明、仕様

12.17.5 オン・セミコンダクター社の最新開発状況

12.18 アドバンス・コンパウンド・セミコンダクターズ

12.18.1 アドバンス・コンパウンド・セミコンダクターズ社情報

12.18.2 アドバンス・コンパウンド・セミコンダクターズ社概要

12.18.3 アドバンス・コンパウンド・セミコンダクターズ社 窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の売上高、価格、売上高、粗利益率(2017~2022年)

12.18.4 先進化合物半導体 窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)製品型番、写真、説明、仕様

12.18.5 先進化合物半導体の最新開発状況

12.19 STマイクロエレクトロニクス

12.19.1 STマイクロエレクトロニクスの企業情報

12.19.2 STマイクロエレクトロニクスの概要

12.19.3 STマイクロエレクトロニクス 窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の売上高、価格、売上高、粗利益率(2017~2022年)

12.19.4 STマイクロエレクトロニクス 窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)製品型番、写真、説明、仕様

12.19.5 STマイクロエレクトロニクスの最新動向

12.20 Wolfspeed

12.20.1 Wolfspeed Corporationの情報

12.20.2 Wolfspeedの概要

12.20.3 Wolfspeed製窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の売上高、価格、売上高、粗利益率(2017~2022年)

12.20.4 Wolfspeed製窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の製品型番、写真、説明、仕様

12.20.5 Wolfspeedの最新動向

13 業界チェーンと販売チャネル分析

13.1 窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の業界チェーン分析

13.2 窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の主要原材料

13.2.1 主要原材料

13.2.2 原材料の主要サプライヤー

13.3 窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の生産形態とプロセス

13.4 窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の販売とマーケティング

13.4.1 窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の販売チャネル

13.4.2 窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の販売代理店

13.5 窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の顧客

14 市場推進要因、機会、課題、リスク要因分析

14.1 窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の業界動向

14.2 窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)の市場推進要因

14.3 窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)市場の課題

14.4 窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)市場の制約要因

15 窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)に関するグローバル調査における主な知見

16 付録

16.1 調査方法

16.1.1 方法論/研究アプローチ

16.1.2 データソース

16.2 著者情報

16.3 免責事項



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★リサーチレポート[ 世界の窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaNFET)市場インサイト・予測(金属酸化物半導体電界効果トランジスタ、ヘテロ接合電界効果トランジスタ、変調ドープ電界効果トランジスタ)(Global Gallium Nitride Field-effect Transistors(GaN FETs) Market Insights, Forecast to 2028)]についてメールでお問い合わせはこちらでお願いします。
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