カテゴリー： GlobalInfoResearch, 世界, 部品/材料

世界のガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）市場（企業別・タイプ別・用途別）：3.3〜3.6 GHz、3.7〜4.2 GHz、4.4〜5.0 GHz、5.3〜5.9 GHz、5.9〜6.4 GHz、その他

◆英語タイトル：Global Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET) Market 2022 by Manufacturers, Regions, Type and Application, Forecast to 2028

GlobalInfoResearchが発行した調査報告書（GIR22MY1333）◆商品コード：GIR22MY1333
◆発行会社（リサーチ会社）：GlobalInfoResearch
◆発行日：2022年5月（※2026年版があります。お問い合わせください。）
◆ページ数：71
◆レポート形式：英語 / PDF
◆納品方法：Eメール（注文後2-3日）
◆調査対象地域：グローバル
◆産業分野：化学＆材料
◆販売価格オプション（消費税別）
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❖ レポートの概要 ❖
ガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）は、ガリウムヒ素（GaAs）を半導体材料として使用する電界効果トランジスタタイプの一つで、主に高周波数や高出力アプリケーションに適しています。硅（けい）半導体と比較して、ガリウムヒ素にはいくつかの特性があります。GaAs FETは、特に通信や放送などの先進的な用途で広く使用されています。

ガリウムヒ素は、直接バンドギャップ半導体であり、高速な電気信号の伝播を可能にするため、ガリウムヒ素電界効果トランジスタは非常に高い動作周波数を提供します。また、GaAs FETは効率が高く、小型化が可能であるため、パワー増幅器やスイッチング素子としても好まれます。

GaAs FETの特徴は多岐にわたります。第一に、高い電子の移動度があります。これは、高周波動作において重要な要素であり、より迅速なスイッチング速度を実現します。第二に、GaAs FETは、温度変化に対する耐性があり、高温でも安定した性能を発揮します。さらに、GaAs FETは、インピーダンスが高く、入力・出力のマッチングが容易であるため、RF回路設計において非常に有利です。

GaAs FETは、主にモードに分かれることができます。まず、HEMT（高電子移動度トランジスタ）タイプが挙げられます。HEMTは、二重バンド構造を利用して高い電流増幅能力を持っており、特に高周波数帯域のアプリケーションに適しています。もう一つのタイプは、MESFET（メタル–半導体–FET）です。この素子は、主にRFアプリケーションで使用され、高出力の性能を発揮します。

ガリウムヒ素電界効果トランジスタの用途は多岐にわたります。まず、無線通信において、高周波の信号処理やパワーアンプとして使用されます。特に、携帯電話基地局や衛星通信装置において、その高効率と良好な高周波性能が活かされています。また、ガリウムヒ素は、光通信においても重要な役割を果たしており、特に光通信デバイスのトランシーバーに使用されます。さらに、GaAs FETは、レーダーシステムや無線周波数識別（RFID）システムにも活用されています。

関連技術としては、特に集積回路技術が挙げられます。GaAs FETを用いた高周波デバイスは、集積回路として複数の素子を同時に搭載できるため、システム全体の小型化やコスト削減が可能です。また、GaAs FETの技術は、良好な高周波性能を持つため、特にRFデバイスやミリ波デバイスの開発にも寄与しています。

さらに、GaAs FETは、他の半導体材料と組み合わせることが可能で、これによりさらなる性能向上が期待されています。例えば、シリコンとガリウムヒ素を組み合わせたハイブリッドデバイスが開発されており、それらの特性を融合させることによって、新たなアプリケーションの可能性が広がっています。

最後に、ガリウムヒ素電界効果トランジスタは、将来的な技術革新や新たな市場ニーズに応じて進化していくことが期待されます。特に、通信技術の革新や電子機器の高性能化に伴い、GaAs FETの需要は今後も高まり続けることでしょう。これに伴い、GaAs FETの製造技術や設計方法の進化も続けられ、より高効率で融合性のあるデバイスが登場することになるでしょう。

ガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）は、その先進的な特性や多様な用途によって、現代の電子機器や通信システムの基盤を支える重要な技術であり、これからの技術革新においても中心的な役割を果たすことが期待されます。
ガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）市場レポートは、世界の市場規模、地域および国レベルの市場規模、セグメント市場の成長性、市場シェア、競争環境、販売分析、国内および世界の市場プレーヤーの影響、バリューチェーンの最適化、最近の動向、機会分析、市場成長の戦略的な分析、製品発売、地域市場の拡大などに関する情報を提供します。
GlobalInfoResearchの最新の調査によると、世界のガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の市場規模は2021年のxxx米ドルから2028年にはxxx米ドルと推定され、xxx％の成長率で成長すると予想されます。

ガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）市場は種類と用途によって区分されます。2017年～2028年において、量と金額の観点から種類別および用途別セグメントの売上予測データを提供します。この分析は、適格なニッチ市場をターゲットにすることでビジネスを拡大するのに役立ちます。

種類別セグメントは次をカバーします。
・3.3〜3.6 GHz、3.7〜4.2 GHz、4.4〜5.0 GHz、5.3〜5.9 GHz、5.9〜6.4 GHz、その他

用途別セグメントは次のように区分されます。
・RF制御装置、その他

世界のガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）市場の主要な市場プレーヤーは以下のとおりです。
・Toshiba、Transcom、Chuo Denshi Kogyo、SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS

地域別セグメントは次の地域・国をカバーします。
・北米（米国、カナダ、メキシコ）
・ヨーロッパ（ドイツ、フランス、イギリス、ロシア、イタリア）
・アジア太平洋（日本、中国、韓国、インド、東南アジア、オーストラリア）
・南アメリカ（ブラジル、アルゼンチン、コロンビア）
・中東およびアフリカ（サウジアラビア、UAE、エジプト、南アフリカ）

本調査レポートの内容は計15章あります。
・第1章では、ガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）製品の調査範囲、市場の概要、市場の成長要因・阻害要因、および市場動向について説明します。
・第2章では、主要なガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）メーカーの企業概要、2019年～2022年までのガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の価格、販売量、売上、市場シェアを掲載しています。
・第3章では、主要なガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）メーカーの競争状況、販売量、売上、世界市場シェアが重点的に比較分析されています。
・第4章では、2017年～2028年までの地域別ガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の販売量、売上、成長性を示しています。
・第5、6章では、2017年～2028年までのガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の種類別と用途別の市場規模、市場シェアと成長率を掲載しています。
・第7、8、9、10、11章では、2017年～2022年までの世界の主要国での販売量、売上、市場シェア、並びに2023年～2028年までの主要地域でのガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）市場予測を収録しています。
・第12章では、主要な原材料、主要なサプライヤー、およびガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の産業チェーンを掲載しています。
・第13、14、15章では、ガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の販売チャネル、販売業者、顧客、調査結果と結論、付録、データソースなどについて説明します。

***** 目次(一部) *****

・市場概要
・メーカー情報（企業概要、製品概要、販売量、価格、売上）：Toshiba、Transcom、Chuo Denshi Kogyo、SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS
・メーカー別市場シェア
・地域別市場分析2017年-2028年
・種類別分析2017年-2028年：3.3〜3.6 GHz、3.7〜4.2 GHz、4.4〜5.0 GHz、5.3〜5.9 GHz、5.9〜6.4 GHz、その他
・用途別分析2017年-2028年：RF制御装置、その他
・ガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の北米市場規模2017年-2028年：アメリカ、カナダ、メキシコ
・ガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）のヨーロッパ市場規模2017年-2028年：ドイツ、イギリス、フランス、ロシア、イタリア
・ガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）のアジア市場規模2017年-2028年：中国、日本、韓国、インド、東南アジア、オーストラリア
・ガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の南米市場規模2017年-2028年：ブラジル、アルゼンチン
・ガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の中東・アフリカ市場規模2017年-2028年：サウジアラビア、トルコ、エジプト、南アフリカ
・原材料および産業チェーン
・販売チャネル、流通業者・代理店、顧客リスト
・調査の結果・結論

ガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）市場レポートは、世界市場規模、地域および国レベルの市場規模、セグメンテーション、市場成長、市場シェア、競合状況、売上分析、国内および世界の市場プレーヤーの影響、バリューチェーンの最適化、貿易規制、最近の動向、機会分析、戦略的市場成長分析、製品投入、地域市場の拡大、技術革新などについて詳細な分析を提供しています。
当社（Global Info Research）の最新調査によると、COVID-19パンデミックの影響により、世界のガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）市場規模は2021年に100万米ドルに達すると推定され、2022年から2028年の予測期間中は%のCAGRで成長し、2028年には100万米ドルに再調整されると予測されています。 2021年の世界のガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）市場の70%を占めるRF制御デバイスは、2028年には百万米ドル規模に達し、今後6年間で70%のCAGRで成長すると予測されています。3.3～3.6GHzセグメントは、2022年から2028年の間に70%のCAGRで成長すると予想されています。

ガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の主要メーカーには、東芝、トランスコム、中央電子工業、住友電工デバイス・イノベーションなどがあります。売上高ベースでは、2021年時点で世界上位4社が70%を超えるシェアを占めています。

市場セグメンテーション

ガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）市場は、タイプ別と用途別に細分化されています。 2017年から2028年までの期間、セグメント間の成長率から、タイプ別およびアプリケーション別の売上高を数量と金額の観点から正確に計算・予測できます。この分析は、適格なニッチ市場をターゲットにすることで、事業拡大に役立ちます。

タイプ別市場セグメント：

3.3～3.6GHz

3.7～4.2GHz

4.4～5.0GHz

5.3～5.9GHz

5.9～6.4GHz

その他

アプリケーション別市場セグメントは、以下の通りです。

RF制御デバイス

その他

世界のガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）市場における主要プレーヤーは以下の通りです。

東芝

トランスコム

中央電子工業

住友電工デバイス・イノベーションズ

地域別市場セグメント：地域分析の対象地域：

北米（米国、カナダ、メキシコ）

欧州（ドイツ、フランス、英国、ロシア、イタリア、その他ヨーロッパ）

アジア太平洋地域（中国、日本、韓国、インド、東南アジア、オーストラリア）

南米（ブラジル、アルゼンチン、コロンビア、その他ヨーロッパ）南米）

中東・アフリカ（サウジアラビア、UAE、エジプト、南アフリカ、その他の中東・アフリカ）

本調査は、全15章で構成されています。

第1章：ガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の製品範囲、市場概要、市場機会、市場牽引力、市場リスクについて解説します。

第2章：ガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の主要メーカーの概要、価格、売上高、収益、および2019年から2022年までのガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の世界市場シェアについて解説します。

第3章：ガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の競争状況、主要メーカーの売上高、収益、および世界市場シェアについて、市場環境の比較に基づき重点的に分析します。

第4章では、ガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の地域別内訳データを示し、2017年から2028年までの地域別の売上高、収益、成長率を示します。

第5章と第6章では、2017年から2028年までのタイプ別および用途別の売上高、市場シェア、成長率をタイプ別、用途別にセグメント化します。

第7章、第8章、第9章、第10章、第11章では、2017年から2022年までの世界の主要国の国別売上高、収益、市場シェアを国別に内訳します。また、2023年から2028年までの地域別、タイプ別、用途別の売上高と収益を含むガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）市場予測を示します。

第12章では、ガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の主要原材料、主要サプライヤー、および業界チェーンについて説明します。

第 13 章、第 14 章、および第 15 章では、ガリウムヒ素電界効果トランジスタ (GaAs FET) の販売チャネル、販売代理店、顧客、研究結果と結論、付録、およびデータ ソースについて説明します。

❖ レポートの目次 ❖

1 市場概要

1.1 ガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の概要

1.2 タイプ別市場分析

1.2.1 概要：ガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の世界市場におけるタイプ別売上高：2017年 vs. 2021年 vs. 2028年

1.2.2 3.3～3.6GHz

1.2.3 3.7～4.2GHz

1.2.4 4.4～5.0GHz

1.2.5 5.3～5.9GHz

1.2.6 5.9～6.4GHz

1.2.7 その他

1.3 用途別市場分析

1.3.1 概要：ガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の世界市場における用途別売上高：2017年 vs. 2021年2028年までの予測

1.3.2 RF制御デバイス

1.3.3 その他

1.4 世界のガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）市場規模と予測

1.4.1 世界のガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）売上高（2017年、2021年、2028年）

1.4.2 世界のガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）売上高（2017年～2028年）

1.4.3 世界のガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）価格（2017年～2028年）

1.5 世界のガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）生産能力分析

1.5.1 世界のガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）総生産能力(2017-2028)

1.5.2 世界のガリウムヒ素電界効果トランジスタ(GaAs FET)生産能力（地域別）

1.6 市場の推進要因、抑制要因、および動向

1.6.1 ガリウムヒ素電界効果トランジスタ(GaAs FET)市場の推進要因

1.6.2 ガリウムヒ素電界効果トランジスタ(GaAs FET)市場の抑制要因

1.6.3 ガリウムヒ素電界効果トランジスタ(GaAs FET)の動向分析

2 メーカープロフィール

2.1 東芝

2.1.1 東芝の概要

2.1.2 東芝の主要事業

2.1.3 東芝のガリウムヒ素電界効果トランジスタ(GaAs FET)製品およびサービス

2.1.4 東芝のガリウムヒ素電界効果トランジスタ(GaAs FET)の売上高、価格、売上高、粗利益率、市場シェア（2019年、2020年、2021年、2022年）

2.2 トランスコム

2.2.1 トランスコムの詳細

2.2.2 トランスコムの主要事業

2.2.3 トランスコムのガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）製品およびサービス

2.2.4 トランスコムのガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の売上高、価格、売上高、粗利益率、市場シェア（2019年、2020年、2021年、2022年）

2.3 中央電子工業

2.3.1 中央電子工業の詳細

2.3.2 中央電子工業の主要事業

2.3.3 中央電子工業のガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）製品およびサービス

2.3.4 中央電子工業 ガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の売上高、価格、売上高、粗利益率、市場シェア（2019年、2020年、2021年、2022年）

2.4 住友電工デバイス・イノベーションズ

2.4.1 住友電工デバイス・イノベーションズの詳細

2.4.2 住友電工デバイス・イノベーションズ 主要事業

2.4.3 住友電工デバイス・イノベーションズ ガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）製品およびサービス

2.4.4 住友電工デバイス・イノベーションズ ガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の売上高、価格、売上高、粗利益率、市場シェアシェア（2019年、2020年、2021年、2022年）

3 ガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）メーカー別内訳データ

3.1 世界のガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）販売数量（メーカー別）（2019年、2020年、2021年、2022年）

3.2 世界のガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）売上高（メーカー別）（2019年、2020年、2021年、2022年）

3.3 ガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）における主要メーカーの市場ポジション

3.4 市場集中度

3.4.1 2021年のガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）メーカー上位3社の市場シェア

3.4.2 ガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）メーカー上位6社2021年のヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）メーカー市場シェア

3.5 世界のガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）生産能力（企業別）：2021年対2022年

3.6 地域別メーカー：本社およびガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）生産拠点

3.7 新規参入企業および生産能力拡大計画

3.8 合併・買収（M&A）

4 地域別市場分析

4.1 世界のガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）市場規模（地域別）

4.1.1 世界のガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）販売数量（地域別）（2017年～2028年）

4.1.2 世界のガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）売上高（地域別）（2017年～2028年）

4.2 北米におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の売上高（2017～2028年）

4.3 欧州におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の売上高（2017～2028年）

4.4 アジア太平洋地域におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の売上高（2017～2028年）

4.5 南米におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の売上高（2017～2028年）

4.6 中東およびアフリカにおけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の売上高（2017～2028年）

5 タイプ別市場セグメント

5.1 世界のガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）販売数量（タイプ別）（2017～2028年）

5.2 世界のガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）売上高（タイプ別）（2017～2028年）

5.3 世界のガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）価格（タイプ別）（2017～2028年）

6 用途別市場セグメント

6.1 世界のガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）販売数量（アプリケーション別）（2017～2028年）

6.2 世界のガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）売上高（アプリケーション別）（2017～2028年）

6.3 世界のガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）価格（アプリケーション別）（2017～2028年）

7 北米：国別、タイプ別、アプリケーション別

7.1 北米：ガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）売上高（タイプ別） (2017-2028)

7.2 北米におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ(GaAs FET)の用途別売上(2017-2028)

7.3 北米におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ(GaAs FET)の国別市場規模

7.3.1 北米におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ(GaAs FET)の国別売上数量(2017-2028)

7.3.2 北米におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ(GaAs FET)の国別売上高(2017-2028)

7.3.3 米国の市場規模と予測(2017-2028)

7.3.4 カナダの市場規模と予測(2017-2028)

7.3.5 メキシコの市場規模と予測(2017-2028)

8 ヨーロッパ国別、タイプ別、アプリケーション別

8.1 欧州におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の売上（タイプ別、2017～2028年）

8.2 欧州におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の売上（アプリケーション別、2017～2028年）

8.3 欧州におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の市場規模（国別）

8.3.1 欧州におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の売上数量（国別、2017～2028年）

8.3.2 欧州におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の収益（国別、2017～2028年）

8.3.3 ドイツにおける市場規模と予測（2017～2028年）

8.3.4 フランスにおける市場規模と予測（2017～2028年）

8.3.5 英国の市場規模と予測 (2017～2028年)

8.3.6 ロシアの市場規模と予測 (2017～2028年)

8.3.7 イタリアの市場規模と予測 (2017～2028年)

9 アジア太平洋地域：地域別、タイプ別、用途別

9.1 アジア太平洋地域におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ(GaAs FET) の販売数量（タイプ別）(2017～2028年)

9.2 アジア太平洋地域におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ(GaAs FET) の販売数量（用途別）(2017～2028年)

9.3 アジア太平洋地域におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ(GaAs FET) の市場規模（地域別）

9.3.1 アジア太平洋地域におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ(GaAs FET) の販売数量（地域別） (2017-2028)

9.3.2 アジア太平洋地域におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ(GaAs FET)の地域別売上高 (2017-2028)

9.3.3 中国市場規模と予測 (2017-2028)

9.3.4 日本市場規模と予測 (2017-2028)

9.3.5 韓国市場規模と予測 (2017-2028)

9.3.6 インド市場規模と予測 (2017-2028)

9.3.7 東南アジア市場規模と予測 (2017-2028)

9.3.8 オーストラリア市場規模と予測 (2017-2028)

10 南米：地域別、タイプ別、用途別

10.1 南米ガリウムヒ素市場ガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の売上（タイプ別）（2017～2028年）

10.2 南米におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の用途別売上（2017～2028年）

10.3 南米におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の国別市場規模

10.3.1 南米におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の国別販売数量（2017～2028年）

10.3.2 南米におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の国別売上高（2017～2028年）

10.3.3 ブラジル市場規模と予測（2017～2028年）

10.3.4 アルゼンチン市場規模と予測（2017～2028年）

11 中東・アフリカ市場（国別）タイプ別、用途別

11.1 中東およびアフリカにおけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の売上（タイプ別、2017～2028年）

11.2 中東およびアフリカにおけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の売上（用途別、2017～2028年）

11.3 中東およびアフリカにおけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の国別市場規模

11.3.1 中東およびアフリカにおけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の国別販売数量（2017～2028年）

11.3.2 中東およびアフリカにおけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の国別売上高（2017～2028年）

11.3.3 トルコにおける市場規模と予測（2017～2028年）

11.3.4 エジプト市場規模と予測（2017～2028年）

11.3.5 サウジアラビアの市場規模と予測（2017～2028年）

11.3.6 南アフリカの市場規模と予測（2017～2028年）

12 原材料と産業チェーン

12.1 ガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の原材料と主要メーカー

12.2 ガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の製造コスト比率

12.3 ガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の製造プロセス

12.4 ガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の産業チェーン

13 販売チャネル、販売代理店、トレーダー、ディーラー

13.1 販売チャネル

13.1.1 直接販売

13.1.2 間接販売

13.2 ガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の代表的な販売代理店

13.3 ガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の代表的な顧客

14 調査結果と結論

15 付録

15.1 調査方法

15.2 調査プロセスとデータソース

15.3 免責事項

表一覧

表1. ガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の世界売上高（種類別、単位：百万米ドル）、2017年、2021年、2028年

表2. ガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の世界売上高（用途別、単位：百万米ドル）、2017年、2021年、2028年

表3. 東芝の基本情報、製造拠点、競合他社

表4. 東芝の主要事業

表5. 東芝のガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）製品およびサービス

表6. 東芝のガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の販売量（トン）、価格（米ドル/トン）、売上高（百万米ドル）、粗利益率、市場シェア（2019年、2020年、2021年、2028年） （2022年）

表7. Transcomの基本情報、製造拠点、競合他社

表8. Transcomの主要事業

表9. Transcomのガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）製品およびサービス

表10. Transcomのガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の販売量（トン）、価格（米ドル/トン）、売上高（百万米ドル）、粗利益率、市場シェア（2019年、2020年、2021年、2022年）

表11. 中央電子工業の基本情報、製造拠点、競合他社

表12. 中央電子工業の主要事業

表13. 中央電子工業のガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）製品およびサービス

表14. 中央電子工業のガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）売上高（トン）、価格（米ドル/トン）、売上高（百万米ドル）、粗利益率および市場シェア（2019年、2020年、2021年、2022年）

表15. 住友電工デバイス・イノベーションズ 基本情報、製造拠点および競合他社

表16. 住友電工デバイス・イノベーションズ 主要事業

表17. 住友電工デバイス・イノベーションズ ガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）製品およびサービス

表18. 住友電工デバイス・イノベーションズ ガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET） 売上高（トン）、価格（米ドル/トン）、売上高（百万米ドル）、粗利益率および市場シェア（2019年、2020年、2021年、2022年） 2022年）

表19. 世界のガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）売上高（メーカー別）（2019年、2020年、2021年、2022年）および（単位：トン）

表20. 世界のガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）売上高（メーカー別）（2019年、2020年、2021年、2022年）および（単位：百万米ドル）

表21. ガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）（ティア1、ティア2、ティア3）におけるメーカーの市場ポジション（2021年の売上高に基づく）

表​​22. 世界のガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）生産能力（メーカー別）（トン）：2020年 vs 2021年

表23. 本社所在地およびガリウムヒ素電界効果トランジスタ主要メーカーのトランジスタ（GaAs FET）生産拠点

表24. ガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）新規参入企業および生産能力拡大計画

表25. 過去5年間のガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）関連の合併・買収

表26. 世界のガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）売上高（地域別、2017～2022年）および（トン）

表27. 世界のガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）売上高（地域別、2023～2028年）および（トン）

表28. 世界のガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）売上高（地域別、2017～2022年）および（百万米ドル）

表29. 世界のガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）売上高（地域別） (2023-2028年) および (百万米ドル)

表30. 世界のガリウムヒ素電界効果トランジスタ(GaAs FET) 販売量（タイプ別）(2017-2022年) および (トン)

表31. 世界のガリウムヒ素電界効果トランジスタ(GaAs FET) 販売量（タイプ別）(2023-2028年) および (トン)

表32. 世界のガリウムヒ素電界効果トランジスタ(GaAs FET) 売上高（タイプ別）(2017-2022年) および (百万米ドル)

表33. 世界のガリウムヒ素電界効果トランジスタ(GaAs FET) 売上高（タイプ別）(2023-2028年) および (百万米ドル)

表34. 世界のガリウムヒ素電界効果トランジスタ(GaAs FET) 価格（タイプ別）(2017-2022年) および (米ドル/トン)

表35. 世界のガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）価格（タイプ別、2023～2028年）および（米ドル/トン）

表36. 世界のガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）売上高（用途別、2017～2022年）および（トン）

表37. 世界のガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）売上高（用途別、2023～2028年）および（トン）

表38. 世界のガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）売上高（用途別、2017～2022年）および（百万米ドル）

表39. 世界のガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）売上高（用途別、2023～2028年）および（百万米ドル）

表40. 世界のガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）価格用途別（2017～2022年）および（米ドル/トン）

表41. 用途別世界ガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）価格（2023～2028年）および（米ドル/トン）

表42. 北米におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の国別売上高（2017～2022年）および（トン）

表43. 北米におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の国別売上高（2023～2028年）および（トン）

表44. 北米におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の国別売上高（2017～2022年）および（百万米ドル）

表45. 北米におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の国別売上高（2023～2028年）および（米ドル） （百万単位）

表46. 北米におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の販売数量（タイプ別、2017～2022年）および（トン）

表47. 北米におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の販売数量（タイプ別、2023～2028年）および（トン）

表48. 北米におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の販売数量（用途別、2017～2022年）および（トン）

表49. 北米におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の販売数量（用途別、2023～2028年）および（トン）

表50. 欧州におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の販売数量（国別、2017～2022年）および（トン）

表51. 欧州におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の販売数量国別売上高（2023～2028年）および（トン）

表52. 欧州におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の売上高（国別、2017～2022年）および（百万米ドル）

表53. 欧州におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の売上高（国別、2023～2028年）および（百万米ドル）

表54. 欧州におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の売上高（タイプ別、2017～2022年）および（トン）

表55. 欧州におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の売上高（タイプ別、2023～2028年）および（トン）

表56. 欧州におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の売上高（用途別、2017～2022年）および（トン）

表57. 欧州におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の用途別売上高（2023～2028年）および売上高（単位：トン）

表58. アジア太平洋地域におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の地域別売上高（2017～2022年）および売上高（単位：トン）

表59. アジア太平洋地域におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の地域別売上高（2023～2028年）および売上高（単位：トン）

表60. アジア太平洋地域におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の地域別売上高（2017～2022年）および売上高（単位：百万米ドル）

表61. アジア太平洋地域におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の地域別売上高（2023～2028年）および売上高（単位：百万米ドル）

表62. アジア太平洋地域ガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の売上高（タイプ別、2017～2022年）および売上高（トン）

表63. アジア太平洋地域におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の売上高（タイプ別、2023～2028年）および売上高（トン）

表64. アジア太平洋地域におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の売上高（用途別、2017～2022年）および売上高（トン）

表65. アジア太平洋地域におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の売上高（用途別、2023～2028年）および売上高（トン）

表66. 南米におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の売上高（国別、2017～2022年）および売上高（トン）

表67. 南米におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の売上高国別（2023～2028年）および（トン）

表68. 南米におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の売上高（国別、2017～2022年）および（百万米ドル）

表69. 南米におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の売上高（国別、2023～2028年）および（百万米ドル）

表70. 南米におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の売上高（タイプ別、2017～2022年）および（トン）

表71. 南米におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の売上高（タイプ別、2023～2028年）および（トン）

表72. 南米におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の売上高（用途別、2017～2022年）および（トン）

表73. 南米におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の用途別売上高（2023～2028年）および売上高（トン）

表74. 中東およびアフリカにおけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の地域別売上高（2017～2022年）および売上高（トン）

表75. 中東およびアフリカにおけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の地域別売上高（2023～2028年）および売上高（トン）

表76. 中東およびアフリカにおけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の地域別売上高（2017～2022年）および売上高（百万米ドル）

表77. 中東およびアフリカにおけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の地域別売上高（2023～2028年）および売上高（百万米ドル）

表78. 中東およびアフリカにおけるガリウムヒ素ヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の売上高（タイプ別、2017～2022年）および売上高（トン）

表79. 中東およびアフリカにおけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の売上高（タイプ別、2023～2028年）および売上高（トン）

表80. 中東およびアフリカにおけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の用途別売上高（2017～2022年）および売上高（トン）

表81. 中東およびアフリカにおけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の用途別売上高（2023～2028年）および売上高（トン）

表82. ガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）原材料

表83. ガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）原材料の主要メーカー

表84. 直接チャネルのメリットとデメリット

表85.間接チャネルの長所と短所

表86. ガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の代表的な販売代理店

表87. ガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の代表的な顧客

図表一覧

図1. ガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の外観図

図2. 2021年におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の世界市場収益シェア（タイプ別）

図3. 3.3～3.6GHz

図4. 3.7～4.2GHz

図5. 4.4～5.0GHz

図6. 5.3～5.9GHz

図7. 5.9～6.4GHz

図8. その他

図9. ガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の世界市場収益シェア（アプリケーション別） 2021年

図10. RF制御デバイス

図11. その他

図12. 世界のガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の売上高（単位：百万米ドル）および生産量（トン）：2017年、2021年、2028年

図13. 世界のガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の売上高と予測（2017～2028年）および生産量（単位：百万米ドル）

図14. 世界のガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の販売量（2017～2028年）および生産量（トン）

図15. 世界のガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の価格（2017～2028年）および生産量（米ドル/トン）

図16. 世界のガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の生産能力(2017-2028) & (トン)

図17. 世界のガリウムヒ素電界効果トランジスタ(GaAs FET)生産能力（地域別）：2022年 vs 2028年

図18. ガリウムヒ素電界効果トランジスタ(GaAs FET)市場の牽引要因

図19. ガリウムヒ素電界効果トランジスタ(GaAs FET)市場の阻害要因

図20. ガリウムヒ素電界効果トランジスタ(GaAs FET)市場の動向

図21. 世界のガリウムヒ素電界効果トランジスタ(GaAs FET)売上高市場シェア（2021年）

図22. 世界のガリウムヒ素電界効果トランジスタ(GaAs FET)売上高市場シェア（2021年）

図23. ガリウムヒ素電界効果トランジスタ(GaAs FET)市場シェア（企業タイプ別：Tier 1、 2021年のガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）メーカー上位3社（売上高）の市場シェア（2021年）

図24. ガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）メーカー上位3社（売上高）の市場シェア（2021年）

図25. ガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）メーカー上位6社（売上高）の市場シェア（2021年）

図26. ガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の世界市場シェア（地域別）（2017年～2028年）

図27. ガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の世界市場シェア（地域別）（2017年～2028年）

図28. 北米におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の売上高（2017年～2028年）（単位：百万米ドル）

図29. 欧州におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の世界市場シェア（2017年～2028年）ガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の売上高（2017～2028年）および（単位：百万米ドル）

図30. アジア太平洋地域におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の売上高（2017～2028年）および（単位：百万米ドル）

図31. 南米におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の売上高（2017～2028年）および（単位：百万米ドル）

図32. 中東およびアフリカにおけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の売上高（2017～2028年）および（単位：百万米ドル）

図33. 世界のガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）販売市場シェア（タイプ別）（2017～2028年）

図34. 世界のガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）売上高市場シェア（タイプ別） (2017-2028)

図35. 世界のガリウムヒ素電界効果トランジスタ(GaAs FET) 価格（タイプ別）（2017-2028）および（米ドル/トン）

図36. 世界のガリウムヒ素電界効果トランジスタ(GaAs FET) 販売市場シェア（用途別）（2017-2028）

図37. 世界のガリウムヒ素電界効果トランジスタ(GaAs FET) 収益市場シェア（用途別）（2017-2028）

図38. 世界のガリウムヒ素電界効果トランジスタ(GaAs FET) 価格（用途別）（2017-2028）および（米ドル/トン）

図39. 北米におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ(GaAs FET) 販売市場シェア（タイプ別）（2017-2028）

図40. 北米におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ(GaAs FET)トランジスタ（GaAs FET）の用途別売上市場シェア（2017～2028年）

図41. 北米におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の国別売上市場シェア（2017～2028年）

図42. 北米におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の国別収益市場シェア（2017～2028年）

図43. 米国におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の売上高と成長率（2017～2028年）（単位：百万米ドル）

図44. カナダにおけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の売上高と成長率（2017～2028年）（単位：百万米ドル）

図45. メキシコにおけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の売上高と成長率（2017～2028年）（単位：百万米ドル） （単位：百万米ドル）

図46. 欧州におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の売上高市場シェア（タイプ別）（2017～2028年）

図47. 欧州におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の用途別売上高市場シェア（2017～2028年）

図48. 欧州におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の国別売上高市場シェア（2017～2028年）

図49. 欧州におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の国別売上高市場シェア（2017～2028年）

図50. ドイツにおけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の売上高と成長率（2017～2028年）（単位：百万米ドル）

図51. フランスにおけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の売上高と成長率(2017～2028年) & (百万米ドル)

図52. 英国におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ(GaAs FET)の売上高と成長率 (2017～2028年) & (百万米ドル)

図53. ロシアにおけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ(GaAs FET)の売上高と成長率 (2017～2028年) & (百万米ドル)

図54. イタリアにおけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ(GaAs FET)の売上高と成長率 (2017～2028年) & (百万米ドル)

図55. アジア太平洋地域におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ(GaAs FET)の地域別売上市場シェア (2017～2028年)

図56. アジア太平洋地域におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ(GaAs FET)の用途別売上市場シェア(2017-2028)

図57. アジア太平洋地域におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ(GaAs FET)の地域別売上市場シェア (2017-2028)

図58. アジア太平洋地域におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ(GaAs FET)の地域別収益市場シェア (2017-2028)

図59. 中国におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ(GaAs FET)の収益と成長率 (2017-2028) および (百万米ドル)

図60. 日本におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ(GaAs FET)の収益と成長率 (2017-2028) および (百万米ドル)

図61. 韓国におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ(GaAs FET)の収益と成長率 (2017-2028) および (百万米ドル)

図62. インドにおけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ(GaAs FET)の売上高と成長率 (2017～2028年) および (単位：百万米ドル)

図63. 東南アジアにおけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ(GaAs FET)の売上高と成長率 (2017～2028年) および (単位：百万米ドル)

図64. オーストラリアにおけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ(GaAs FET)の売上高と成長率 (2017～2028年) および (単位：百万米ドル)

図65. 南米におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ(GaAs FET) の販売市場シェア (タイプ別) (2017～2028年)

図66. 南米におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ(GaAs FET) の販売市場シェア (用途別) (2017～2028年)

図67. 南米におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ(GaAsガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の国別売上市場シェア（2017～2028年）

図68. 南米におけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の国別売上市場シェア（2017～2028年）

図69. ブラジルにおけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の売上と成長率（2017～2028年）（単位：百万米ドル）

図70. アルゼンチンにおけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の売上と成長率（2017～2028年）（単位：百万米ドル）

図71. 中東およびアフリカにおけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の種別別売上市場シェア（2017～2028年）

図72. 中東およびアフリカにおけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の用途別売上市場シェア（2017～2028年）

図73. 中東およびアフリカにおけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の地域別売上市場シェア（2017～2028年）

図74. 中東およびアフリカにおけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の地域別収益市場シェア（2017～2028年）

図75. トルコにおけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の収益と成長率（2017～2028年）（単位：百万米ドル）

図76. エジプトにおけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の収益と成長率（2017～2028年）（単位：百万米ドル）

図77. サウジアラビアにおけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の収益と成長率（2017～2028年）（単位：百万米ドル）

図78. 南アフリカにおけるガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）のトランジスタ（GaAs FET）の売上高と成長率（2017～2028年）および（単位：百万米ドル）

図79. 2021年のガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の製造コスト構造分析

図80. ガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の製造プロセス分析

図81. ガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）の産業チェーン

図82. 販売チャネル：直接チャネル vs 間接チャネル

図83. 調査方法

図84. 調査プロセスとデータソース

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★リサーチレポート[ 世界のガリウムヒ素電界効果トランジスタ（GaAs FET）市場（企業別・タイプ別・用途別）：3.3〜3.6 GHz、3.7〜4.2 GHz、4.4〜5.0 GHz、5.3〜5.9 GHz、5.9〜6.4 GHz、その他(Global Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET) Market 2022 by Manufacturers, Regions, Type and Application, Forecast to 2028)]についてメールでお問い合わせはこちらでお願いします。
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