目次
第1章 調査方法と調査範囲
1.1. 調査方法のセグメンテーションと調査範囲
1.2. 情報調達
1.2.1. 外部データベース
1.2.2. GVR社内データベース
1.2.3. 二次情報源と第三者の視点
1.2.4. 一次調査
1.3. 情報分析
1.3.1. データ分析モデル
1.4. 市場形成とデータ可視化
1.5. データ検証と公開
第2章 エグゼクティブサマリー
2.1. High-k膜およびCVD ALD膜用金属前駆体市場 – 業界スナップショット、2018年~2030年
第3章 High-k膜およびCVD ALD膜用金属前駆体市場の変数、トレンド、および調査範囲
3.1.市場規模と成長見通し、2018年~2030年
3.2. 業界バリューチェーン分析
3.3. 市場ダイナミクス
3.3.1. 市場牽引要因分析
3.3.2. 市場抑制要因/課題分析
3.3.3. 市場機会分析
3.4. 市場浸透率と成長見通しマッピング(主要機会の優先順位付け)
3.5. 事業環境分析ツール
3.5.1. 業界分析 – ポーターのファイブフォース分析
3.5.2. PEST分析
3.5.3. COVID-19の影響分析
第4章 High-k膜およびCVD ALD用金属前駆体市場:技術展望
4.1. 市場規模の推定・予測およびトレンド分析、2018年~2030年(売上高、百万米ドル)
4.2.インターコネクト
4.2.1. 地域別市場推定および予測、2018年~2030年(売上高、百万米ドル)
4.3. コンデンサ
4.3.1. 地域別市場推定および予測、2018年~2030年(売上高、百万米ドル)
4.4. ゲート
4.4.1. 地域別市場推定および予測、2018年~2030年(売上高、百万米ドル)
第5章 High-k膜およびCVD ALD用金属前駆体市場:地域別展望
5.1. High-k膜およびCVD ALD用金属前駆体市場、地域別、2020年および2030年
5.2. 北米
5.2.1.技術別市場推定および予測、2018年~2030年(売上高、百万米ドル)
5.2.2. 米国
5.2.2.1. 技術別市場推定および予測、2018年~2030年(売上高、百万米ドル)
5.2.3. カナダ
5.2.3.1. 技術別市場推定および予測、2018年~2030年(売上高、百万米ドル)
5.3. 欧州
5.3.1. 技術別市場推定および予測、2018年~2030年(売上高、百万米ドル)
5.3.2. 英国
5.3.2.1. 技術別市場推定および予測、2018年~2030年(売上高、百万米ドル)
5.3.3.ドイツ
5.3.3.1. 技術別市場推定および予測、2018年~2030年(売上高、百万米ドル)
5.3.4. その他ヨーロッパ
5.3.4.1. 技術別市場推定および予測、2018年~2030年(売上高、百万米ドル)
5.4. アジア太平洋地域
5.4.1. 技術別市場推定および予測、2018年~2030年(売上高、百万米ドル)
5.4.2. 中国
5.4.2.1. 技術別市場推定および予測、2018年~2030年(売上高、百万米ドル)
5.4.3. インド
5.4.3.1.技術別市場推定および予測、2018年~2030年(売上高、百万米ドル)
5.4.4. 日本
5.4.4.1. 技術別市場推定および予測、2018年~2030年(売上高、百万米ドル)
5.4.5. その他アジア太平洋地域
5.4.5.1. 技術別市場推定および予測、2018年~2030年(売上高、百万米ドル)
5.5. 中南米
5.5.1. 技術別市場推定および予測、2018年~2030年(売上高、百万米ドル)
5.5.2. ブラジル
5.5.2.1. 技術別市場推定および予測、2018年~2030年(売上高、百万米ドル)
5.5.3.メキシコ
5.5.3.1. 技術別市場推定および予測、2018年~2030年(売上高、百万米ドル)
5.5.4. その他ラテンアメリカ
5.5.4.1. 技術別市場推定および予測、2018年~2030年(売上高、百万米ドル)
5.6. 中東およびアフリカ
5.6.1. 技術別市場推定および予測、2018年~2030年(売上高、百万米ドル)
第6章 競争環境
6.1. エア・リキード
6.1.1. 会社概要
6.1.2. 財務実績
6.1.3. 製品ベンチマーク
6.1.4. 最近の動向
6.2. ADEKA株式会社
6.2.1. 会社概要
6.2.2.製品ベンチマーク
6.2.3. 最近の動向
6.3. エア・プロダクト・アンド・ケミカルズ社
6.3.1. 会社概要
6.3.2. 財務実績
6.3.3. 製品ベンチマーク
6.3.4. 最近の動向
6.4. コルナテック社
6.4.1. 会社概要
6.4.2. 財務実績
6.4.3. 製品ベンチマーク
6.4.4. 最近の動向
6.5. ダウ・ケミカル社
6.5.1. 会社概要
6.5.2. 財務実績
6.5.3. 製品ベンチマーク
6.5.4. 最近の動向
6.6. リンデ社
6.6.1. 会社概要
6.6.2. 財務実績
6.6.3.製品ベンチマーク
6.6.4. 最近の動向
6.7. Merck KGAA
6.7.1. 会社概要
6.7.2. 財務実績
6.7.3. 製品ベンチマーク
6.7.4. 最近の動向
6.8. Nanmat Technology Co. Ltd.
6.8.1. 会社概要
6.8.2. 財務実績
6.8.3. 製品ベンチマーク
6.8.4. 最近の動向
6.9. Praxair
6.9.1. 会社概要
6.9.2. 財務実績
6.9.3. 製品ベンチマーク
6.9.4. 最近の動向
6.10. Samsung
6.10.1. 会社概要
6.10.2. 財務実績
6.10.3.製品ベンチマーク
6.10.4. 最近の動向
6.11. Strem Chemicals, Inc.
6.11.1. 会社概要
6.11.2. 財務実績
6.11.3. 製品ベンチマーク
6.11.4. 最近の動向
6.12. Tri Chemical Laboratories Inc.
6.12.1. 会社概要
6.12.2. 財務実績
6.12.3. 製品ベンチマーク
6.12.4. 最近の動向
Table of ContentsChapter 1. Methodology and Scope
1.1. Methodology Segmentation & Scope
1.2. Information Procurement
1.2.1. Purchased database
1.2.2. GVR’s internal database
1.2.3. Secondary sources & third-party perspectives
1.2.4. Primary research
1.3. Information Analysis
1.3.1. Data analysis models
1.4. Market Formulation & Data Visualization
1.5. Data Validation & Publishing
Chapter 2. Executive Summary
2.1. High-k And CVD ALD Metal Precursors Market - Industry Snapshot, 2018 - 2030
Chapter 3. High-k And CVD ALD Metal Precursors Market Variables, Trends & Scope
3.1. Market Size and Growth Prospects, 2018 - 2030
3.2. Industry Value Chain Analysis
3.3. Market Dynamics
3.3.1. Market Driver Analysis
3.3.2. Market Restraint/Challenge Analysis
3.3.3. Market Opportunity Analysis
3.4. Penetration & Growth Prospect Mapping (Key Opportunities Prioritized)
3.5. Business Environment Analysis Tools
3.5.1. Industry Analysis - Porter's Five Forces Analysis
3.5.2. PEST Analysis
3.5.3. COVID-19 Impact Analysis
Chapter 4. High-k and CVD ALD Metal Precursors Market: Technology Outlook
4.1. Market Size Estimates & Forecasts and Trend Analysis, 2018 - 2030 (Revenue, USD Million)
4.2. Interconnect
4.2.1. Market estimates and forecasts by region, 2018 - 2030 (Revenue, USD Million)
4.3. Capacitors
4.3.1. Market estimates and forecasts by region, 2018 - 2030 (Revenue, USD Million)
4.4. Gates
4.4.1. Market estimates and forecasts by region, 2018 - 2030 (Revenue, USD Million)
Chapter 5. High-k and CVD ALD Metal Precursors Market: Regional Outlook
5.1. High-k and CVD ALD Metal Precursors Market, By Region, 2020 & 2030
5.2. North America
5.2.1. Market estimates and forecasts by technology, 2018 - 2030 (Revenue, USD Million)
5.2.2. U.S.
5.2.2.1. Market estimates and forecasts by technology, 2018 - 2030 (Revenue, USD Million)
5.2.3. Canada
5.2.3.1. Market estimates and forecasts by technology, 2018 - 2030 (Revenue, USD Million)
5.3. Europe
5.3.1. Market estimates and forecasts by technology, 2018 - 2030 (Revenue, USD Million)
5.3.2. U.K.
5.3.2.1. Market estimates and forecasts by technology, 2018 - 2030 (Revenue, USD Million)
5.3.3. Germany
5.3.3.1. Market estimates and forecasts by technology, 2018 - 2030 (Revenue, USD Million)
5.3.4. Rest of Europe
5.3.4.1. Market estimates and forecasts by technology, 2018 - 2030 (Revenue, USD Million)
5.4. Asia Pacific
5.4.1. Market estimates and forecasts by technology, 2018 - 2030 (Revenue, USD Million)
5.4.2. China
5.4.2.1. Market estimates and forecasts by technology, 2018 - 2030 (Revenue, USD Million)
5.4.3. India
5.4.3.1. Market estimates and forecasts by technology, 2018 - 2030 (Revenue, USD Million)
5.4.4. Japan
5.4.4.1. Market estimates and forecasts by technology, 2018 - 2030 (Revenue, USD Million)
5.4.5. Rest of Asia Pacific
5.4.5.1. Market estimates and forecasts by technology, 2018 - 2030 (Revenue, USD Million)
5.5. Latin America
5.5.1. Market estimates and forecasts by technology, 2018 - 2030 (Revenue, USD Million)
5.5.2. Brazil
5.5.2.1. Market estimates and forecasts by technology, 2018 - 2030 (Revenue, USD Million)
5.5.3. Mexico
5.5.3.1. Market estimates and forecasts by technology, 2018 - 2030 (Revenue, USD Million)
5.5.4. Rest of Latin America
5.5.4.1. Market estimates and forecasts by technology, 2018 - 2030 (Revenue, USD Million)
5.6. Middle East & Africa
5.6.1. Market estimates and forecasts by technology, 2018 - 2030 (Revenue, USD Million)
Chapter 6. Competitive Landscape
6.1. Air Liquide
6.1.1. Company overview
6.1.2. Financial performance
6.1.3. Product benchmarking
6.1.4. Recent developments
6.2. Adeka Corporation
6.2.1. Company overview
6.2.2. Product benchmarking
6.2.3. Recent developments
6.3. Air Product & Chemicals, Inc.
6.3.1. Company overview
6.3.2. Financial performance
6.3.3. Product benchmarking
6.3.4. Recent developments
6.4. Colnatec
6.4.1. Company overview
6.4.2. Financial performance
6.4.3. Product benchmarking
6.4.4. Recent developments
6.5. Dow Chemical
6.5.1. Company overview
6.5.2. Financial performance
6.5.3. Product benchmarking
6.5.4. Recent developments
6.6. Linde
6.6.1. Company overview
6.6.2. Financial performance
6.6.3. Product benchmarking
6.6.4. Recent developments
6.7. Merck KGAA
6.7.1. Company overview
6.7.2. Financial performance
6.7.3. Product benchmarking
6.7.4. Recent developments
6.8. Nanmat Technology Co. Ltd.
6.8.1. Company overview
6.8.2. Financial performance
6.8.3. Product benchmarking
6.8.4. Recent developments
6.9. Praxair
6.9.1. Company overview
6.9.2. Financial performance
6.9.3. Product benchmarking
6.9.4. Recent developments
6.10. Samsung
6.10.1. Company overview
6.10.2. Financial performance
6.10.3. Product benchmarking
6.10.4. Recent developments
6.11. Strem Chemicals, Inc.
6.11.1. Company overview
6.11.2. Financial performance
6.11.3. Product benchmarking
6.11.4. Recent developments
6.12. Tri Chemical Laboratories Inc.
6.12.1. Company overview
6.12.2. Financial performance
6.12.3. Product benchmarking
6.12.4. Recent developments
| ※参考情報 High-k材料とCVD ALD金属前駆体は、半導体製造において非常に重要な要素であり、先端技術の進化に伴い、その重要性は増しています。High-k材料とは、ゲート絶縁膜やデバイス構造に使用される高誘電率材料のことを指します。この材料は、従来のシリコン酸化物のような低い誘電率と比較して高い誘電率を持つため、非常に薄い膜であってもデバイスの電気的特性を向上させることができます。主に、シリコンのスケーリング限界に直面している現代のトランジスタやメモリデバイスにおいて、高k材料の利用が進んでいます。 High-k材料としては、ハフニウム酸化物(HfO2)、ジルコニウム酸化物(ZrO2)、タンタル酸化物(Ta2O5)などが代表的です。これらの材料は、柔軟な電子特性や低リーク電流、そして単位面積あたりのキャパシタンスを向上させる特性を持っています。その結果、デバイスサイズの縮小が進み、性能とエネルギー効率が向上します。 一方、CVD(化学気相成長)とALD(原子層成長)は、薄膜を形成するための代表的な技術です。CVDは、化学反応を利用して基板上に薄膜を形成する手法で、一般に比較的厚い膜を作成するのに適しています。一方、ALDは、単層ずつ成長させるため非常に均一な薄膜を形成することができ、特に高い膜厚制御精度を提供します。ALDは、特に高k材料などの複雑な三次元構造に対して非常に効果的です。 金属前駆体は、CVDやALDで金属薄膜を形成する際に使用される化合物で、主に金属元素を含み、反応性が高いです。金属前駆体は、デポジションプロセス中に加熱やプラズマ処理により、金属原子を基板上に精密に導入する役割を果たします。最も一般的な金属前駆体には、ハフニウム、チタン、タングステン、コバルトなどがあります。 高k材料やCVD ALD金属前駆体の用途は多岐にわたります。主な用途としては、フィールド効果トランジスタ(FET)、メモリデバイス、バッテリー、太陽電池などが挙げられます。例えば、NANDフラッシュメモリやDRAMなどのメモリデバイスでは、高k材料を用いたゲート絶縁膜により、より高い集積度とより低い消費電力を実現しています。 また、カスタムメイドの金属前駆体は、特定の応用に応じて最適化されることがあり、これにより性能をさらに向上させることが可能です。例えば、タングステン前駆体を使ったALDプロセスは、ナノスケールの配線やコンタクトの形成において重要です。 関連技術としては、PMD(プラズマメタルデポジション)、PVD(物理蒸着)、Epitaxy(エピタキシー)などもあり、これらはそれぞれ異なる方式で薄膜を形成します。PMDは、特に高い成膜速度と均一性を実現し、PVDは、ターゲット材料を蒸発させて薄膜を形成する手法です。また、Epitaxyは、基板の結晶構造に合わせて特定の結晶構造を持つ薄膜を成長させる技術です。 今後の展望としては、より高性能なデバイスへのニーズの高まりに応じて、High-k材料やCVD ALD金属前駆体技術の発展が期待されています。特に、次世代の半導体デバイスや量子デバイスにおいて、これらの材料と技術の制御精度、成長速度、さらにはそれに伴うコストの最適化が求められています。最終的には、これらの進展により、より持続可能かつ高効率な電子機器が実現されることが期待されています。 |
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