自立型GaN基板ウェハのグローバル市場動向2025年-2031年

◆英語タイトル:Global Free-standing GaN Substrate Wafer Market Growth 2025-2031

LP Informationが発行した調査報告書(LP23OT2907)◆商品コード:LP23OT2907
◆発行会社(リサーチ会社):LP Information
◆発行日:2025年8月
◆ページ数:98
◆レポート形式:英語 / PDF
◆納品方法:Eメール(受注後2-3営業日)
◆調査対象地域:グローバル、日本、アメリカ、ヨーロッパ、アジア、中国など
◆産業分野:電子&半導体
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❖ レポートの概要 ❖

世界のフリースタンディングGaN基板ウェハ市場規模は、2025年のUS$ 189百万から2031年にはUS$ 404百万に成長すると予測されています。2025年から2031年までの期間において、年平均成長率(CAGR)13.5%で成長すると見込まれています。
本報告書では、最新の米国関税措置と世界各国が講じる対応策が、市場競争力、地域経済のパフォーマンス、サプライチェーンの構成に与える影響を総合的に評価します。
独立型GaN基板ウェハ
世界のフリースタンディングGaN基板ウェハ市場規模は、2025年のUS$ 189百万から2031年にはUS$ 404百万に成長すると予測されています。2025年から2031年までの期間において、年平均成長率(CAGR)13.5%で成長すると見込まれています。
自立型GaN基板ウェハは、サファイアやシリコンカーバイドなどの異種基板に依存せずに、ホモエピタキシャル成長技術により製造された独立したガリウムナイトライド(GaN)単結晶基板です。その主要な特徴は、低欠陥密度、高熱伝導率、高 breakdown 電圧であり、高性能オプトエレクトロニクス(LED/LD)、パワーエレクトロニクス、高周波エレクトロニクスなどの分野に適しています。
自立型ガリウムナイトライド(GaN)基板ウェハは、次世代の電子・光電子デバイス開発における基盤材料として台頭しており、サファイア、シリコンカーバイド(SiC)、シリコンなどの従来型基板に比べて显著な優位性を有しています。これらの基板はGaN結晶のみで構成されており、異種エピタキシャル成長時に外国基板で生じる格子定数や熱膨張係数の不一致を排除しています。この一致は欠陥密度、特にスレッド欠陥を大幅に低減し、高性能で長寿命のGaNベースデバイスを実現する上で重要です。自立型GaN基板の需要は、RFパワーアンプ、高電子移動度トランジスタ(HEMT)、パワーコンバーター、レーザーダイオードなど、優れた熱管理と電気性能が求められる高出力・高周波数アプリケーションにおける重要な役割から牽引されています。
用途別では、2インチウェハが生産成熟度とコストの低さから市場を支配しており、2024年には約84.13%のシェアを占めています。4インチウェハは高出力・高周波電子機器分野で商業利用が徐々に拡大していますが、収率とコスト性能の最適化が依然課題となっています。一方、6インチの自立型GaN基板は、世界の主要企業と中国企業によって次世代のパワーエレクトロニクスとフォトニクス応用に向けた量産化を目指して活発に開発されています。欠陥密度やスケーラビリティなどの技術的課題が克服されれば、これらの大型基板はスケールメリットを活かし、より効率的なGaNデバイス製造を可能にするものと期待されています。
応用分野では、自立型GaN基板は主に光電子工学(青/紫/緑色レーザーダイオードやLED)、高周波RF電子機器(基地局部品や衛星通信)、パワーエレクトロニクス(電気自動車用インバーターや産業用電源装置)などに使用されています。これらの中で、光電子応用は2024年に70.06%を占めており、これは低欠陥密度と高光学性能という厳しい要件を満たす点で、自立型GaN基板がヘテロエピタキシャルソリューションに比べて大きな優位性を有するためです。特に、プロジェクション、AR/VR、医療診断などに使用されるGaNベースのレーザーダイオードの市場は急速に拡大しています。GaNパワーデバイスがEV、再生可能エネルギー、消費者電子機器分野にさらに浸透するに伴い、大口径で高品質な自立型GaN基板の需要が拡大し、4インチと6インチウェハの商業化が推進される見込みです。
しかし、自立型GaNウェハの製造には技術的・コスト面の課題が存在します。現在の製造方法には、水素化物蒸気相エピタキシー(HVPE)、アンモニア熱成長、ナトリウムフラックス法などが挙げられます。これらの中で、HVPEは高い成長速度とスケーラビリティを特徴とし、最も商業的に成熟し広く採用されています。住友電気工業、SCIOCS、三菱化学、および新規参入の中国企業である蘇州ナノウィンとエタ・リサーチ・リミテッドなど、主要なグローバルメーカーは、生産能力の拡大に積極的に投資しています。売上高ベースでは、2024年にグローバルトップ3企業が約78.84%のシェアを占めています。
LP Information, Inc.(LPI)の最新の調査報告書「Free-standing GaN Substrate Wafer Industry Forecast」は、過去の販売実績を分析し、2024年の世界全体のFree-standing GaN Substrate Wafer販売総額を地域別・市場セクター別に詳細に分析し、2025年から2031年までの予測販売額を提示しています。地域、市場セクター、サブセクター別に販売量を分類した本報告書は、世界フリースタンディングGaN基板ウェハ業界の売上高を米ドル百万単位で詳細に分析しています。
このインサイトレポートは、世界のフリースタンディングGaN基板ウェハ市場の全体像を包括的に分析し、製品セグメンテーション、企業設立、売上高、市場シェア、最新の動向、およびM&A活動に関する主要なトレンドを強調しています。本レポートは、自立型GaN基板ウェハポートフォリオと能力、市場参入戦略、市場ポジション、地理的展開に焦点を当て、主要なグローバル企業の戦略を分析し、加速するグローバル自立型GaN基板ウェハ市場におけるこれらの企業の独自のポジションを深く理解します。
このインサイトレポートは、フリースタンディングGaN基板ウェハの世界の展望を形作る主要な市場動向、ドライバー、影響要因を評価し、タイプ、アプリケーション、地域、市場規模別に予測を分解し、新興の機会領域を強調しています。数百のボトムアップ定性・定量市場データに基づく透明性の高いメソドロジーを採用した本調査の予測は、世界のフリースタンディングGaN基板ウェハ市場の現在の状態と将来の動向について、高度に詳細な見解を提供します。
本レポートは、製品タイプ、アプリケーション、主要メーカー、主要地域および国別に見たフリースタンディングGaN基板ウェハ市場の包括的な概要、市場シェア、成長機会を提示しています。

タイプ別セグメンテーション:
2インチ
4インチ以上

用途別分類:
光電子工学
電力電子
高周波電子機器

この報告書では、市場を地域別に分類しています:
アメリカ
アメリカ合衆国
カナダ
メキシコ
ブラジル
アジア太平洋
中国
日本
韓国
東南アジア
インド
オーストラリア
ヨーロッパ
ドイツ
フランス
イギリス
イタリア
ロシア
中東・アフリカ
エジプト
南アフリカ
イスラエル
トルコ
GCC諸国

以下の企業は、主要な専門家からの情報収集と、企業の事業範囲、製品ポートフォリオ、市場浸透度を分析した結果、選定されました。
住友化学(SCIOCS)
三菱化学
住友電気工業
蘇州ナノウィン科学技術
エタ・リサーチ株式会社
シノニトリド半導体技術
PAM廈門
キマ・テクノロジーズ
ゴーツェ半導体
ホムレイ・マテリアル・テクノロジー(HMT)

本報告書で取り上げる主要な質問
世界のフリースタンディングGaN基板ウェハ市場の10年後の見通しはどのようなものですか?
グローバルおよび地域別で、フリースタンディングGaN基板ウェハ市場の成長を牽引する要因は何ですか?
市場と地域別に最も急速な成長が見込まれる技術は何か?
フリースタンディングGaN基板ウェハ市場の機会は、エンドマーケットの規模によってどのように異なるか?
フリースタンディングGaN基板ウェハは、タイプ別、アプリケーション別にどのように分類されますか?

❖ レポートの目次 ❖

1 報告の範囲
1.1 市場概要
1.2 対象期間
1.3 研究目的
1.4 市場調査手法
1.5 研究プロセスとデータソース
1.6 経済指標
1.7 対象通貨
1.8 市場推計の留意点
2 執行要約
2.1 世界市場の概要
2.1.1 グローバルな独立型GaN基板ウェハの年間販売額(2020年~2031年)
2.1.2 地域別独立型GaN基板ウェハの現在の状況と将来予測(2020年、2024年、2031年)
2.1.3 独立型GaN基板ウェハの世界市場動向(国/地域別)2020年、2024年、2031年
2.2 フリースタンディングGaN基板ウェハのセグメント別分析(タイプ別)
2.2.1 2インチ
2.2.2 4インチ以上
2.2.3 タイプ別フリースタンディングGaN基板ウェハの販売量
2.2.3.1 グローバル独立型GaN基板ウェハ販売市場シェア(タイプ別)(2020-2025)
2.2.3.2 グローバル自立型GaN基板ウェハの売上高と市場シェア(種類別)(2020-2025)
2.2.3.3 グローバル自立型GaN基板ウェハの販売価格(種類別)(2020-2025)
2.3 フリースタンディングGaN基板ウェハのセグメント別アプリケーション
2.3.1 オプトエレクトロニクス
2.3.2 パワーエレクトロニクス
2.3.3 高周波電子機器
2.3.4 用途別フリースタンディングGaN基板ウェハ販売量
2.3.4.1 グローバル独立型GaN基板ウェハ販売市場シェア(用途別)(2020-2025)
2.3.4.2 グローバル独立型GaN基板ウェハの売上高と市場シェア(用途別)(2020-2025)
2.3.4.3 グローバル フリースタンディング GaN 基板ウェハの販売価格(用途別)(2020-2025)
3 グローバル企業別
3.1 グローバル自立型GaN基板ウェハの企業別内訳データ
3.1.1 グローバル独立型GaN基板ウェハの年間売上高(企業別)(2020-2025)
3.1.2 グローバル独立型GaN基板ウェハ販売市場シェア(企業別)(2020-2025)
3.2 グローバル フリースタンディングGaN基板ウェハの年間売上高(企業別)(2020-2025)
3.2.1 グローバル フリースタンディング GaN 基板ウェハの売上高(企業別)(2020-2025)
3.2.2 グローバル独立型GaN基板ウェハ売上高市場シェア(企業別)(2020-2025)
3.3 グローバル フリースタンディング GaN 基板ウェハ 販売価格(企業別)
3.4 主要メーカーの自立型GaN基板ウェハの生産地域分布、販売地域、製品タイプ
3.4.1 主要メーカーの自立型GaN基板ウェハ製品所在地分布
3.4.2 主要メーカーのフリースタンディングGaN基板ウェハ製品ラインナップ
3.5 市場集中率分析
3.5.1 競争環境分析
3.5.2 集中率(CR3、CR5、CR10)および(2023-2025)
3.6 新製品と潜在的な新規参入企業
3.7 市場M&A活動と戦略
4 地域別フリースタンディングGaN基板ウェハの世界歴史的レビュー
4.1 世界における地域別独立型GaN基板ウェハ市場規模(2020-2025)
4.1.1 地域別独立型GaN基板ウェハの年間売上高(2020-2025)
4.1.2 地域別独立型GaN基板ウェハの年間売上高(2020-2025)
4.2 世界における独立型GaN基板ウェハ市場規模(地域別)(2020-2025)
4.2.1 グローバル独立型GaN基板ウェハの年間販売量(地域別)(2020-2025)
4.2.2 独立型GaN基板ウェハの年間売上高(地域別・国別)(2020-2025)
4.3 アメリカズ フリースタンディングGaN基板ウェハの売上成長
4.4 アジア太平洋地域 フリースタンディングGaN基板ウェハの販売成長
4.5 欧州の自立型GaN基板ウェハ販売成長率
4.6 中東・アフリカ地域 独立型GaN基板ウェハの売上高成長率
5 アメリカ
5.1 アメリカズ 独立型GaN基板ウェハの販売量(国別)
5.1.1 アメリカズ 独立型GaN基板ウェハ販売量(国別)(2020-2025)
5.1.2 アメリカズ 独立型GaN基板ウェハの売上高(国別)(2020-2025)
5.2 アメリカズ 独立型GaN基板ウェハの販売量(タイプ別)(2020-2025)
5.3 アメリカズ 独立型GaN基板ウェハの販売量(用途別)(2020-2025)
5.4 アメリカ合衆国
5.5 カナダ
5.6 メキシコ
5.7 ブラジル
6 アジア太平洋
6.1 APAC地域別独立型GaN基板ウェハ販売量
6.1.1 APAC地域別独立型GaN基板ウェハ販売量(2020-2025)
6.1.2 APAC地域別自立型GaN基板ウェハ売上高(2020-2025)
6.2 アジア太平洋地域(APAC)の独立型GaN基板ウェハの販売量(2020-2025)
6.3 アジア太平洋地域(APAC)の自立型GaN基板ウェハの販売量(2020-2025年)
6.4 中国
6.5 日本
6.6 韓国
6.7 東南アジア
6.8 インド
6.9 オーストラリア
6.10 中国・台湾
7 ヨーロッパ
7.1 欧州 独立型GaN基板ウェハの地域別市場規模
7.1.1 欧州 独立型GaN基板ウェハの売上高(国別)(2020-2025)
7.1.2 ヨーロッパ 独立型GaN基板ウェハの売上高(国別)(2020-2025)
7.2 ヨーロッパ 独立型GaN基板ウェハの売上高(種類別)(2020-2025)
7.3 欧州 独立型GaN基板ウェハの売上高(用途別)(2020-2025)
7.4 ドイツ
7.5 フランス
7.6 イギリス
7.7 イタリア
7.8 ロシア
8 中東・アフリカ
8.1 中東・アフリカ 独立型GaN基板ウェハの地域別販売量
8.1.1 中東・アフリカ地域 独立型GaN基板ウェハの売上高(国別)(2020-2025)
8.1.2 中東・アフリカ地域における自立型GaN基板ウェハの売上高(国別)(2020-2025)
8.2 中東・アフリカ地域におけるGaN基板ウェハの販売量(種類別)(2020-2025)
8.3 中東・アフリカ地域 独立型GaN基板ウェハの販売量(2020-2025年)
8.4 エジプト
8.5 南アフリカ
8.6 イスラエル
8.7 トルコ
8.8 GCC諸国
9 市場動向、課題、およびトレンド
9.1 市場ドライバーと成長機会
9.2 市場課題とリスク
9.3 業界の動向
10 製造コスト構造分析
10.1 原材料とサプライヤー
10.2 独立型GaN基板ウェハの製造コスト構造分析
10.3 独立型GaN基板ウェハの製造プロセス分析
10.4 独立型GaN基板ウェハの産業チェーン構造
11 マーケティング、販売代理店および顧客
11.1 販売チャネル
11.1.1 直接チャネル
11.1.2 間接チャネル
11.2 独立型GaN基板ウェハのディストリビューター
11.3 独立型GaN基板ウェハの顧客
12 地域別独立型GaN基板ウェハの世界市場予測レビュー
12.1 地域別独立型GaN基板ウェハ市場規模予測
12.1.1 地域別独立型GaN基板ウェハ市場予測(2026-2031)
12.1.2 地域別フリースタンディングGaN基板ウェハの年間売上高予測(2026-2031)
12.2 アメリカ地域別予測(2026-2031)
12.3 アジア太平洋地域別予測(2026-2031)
12.4 欧州地域別予測(2026-2031年)
12.5 中東・アフリカ地域別予測(2026-2031)
12.6 グローバル フリースタンディング GaN 基板ウェハ タイプ別予測(2026-2031)
12.7 グローバル フリースタンディング GaN 基板ウェハ 市場予測(用途別)(2026-2031)
13 主要企業分析
13.1 住友化学(SCIOCS)
13.1.1 住友化学(SCIOCS)企業情報
13.1.2 住友化学(SCIOCS)の自立型GaN基板ウェハ製品ポートフォリオと仕様
13.1.3 住友化学(SCIOCS)独立型GaN基板ウェハの売上高、収益、価格、粗利益率(2020-2025)
13.1.4 住友化学(SCIOCS)主要事業概要
13.1.5 住友化学(SCIOCS)の最新動向
13.2 三菱化学
13.2.1 三菱化学会社概要
13.2.2 三菱化学 独立型GaN基板ウェハの製品ポートフォリオと仕様
13.2.3 三菱化学 独立型GaN基板ウェハの売上高、収益、価格、粗利益率(2020-2025)
13.2.4 三菱化学 主要事業概要
13.2.5 三菱化学の最新動向
13.3 住友電気工業
13.3.1 住友電気工業会社概要
13.3.2 住友電気工業 独立型GaN基板ウェハ製品ポートフォリオと仕様
13.3.3 住友電気工業の自立型GaN基板ウェハの売上高、売上高、価格、粗利益率(2020-2025)
13.3.4 住友電気工業 主な事業概要
13.3.5 住友電気工業の最新動向
13.4 蘇州ナノウィン科学技術
13.4.1 蘇州ナノウィン科学技術会社情報
13.4.2 蘇州ナノウィン科学技術 独立型GaN基板ウェハの製品ポートフォリオと仕様
13.4.3 蘇州ナノウィン科学技術 独立型GaN基板ウェハの売上高、収益、価格、粗利益率(2020-2025)
13.4.4 蘇州ナノウィン科学技術 主な事業概要
13.4.5 蘇州ナノウィン科学技術株式会社の最新動向
13.5 エタ・リサーチ株式会社
13.5.1 エタ・リサーチ・リミテッド 会社情報
13.5.2 エタ・リサーチ・リミテッド 独立型GaN基板ウェハ製品ポートフォリオと仕様
13.5.3 エタ・リサーチ株式会社 独立型GaN基板ウェハの売上高、収益、価格、粗利益率(2020-2025)
13.5.4 エタ・リサーチ株式会社 主な事業概要
13.5.5 Eta Research Ltd. 最新の動向
13.6 シノ・ニトリド・セミコンダクター・テクノロジー
13.6.1 シノ・ニトリド・セミコンダクター・テクノロジー 会社情報
13.6.2 Sino Nitride Semiconductor Technology 独立型GaN基板ウェハ製品ポートフォリオと仕様
13.6.3 シノ・ニトリド・セミコンダクター・テクノロジー 独立型GaN基板ウェハの売上高、収益、価格、粗利益率(2020-2025)
13.6.4 シノ・ニトリド半導体技術 主な事業概要
13.6.5 シノ・ニトリド・セミコンダクター・テクノロジーの最新動向
13.7 PAM XIAMEN
13.7.1 PAM XIAMEN 会社情報
13.7.2 PAM XIAMEN 独立型GaN基板ウェハ製品ポートフォリオと仕様
13.7.3 PAM XIAMEN 独立型GaN基板ウェハの売上高、収益、価格、粗利益率(2020-2025)
13.7.4 PAM XIAMEN 主な事業概要
13.7.5 PAM XIAMEN 最新動向
13.8 Kyma Technologies
13.8.1 Kyma Technologies 会社情報
13.8.2 Kyma Technologies 独立型GaN基板ウェハ製品ポートフォリオと仕様
13.8.3 Kyma Technologies 独立型GaN基板ウェハの売上高、収益、価格、粗利益率(2020-2025)
13.8.4 Kyma Technologies 主な事業概要
13.8.5 Kyma Technologiesの最新動向
13.9 Goetsu Semiconductor
13.9.1 Goetsu Semiconductor 会社情報
13.9.2 Goetsu Semiconductor 独立型GaN基板ウェハ製品ポートフォリオと仕様
13.9.3 Goetsu Semiconductor 独立型GaN基板ウェハの売上高、収益、価格、粗利益率(2020-2025)
13.9.4 Goetsu Semiconductor 主な事業概要
13.9.5 Goetsu Semiconductorの最新動向
13.10 ホムレイ・マテリアル・テクノロジー(HMT)
13.10.1 ホムレイ・マテリアル・テクノロジー(HMT)会社情報
13.10.2 ホムレイ・マテリアル・テクノロジー(HMT)の自立型GaN基板ウェハ製品ポートフォリオと仕様
13.10.3 ホムレイ・マテリアル・テクノロジー(HMT)の自立型GaN基板ウェハの売上高、収益、価格、粗利益率(2020-2025)
13.10.4 ホムレイ・マテリアル・テクノロジー(HMT)主要事業概要
13.10.5 ホムレイ・マテリアル・テクノロジー(HMT)の最新動向
14 研究結果と結論
14.1.1 市場動向


1 Scope of the Report
1.1 Market Introduction
1.2 Years Considered
1.3 Research Objectives
1.4 Market Research Methodology
1.5 Research Process and Data Source
1.6 Economic Indicators
1.7 Currency Considered
1.8 Market Estimation Caveats
2 Executive Summary
2.1 World Market Overview
2.1.1 Global Free-standing GaN Substrate Wafer Annual Sales 2020-2031
2.1.2 World Current & Future Analysis for Free-standing GaN Substrate Wafer by Geographic Region, 2020, 2024 & 2031
2.1.3 World Current & Future Analysis for Free-standing GaN Substrate Wafer by Country/Region, 2020, 2024 & 2031
2.2 Free-standing GaN Substrate Wafer Segment by Type
2.2.1 2 Inch
2.2.2 4 Inch and Above
2.2.3 Free-standing GaN Substrate Wafer Sales by Type
2.2.3.1 Global Free-standing GaN Substrate Wafer Sales Market Share by Type (2020-2025)
2.2.3.2 Global Free-standing GaN Substrate Wafer Revenue and Market Share by Type (2020-2025)
2.2.3.3 Global Free-standing GaN Substrate Wafer Sale Price by Type (2020-2025)
2.3 Free-standing GaN Substrate Wafer Segment by Application
2.3.1 Optoelectronics
2.3.2 Power Electronics
2.3.3 High-Frequency Electronics
2.3.4 Free-standing GaN Substrate Wafer Sales by Application
2.3.4.1 Global Free-standing GaN Substrate Wafer Sale Market Share by Application (2020-2025)
2.3.4.2 Global Free-standing GaN Substrate Wafer Revenue and Market Share by Application (2020-2025)
2.3.4.3 Global Free-standing GaN Substrate Wafer Sale Price by Application (2020-2025)
3 Global by Company
3.1 Global Free-standing GaN Substrate Wafer Breakdown Data by Company
3.1.1 Global Free-standing GaN Substrate Wafer Annual Sales by Company (2020-2025)
3.1.2 Global Free-standing GaN Substrate Wafer Sales Market Share by Company (2020-2025)
3.2 Global Free-standing GaN Substrate Wafer Annual Revenue by Company (2020-2025)
3.2.1 Global Free-standing GaN Substrate Wafer Revenue by Company (2020-2025)
3.2.2 Global Free-standing GaN Substrate Wafer Revenue Market Share by Company (2020-2025)
3.3 Global Free-standing GaN Substrate Wafer Sale Price by Company
3.4 Key Manufacturers Free-standing GaN Substrate Wafer Producing Area Distribution, Sales Area, Product Type
3.4.1 Key Manufacturers Free-standing GaN Substrate Wafer Product Location Distribution
3.4.2 Players Free-standing GaN Substrate Wafer Products Offered
3.5 Market Concentration Rate Analysis
3.5.1 Competition Landscape Analysis
3.5.2 Concentration Ratio (CR3, CR5 and CR10) & (2023-2025)
3.6 New Products and Potential Entrants
3.7 Market M&A Activity & Strategy
4 World Historic Review for Free-standing GaN Substrate Wafer by Geographic Region
4.1 World Historic Free-standing GaN Substrate Wafer Market Size by Geographic Region (2020-2025)
4.1.1 Global Free-standing GaN Substrate Wafer Annual Sales by Geographic Region (2020-2025)
4.1.2 Global Free-standing GaN Substrate Wafer Annual Revenue by Geographic Region (2020-2025)
4.2 World Historic Free-standing GaN Substrate Wafer Market Size by Country/Region (2020-2025)
4.2.1 Global Free-standing GaN Substrate Wafer Annual Sales by Country/Region (2020-2025)
4.2.2 Global Free-standing GaN Substrate Wafer Annual Revenue by Country/Region (2020-2025)
4.3 Americas Free-standing GaN Substrate Wafer Sales Growth
4.4 APAC Free-standing GaN Substrate Wafer Sales Growth
4.5 Europe Free-standing GaN Substrate Wafer Sales Growth
4.6 Middle East & Africa Free-standing GaN Substrate Wafer Sales Growth
5 Americas
5.1 Americas Free-standing GaN Substrate Wafer Sales by Country
5.1.1 Americas Free-standing GaN Substrate Wafer Sales by Country (2020-2025)
5.1.2 Americas Free-standing GaN Substrate Wafer Revenue by Country (2020-2025)
5.2 Americas Free-standing GaN Substrate Wafer Sales by Type (2020-2025)
5.3 Americas Free-standing GaN Substrate Wafer Sales by Application (2020-2025)
5.4 United States
5.5 Canada
5.6 Mexico
5.7 Brazil
6 APAC
6.1 APAC Free-standing GaN Substrate Wafer Sales by Region
6.1.1 APAC Free-standing GaN Substrate Wafer Sales by Region (2020-2025)
6.1.2 APAC Free-standing GaN Substrate Wafer Revenue by Region (2020-2025)
6.2 APAC Free-standing GaN Substrate Wafer Sales by Type (2020-2025)
6.3 APAC Free-standing GaN Substrate Wafer Sales by Application (2020-2025)
6.4 China
6.5 Japan
6.6 South Korea
6.7 Southeast Asia
6.8 India
6.9 Australia
6.10 China Taiwan
7 Europe
7.1 Europe Free-standing GaN Substrate Wafer by Country
7.1.1 Europe Free-standing GaN Substrate Wafer Sales by Country (2020-2025)
7.1.2 Europe Free-standing GaN Substrate Wafer Revenue by Country (2020-2025)
7.2 Europe Free-standing GaN Substrate Wafer Sales by Type (2020-2025)
7.3 Europe Free-standing GaN Substrate Wafer Sales by Application (2020-2025)
7.4 Germany
7.5 France
7.6 UK
7.7 Italy
7.8 Russia
8 Middle East & Africa
8.1 Middle East & Africa Free-standing GaN Substrate Wafer by Country
8.1.1 Middle East & Africa Free-standing GaN Substrate Wafer Sales by Country (2020-2025)
8.1.2 Middle East & Africa Free-standing GaN Substrate Wafer Revenue by Country (2020-2025)
8.2 Middle East & Africa Free-standing GaN Substrate Wafer Sales by Type (2020-2025)
8.3 Middle East & Africa Free-standing GaN Substrate Wafer Sales by Application (2020-2025)
8.4 Egypt
8.5 South Africa
8.6 Israel
8.7 Turkey
8.8 GCC Countries
9 Market Drivers, Challenges and Trends
9.1 Market Drivers & Growth Opportunities
9.2 Market Challenges & Risks
9.3 Industry Trends
10 Manufacturing Cost Structure Analysis
10.1 Raw Material and Suppliers
10.2 Manufacturing Cost Structure Analysis of Free-standing GaN Substrate Wafer
10.3 Manufacturing Process Analysis of Free-standing GaN Substrate Wafer
10.4 Industry Chain Structure of Free-standing GaN Substrate Wafer
11 Marketing, Distributors and Customer
11.1 Sales Channel
11.1.1 Direct Channels
11.1.2 Indirect Channels
11.2 Free-standing GaN Substrate Wafer Distributors
11.3 Free-standing GaN Substrate Wafer Customer
12 World Forecast Review for Free-standing GaN Substrate Wafer by Geographic Region
12.1 Global Free-standing GaN Substrate Wafer Market Size Forecast by Region
12.1.1 Global Free-standing GaN Substrate Wafer Forecast by Region (2026-2031)
12.1.2 Global Free-standing GaN Substrate Wafer Annual Revenue Forecast by Region (2026-2031)
12.2 Americas Forecast by Country (2026-2031)
12.3 APAC Forecast by Region (2026-2031)
12.4 Europe Forecast by Country (2026-2031)
12.5 Middle East & Africa Forecast by Country (2026-2031)
12.6 Global Free-standing GaN Substrate Wafer Forecast by Type (2026-2031)
12.7 Global Free-standing GaN Substrate Wafer Forecast by Application (2026-2031)
13 Key Players Analysis
13.1 Sumitomo Chemical (SCIOCS)
13.1.1 Sumitomo Chemical (SCIOCS) Company Information
13.1.2 Sumitomo Chemical (SCIOCS) Free-standing GaN Substrate Wafer Product Portfolios and Specifications
13.1.3 Sumitomo Chemical (SCIOCS) Free-standing GaN Substrate Wafer Sales, Revenue, Price and Gross Margin (2020-2025)
13.1.4 Sumitomo Chemical (SCIOCS) Main Business Overview
13.1.5 Sumitomo Chemical (SCIOCS) Latest Developments
13.2 Mitsubishi Chemical
13.2.1 Mitsubishi Chemical Company Information
13.2.2 Mitsubishi Chemical Free-standing GaN Substrate Wafer Product Portfolios and Specifications
13.2.3 Mitsubishi Chemical Free-standing GaN Substrate Wafer Sales, Revenue, Price and Gross Margin (2020-2025)
13.2.4 Mitsubishi Chemical Main Business Overview
13.2.5 Mitsubishi Chemical Latest Developments
13.3 Sumitomo Electric Industries
13.3.1 Sumitomo Electric Industries Company Information
13.3.2 Sumitomo Electric Industries Free-standing GaN Substrate Wafer Product Portfolios and Specifications
13.3.3 Sumitomo Electric Industries Free-standing GaN Substrate Wafer Sales, Revenue, Price and Gross Margin (2020-2025)
13.3.4 Sumitomo Electric Industries Main Business Overview
13.3.5 Sumitomo Electric Industries Latest Developments
13.4 Suzhou Nanowin Science and Technology
13.4.1 Suzhou Nanowin Science and Technology Company Information
13.4.2 Suzhou Nanowin Science and Technology Free-standing GaN Substrate Wafer Product Portfolios and Specifications
13.4.3 Suzhou Nanowin Science and Technology Free-standing GaN Substrate Wafer Sales, Revenue, Price and Gross Margin (2020-2025)
13.4.4 Suzhou Nanowin Science and Technology Main Business Overview
13.4.5 Suzhou Nanowin Science and Technology Latest Developments
13.5 Eta Research Ltd.
13.5.1 Eta Research Ltd. Company Information
13.5.2 Eta Research Ltd. Free-standing GaN Substrate Wafer Product Portfolios and Specifications
13.5.3 Eta Research Ltd. Free-standing GaN Substrate Wafer Sales, Revenue, Price and Gross Margin (2020-2025)
13.5.4 Eta Research Ltd. Main Business Overview
13.5.5 Eta Research Ltd. Latest Developments
13.6 Sino Nitride Semiconductor Technology
13.6.1 Sino Nitride Semiconductor Technology Company Information
13.6.2 Sino Nitride Semiconductor Technology Free-standing GaN Substrate Wafer Product Portfolios and Specifications
13.6.3 Sino Nitride Semiconductor Technology Free-standing GaN Substrate Wafer Sales, Revenue, Price and Gross Margin (2020-2025)
13.6.4 Sino Nitride Semiconductor Technology Main Business Overview
13.6.5 Sino Nitride Semiconductor Technology Latest Developments
13.7 PAM XIAMEN
13.7.1 PAM XIAMEN Company Information
13.7.2 PAM XIAMEN Free-standing GaN Substrate Wafer Product Portfolios and Specifications
13.7.3 PAM XIAMEN Free-standing GaN Substrate Wafer Sales, Revenue, Price and Gross Margin (2020-2025)
13.7.4 PAM XIAMEN Main Business Overview
13.7.5 PAM XIAMEN Latest Developments
13.8 Kyma Technologies
13.8.1 Kyma Technologies Company Information
13.8.2 Kyma Technologies Free-standing GaN Substrate Wafer Product Portfolios and Specifications
13.8.3 Kyma Technologies Free-standing GaN Substrate Wafer Sales, Revenue, Price and Gross Margin (2020-2025)
13.8.4 Kyma Technologies Main Business Overview
13.8.5 Kyma Technologies Latest Developments
13.9 Goetsu Semiconductor
13.9.1 Goetsu Semiconductor Company Information
13.9.2 Goetsu Semiconductor Free-standing GaN Substrate Wafer Product Portfolios and Specifications
13.9.3 Goetsu Semiconductor Free-standing GaN Substrate Wafer Sales, Revenue, Price and Gross Margin (2020-2025)
13.9.4 Goetsu Semiconductor Main Business Overview
13.9.5 Goetsu Semiconductor Latest Developments
13.10 Homray Material Technology (HMT)
13.10.1 Homray Material Technology (HMT) Company Information
13.10.2 Homray Material Technology (HMT) Free-standing GaN Substrate Wafer Product Portfolios and Specifications
13.10.3 Homray Material Technology (HMT) Free-standing GaN Substrate Wafer Sales, Revenue, Price and Gross Margin (2020-2025)
13.10.4 Homray Material Technology (HMT) Main Business Overview
13.10.5 Homray Material Technology (HMT) Latest Developments
14 Research Findings and Conclusion

※参考情報

自立型GaN基板ウェハは、窒化ガリウム(GaN)を基盤としたウェハであり、高性能な半導体デバイスの製造において重要な役割を果たす材料です。このウェハは、さまざまなエレクトロニクスおよび光デバイスの製造で幅広く使用されており、その特性と性能は、特に次世代のパワーエレクトronicsやRF(無線周波数)デバイスの進化に寄与しています。

自立型GaN基板ウェハの最も基本的な定義は、GaNを主成分とする一層の単結晶材料から成るウェハであり、従来のサポート基板に依存せず、自らの基盤として独立していることです。この構造により、GaNデバイスが持つ特性を最大限に引き出すことが可能になります。従来の基板に比べて、温度安定性、電子移動度、耐圧性能の向上が期待できるため、高効率・高出力の電子機器に適しています。

自立型GaN基板の特徴の一つは、デバイス性能の向上です。GaNは、直接バンドギャップを持つ半導体材料であるため、光エミッターやレーザーなどの用途において高い光出力を実現します。また、高い電子移動度を持っているため、高周波数の動作に適しており、RFデバイスやパワーエレクトロニクスに用いられます。さらに、GaNは熱伝導性が高いため、デバイスの熱管理を容易にし、高温での安定した動作が可能です。

自立型GaN基板は、いくつかの種類に分類されます。一般的には、結晶成長のプロセスや基板の厚さ、他の材料との積層の有無により distinctionsがあります。たとえば、高い品質のディスクリートデバイスを製造するための薄膜GaN基板と、大規模な集積回路に使用される厚膜GaN基板があります。また、特定の用途に応じて、サブストレートとして他の化合物半導体との複合構造を持つこともあります。

自立型GaN基板の用途は多岐にわたります。例えば、パワーエレクトロニクスでは、電源装置やコンバータに用いられ、高効率化の推進に寄与しています。また、通信機器においては、高周波の無線送信機や受信機、さらには5G通信の基盤技術としての役割も重要です。光デバイス分野では、高輝度LEDやレーザーダイオード、さらには光通信デバイスの製造にも広く使われています。

関連技術としては、GaN基板の成長技術や加工技術が挙げられます。代表的な成長方法としては、金属有機化学気相成長(MOCVD)や分子線エピタキシー(MBE)があり、これらの技術は高品質のGaN結晶を生成するために用いられます。また、GaN基板の加工技術は、エッチングやパーターニング、薄膜材料との積層など多岐にわたり、デバイスの特性に応じた最適なプロセスが求められます。

最近では、バルクGaN基板の研究開発も進展しており、大型ウェハの製造が可能になることで、コスト削減や生産効率の向上が期待されています。さらに、GaN基板のコスト効率を向上させるための新しい製造方法や材料の探求も進められており、今後の市場成長に寄与することが期待されています。

自立型GaN基板は、その性能から多くの産業での応用が期待されており、次世代の半導体デバイスとしての地位を確立しています。これにより、エネルギー効率の向上、デバイスの小型化、高出力化などの要求に応じた新しい技術革新が促されているのです。未来において、GaN基板技術はさらなる進展を遂げ、電子機器の性能向上に寄与することでしょう。


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★リサーチレポート[ 自立型GaN基板ウェハのグローバル市場動向2025年-2031年(Global Free-standing GaN Substrate Wafer Market Growth 2025-2031)]についてメールでお問い合わせはこちらでお願いします。


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