カテゴリー： FactMR, IT/電子, 世界

SiC＆GaNパワー半導体のグローバル市場（2024ｰ2034）：SiCパワーモジュール、GaNパワーモジュール、ディスクリートSiCパワーデバイス

◆英語タイトル：SiC & GaN Power Semiconductor Market Study by SiC Power Modules, GaN Power Modules, Discrete SiC Power Devices, and Discrete GaN Power Devices from 2024 to 2034

FactMRが発行した調査報告書（FACT24JUL1069）◆商品コード：FACT24JUL1069
◆発行会社（リサーチ会社）：FactMR
◆発行日：2024年5月
   最新版(2025年又は2026年)はお問い合わせください。
◆ページ数：約170
◆レポート形式：英語 / PDF
◆納品方法：Eメール
◆調査対象地域：グローバル
◆産業分野：技術
◆販売価格オプション（消費税別）
Single User（1名様閲覧、印刷不可）USD2,900 ⇒換算￥440,800見積依頼/購入/質問フォーム
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※上記の日本語題名はH&Iグローバルリサーチが翻訳したものです。英語版原本には日本語表記はありません。
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❖ レポートの概要 ❖

SiC＆GaNパワー半導体市場 – レポートの範囲
Fact.MRによるSiC & GaNパワー半導体市場に関する最新研究では、2024年から2034年までの10年間の予測を提供しています。この調査では、現在市場の成長を決定している重要なトレンドを分析しています。本レポートでは、主要市場プレイヤーの促進要因、阻害要因、機会などの重要なダイナミクスについて、主要ステークホルダーやシック＆ガンパワー半導体の提供に関連する新興プレイヤーとともに解説しています。

また、予測期間におけるSIC&GANパワー半導体市場の将来的なステータスに影響を与える原動力も提供しています。地域市場全体のバリューチェーン分析、ビジネス実行、サプライチェーン分析の詳細な評価も本レポートでカバーしています。

シック＆ガンパワーセミコンダクタ市場で事業を展開する著名企業のリスト、製品ポートフォリオ、主要戦略、SWOT分析とともに、この包括的な調査研究の信頼性を高めています。

レポート概要

生産能力、需要、製品開発、収益創出、全世界のシック＆ガンパワー半導体の販売など、多様な特徴に関する包括的な分析を提供します。

予測期間中のsic & ganパワー半導体の売上げを考慮し、楽観的シナリオと保守的シナリオを通して市場の包括的な予測を提供します。また、世界平均価格との地域別価格比較も考慮されています。

市場規模評価に関する分析

市場は各セグメントごとに金額（US$ Mn）で分析されています。

シック＆ガンパワー半導体の世界レベルおよび地域レベルの推定値は、金額ベース「US$ Mn」で入手可能です。本レポートでは、市場の魅力度評価とともに、著名な市場セグメントに関する前年比成長率対比を掲載しています。さらに、全セグメントの絶対ドル機会分析が報告書に脚光を浴びています。

絶対ドル機会は、世界のシック＆ガンパワー半導体市場における販売と流通の観点から、潜在的なリソースの特定とともに、メーカー/ディストリビュータが達成できる機会のレベルを評価する上で重要な役割を果たします。

地域セグメントに関する検査評価

本レポートでは、地域市場に関する予測を提供するのに役立つ主要なセクションを詳しく解説しています。これらの章には地域マクロ（政治、経済、ビジネス環境の展望）が含まれており、予測期間中のSIC&GANパワー半導体市場の成長に大きな影響を与えると予想されます。

シック＆ガンパワー半導体の需要に関する国別評価は、市場規模の推定と予測、価格指数、地域と国の隆盛の力学の影響分析とともに、各地域に提供されています。また、すべての地域市場について、前年比成長率の推定値も掲載しています。

また、新興国の金額と数量の詳細な内訳もレポートに含まれています。

競合に関する詳細分析

本レポートでは、シックパワー半導体およびガンパワー半導体の主要メーカーについて、詳細なプロフィールとともに明らかにしています。シック＆ガンパワー半導体の提供を主な業務とする市場参入企業に関連する重要かつ最新のデータを、詳細なダッシュボードビューの助けを借りて提供しています。本レポートに掲載されている著名企業の市場シェア分析および比較により、レポート読者はビジネスを進める上で先手を打つことができます。

本レポートには、各プレイヤーの包括的なSWOT分析とともに、製品ポートフォリオや主要戦略などの要点を含む企業プロフィールが掲載されています。企業のプレゼンスはマッピングされ、すべての著名なプレイヤーのマトリックスを通じて提示されます。したがって、読者に実用的な洞察を提供し、市場の状況を思慮深く提示し、シック＆ガンパワー半導体領域における競争レベルを予測するのに役立ちます。

❖ レポートの目次 ❖

1. 要旨

2. 分類学と市場定義を含む業界紹介

3. 市場動向と成功要因（マクロ経済要因、市場ダイナミクス、最近の業界動向など

4. 歴史分析と将来予測を含む世界市場の需要分析2019年～2023年および予測2024年～2034年

5. 価格分析

6. 世界市場分析 2019～2023年および2024～2034年予測

6.1. 材料

6.2. コンポーネント

6.3. 用途

7. 材料別の世界市場分析2019～2023年および予測2024～2034年

7.1. SiC

7.2. GaN

8. コンポーネント別の世界市場分析2019～2023年および予測2024～2034年

8.1. SiCパワーモジュール

8.2. GaNパワーモジュール

8.3. ディスクリートSiCパワーデバイス

8.4. ディスクリートGaNパワー・デバイス

9. 世界市場分析2019～2023年、予測2024～2034年、用途別

9.1. 電源

9.2. ワイヤレス充電

9.3. 電力貯蔵

9.4. ハイブリッド＆EVコンポーネント

9.5. HEV充電設備

9.6. モータードライブ

9.7. PVインバーター

9.8. トラクション・モーター・コンポーネント

9.9. その他

10. 地域別の世界市場分析2019～2023年および予測2024～2034年

10.1. 北米

10.2. 中南米

10.3. 西ヨーロッパ

10.4. 東欧

10.5. 東アジア

10.6. 南アジア・太平洋

10.7. 中東・アフリカ

11. 北米の主要セグメント・国別売上高分析 2019～2023年および予測 2024～2034年

12. 中南米売上高分析 2019～2023年および2024～2034年予測：主要セグメント・国別

13. 西欧売上高分析 2019～2023年および2024～2034年予測：主要セグメント・国別

14. 東欧の売上高分析 2019～2023年および2024～2034年予測：主要セグメント・国別

15. 東アジアの売上高分析 2019～2023年および2024～2034年予測：主要セグメント・国別

16. 南アジア・太平洋地域 売上高分析 2019～2023年および2024～2034年予測：主要セグメント・国別

17. 中東・アフリカ地域 売上高分析 2019～2023年および2024～2034年予測：主要セグメント・国別

18. 2024～2034年までの売上高予測：30ヶ国材料・部品・用途・地域別

19. 市場構造分析、主要企業別シェア分析、競争ダッシュボードを含む競争展望

20. 会社概要

20.1. ビジック・テクノロジーズ・リミテッド

20.2. トランスフォーム社

20.3. アルファ・アンド・オメガ・セミコンダクター

20.4. ルネサス エレクトロニクス

20.5. パナソニック株式会社

20.6. ダンフォス

20.7. マイクロセミ・コーポレーション

20.8. ウルフスピード

20.9. ロームセミコンダクタ

20.10. NXPセミコンダクターズN.V.

20.11. GaN Systems Inc.

20.12. エクサガンS.A.S.

20.13. STマイクロエレクトロニクスN.V.

20.14. レイセオン

20.15. ジェネシック・セミコンダクター

20.16. アヴォギー社

20.17. ヴィンコテック社

20.18. ユナイテッド・シリコン・カーバイド社

20.19. 富士電機システムズ

20.20. インフィニオンテクノロジーズ

20.21. セミクロン・インターナショナルGmbH

20.22. グローバル・パワー・テクノロジーズ・グループ

20.23. ケンブリッジ・エレクトロニクス

21. 前提条件と略語 資料

22. 調査方法


※参考情報

SiC（シリコンカーバイド）とGaN（ガリウムナイトライド）は、パワー半導体の領域で注目されている材料です。これらの材料は、高い耐圧性、優れた熱導電性、そして高速スイッチング性能を持っており、様々な応用分野で求められています。特に、エネルギー効率の向上やサイズのコンパクト化が進む現代の電子機器において、SiCおよびGaNパワー半導体は重要な役割を果たしています。
SiCパワー半導体は、高温環境や高電圧での動作を可能にする特性を持っています。一般的には、SiC MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）やSiC Schottkyダイオードなどのデバイスがあります。これらのデバイスは、従来のシリコンデバイスに比べて、スイッチング損失が低く、熱管理が容易なため、高効率な電力変換を実現します。主な用途としては、電気自動車のインバータや再生可能エネルギーシステム、さらには産業用の電源装置などがあります。

一方、GaNパワー半導体は、特に高周波数での動作が求められる場面で優れた性能を発揮します。GaN HEMT（High Electron Mobility Transistor）やGaN FET（Field-Effect Transistor）といったデバイスがあり、これらは極めて高速なスイッチングが可能です。GaNデバイスは、特にRF（無線周波数）アプリケーションや5G通信、パワーエレクトロニクスの分野で多く採用されています。高い電力密度と効率を実現できるため、電源ユニットの小型化や軽量化に貢献しています。

SiCとGaNは、それぞれ異なる特性と利点を持つため、用途に応じて使い分けられます。例えば、高電圧や高温での動作が求められる場合にはSiCが、より高周波数での動作や高電力密度が求められる場合にはGaNが選ばれることが一般的です。これにより、エネルギー効率の向上やコスト削減が図られ、様々な産業での成長が期待されています。

関連技術としては、パワーエレクトロニクス技術全般が挙げられます。これは、電力の変換や制御を効率的に行うための電子機器全般を指し、電源回路、インバータ技術、DC-DCコンバータ、AC-DCコンバータなどが含まれます。これらの技術はSiCやGaNデバイスの性能を最大限に引き出すために重要です。また、冷却技術やパッケージング技術も欠かせません。高性能なデバイスは発熱を伴うため、効果的な熱管理が非常に重要です。最近では、液冷やヒートパイプなどの先進的な冷却技術が導入されることが多く、デバイスの性能向上に寄与しています。

今後の展望としては、SiCやGaN技術の進化が続くと予想されます。特に、製造プロセスの改善や新しい材料研究が進むことで、さらなるコスト削減が期待されます。また、この分野における技術革新は、エネルギー問題への取り組みにも寄与し、持続可能な社会の実現に向けての重要な一歩となるでしょう。これまで以上に、SiCおよびGaNパワー半導体は多様な産業においてその重要性を増していくと考えられています。


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