第1章:序論
1.1. レポートの概要
1.2. 主要市場セグメント
1.3. ステークホルダーにとっての主なメリット
1.4. 調査方法
1.4.1. 一次調査
1.4.2. 二次調査
1.4.3. アナリストツールとモデル
第2章:エグゼクティブサマリー
2.1. CXOの視点
第3章:市場概要
3.1. 市場の定義と範囲
3.2. 主な調査結果
3.2.1. 主要な影響要因
3.2.2. 主要な投資先
3.3. ポーターの5つの力分析
3.3.1. サプライヤーの交渉力は中程度
3.3.2. バイヤーの交渉力は高い
3.3.3.代替品の脅威:中程度
3.3.4. 新規参入の脅威:中程度
3.3.5. 競争の激しさ:中程度
3.4. 市場ダイナミクス
3.4.1. 推進要因
3.4.1.1. TFETデバイスへの多額の投資と開発
3.4.1.2. 民生用電子機器におけるTFETの需要増加
3.4.2. 制約要因
3.4.2.1. TFETデバイスの製造・開発における標準技術の不足
3.4.3. 機会
3.4.3.1. 自動車業界における新しいTFET技術への高い需要
3.5. COVID-19による市場への影響分析
第4章:トンネル電界効果トランジスタ市場(製品タイプ別)
4.1. 概要
4.1.1.市場規模と予測
4.2. 横方向トンネルトンネル構造
4.2.1. 主要市場動向、成長要因、機会
4.2.2. 地域別市場規模と予測
4.2.3. 国別市場シェア分析
4.3. 縦方向トンネルトンネル構造
4.3.1. 主要市場動向、成長要因、機会
4.3.2. 地域別市場規模と予測
4.3.3. 国別市場シェア分析
第5章:トンネル電界効果トランジスタ市場(エンドユーザー別)
5.1. 概要
5.1.1. 市場規模と予測
5.2. コンシューマーエレクトロニクス
5.2.1. 主要市場動向、成長要因、機会
5.2.2. 地域別市場規模と予測
5.2.3. 国別市場シェア分析
5.3.自動車
5.3.1. 主要市場動向、成長要因、機会
5.3.2. 地域別市場規模と予測
5.3.3. 国別市場シェア分析
5.4. 産業機器
5.4.1. 主要市場動向、成長要因、機会
5.4.2. 地域別市場規模と予測
5.4.3. 国別市場シェア分析
5.5. 航空宇宙・防衛
5.5.1. 主要市場動向、成長要因、機会
5.5.2. 地域別市場規模と予測
5.5.3. 国別市場シェア分析
5.6. その他
5.6.1. 主要市場動向、成長要因、機会
5.6.2. 地域別市場規模と予測
5.6.3.国別市場シェア分析
第6章:トンネル電界効果トランジスタ市場(地域別)
6.1. 概要
6.1.1. 地域別市場規模と予測
6.2. 北米
6.2.1. 主要トレンドと機会
6.2.2. 製品タイプ別市場規模と予測
6.2.3. エンドユーザー別市場規模と予測
6.2.4. 国別市場規模と予測
6.2.4.1. 米国
6.2.4.1.1. 主要市場トレンド、成長要因、機会
6.2.4.1.2. 製品タイプ別市場規模と予測
6.2.4.1.3. エンドユーザー別市場規模と予測
6.2.4.2. カナダ
6.2.4.2.1.主要な市場動向、成長要因、機会
6.2.4.2.2. 市場規模と予測(製品タイプ別)
6.2.4.2.3. 市場規模と予測(エンドユーザー別)
6.2.4.3. メキシコ
6.2.4.3.1. 主要な市場動向、成長要因、機会
6.2.4.3.2. 市場規模と予測(製品タイプ別)
6.2.4.3.3. 市場規模と予測(エンドユーザー別)
6.3. ヨーロッパ
6.3.1. 主要な市場動向と機会
6.3.2. 市場規模と予測(製品タイプ別)
6.3.3. 市場規模と予測(エンドユーザー別)
6.3.4. 市場規模と予測(国別)
6.3.4.1. 英国
6.3.4.1.1. 主要な市場動向、成長要因、機会
6.3.4.1.2.製品タイプ別市場規模および予測
6.3.4.1.3. エンドユーザー別市場規模および予測
6.3.4.2. ドイツ
6.3.4.2.1. 主要な市場動向、成長要因、機会
6.3.4.2.2. 製品タイプ別市場規模および予測
6.3.4.2.3. エンドユーザー別市場規模および予測
6.3.4.3. フランス
6.3.4.3.1. 主要な市場動向、成長要因、機会
6.3.4.3.2. 製品タイプ別市場規模および予測
6.3.4.3.3. エンドユーザー別市場規模および予測
6.3.4.4. その他のヨーロッパ地域
6.3.4.4.1. 主要な市場動向、成長要因、機会
6.3.4.4.2.製品タイプ別市場規模および予測
6.3.4.4.3. エンドユーザー別市場規模および予測
6.4. アジア太平洋地域
6.4.1. 主要トレンドと機会
6.4.2. 製品タイプ別市場規模および予測
6.4.3. エンドユーザー別市場規模および予測
6.4.4. 国別市場規模および予測
6.4.4.1. 中国
6.4.4.1.1. 主要市場トレンド、成長要因、機会
6.4.4.1.2. 製品タイプ別市場規模および予測
6.4.4.1.3. エンドユーザー別市場規模および予測
6.4.4.2. 日本
6.4.4.2.1. 主要市場トレンド、成長要因、機会
6.4.4.2.2. 製品タイプ別市場規模および予測
6.4.4.2.3.市場規模と予測(エンドユーザー別)
6.4.4.3. インド
6.4.4.3.1. 主要市場動向、成長要因、機会
6.4.4.3.2. 市場規模と予測(製品タイプ別)
6.4.4.3.3. 市場規模と予測(エンドユーザー別)
6.4.4.4. その他のアジア太平洋地域
6.4.4.4.1. 主要市場動向、成長要因、機会
6.4.4.4.2. 市場規模と予測(製品タイプ別)
6.4.4.4.3. 市場規模と予測(エンドユーザー別)
6.5. LAMEA(アジア太平洋地域)
6.5.1. 主要動向と機会
6.5.2. 市場規模と予測(製品タイプ別)
6.5.3. 市場規模と予測(エンドユーザー別)
6.5.4.国別市場規模および予測
6.5.4.1. 中南米
6.5.4.1.1. 主要市場動向、成長要因、機会
6.5.4.1.2. 製品タイプ別市場規模および予測
6.5.4.1.3. エンドユーザー別市場規模および予測
6.5.4.2. 中東
6.5.4.2.1. 主要市場動向、成長要因、機会
6.5.4.2.2. 製品タイプ別市場規模および予測
6.5.4.2.3. エンドユーザー別市場規模および予測
6.5.4.3. アフリカ
6.5.4.3.1. 主要市場動向、成長要因、機会
6.5.4.3.2. 製品タイプ別市場規模および予測
6.5.4.3.3.市場規模と予測(エンドユーザー別)
第7章:競争環境
7.1. はじめに
7.2. 成功戦略
7.3. 上位10社の製品マッピング
7.4. 競合ダッシュボード
7.5. 競合ヒートマップ
7.6. 2021年における上位プレーヤーのポジショニング
第8章:企業概要
8.1. st microelectronics
8.1.1. 会社概要
8.1.2. 主要役員
8.1.3. 会社概要
8.1.4. 事業セグメント
8.1.5. 製品ポートフォリオ
8.1.6. 業績
8.1.7. 主要な戦略的動きと展開
8.2. インフィニオンテクノロジーズ
8.2.1. 会社概要
8.2.2.主要役員
8.2.3. 会社概要
8.2.4. 事業セグメント
8.2.5. 製品ポートフォリオ
8.2.6. 業績
8.2.7. 主要な戦略的動きと展開
8.3. Texas Instruments Inc.
8.3.1. 会社概要
8.3.2. 主要役員
8.3.3. 会社概要
8.3.4. 事業セグメント
8.3.5. 製品ポートフォリオ
8.3.6. 業績
8.3.7. 主要な戦略的動きと展開
8.4. Avago Technologies (Broadcom Inc.)
8.4.1. 会社概要
8.4.2. 主要役員
8.4.3. 会社概要
8.4.4. 事業セグメント
8.4.5. 製品ポートフォリオ
8.4.6.業績
8.4.7. 主要な戦略的動きと展開
8.5. Focus Microwaves
8.5.1. 会社概要
8.5.2. 主要役員
8.5.3. 会社概要
8.5.4. 事業セグメント
8.5.5. 製品ポートフォリオ
8.6. Advanced Linear Devices, Inc.
8.6.1. 会社概要
8.6.2. 主要役員
8.6.3. 会社概要
8.6.4. 事業セグメント
8.6.5. 製品ポートフォリオ
8.7. Qorvo, Inc.
8.7.1. 会社概要
8.7.2. 主要役員
8.7.3. 会社概要
8.7.4. 事業セグメント
8.7.5. 製品ポートフォリオ
8.7.6. 業績
8.8. Axcera
8.8.1. 会社概要
8.8.2. 主要役員
8.8.3. 会社概要
8.8.4. 事業セグメント
8.8.5. 製品ポートフォリオ
8.9. Deveo Oy
8.9.1. 会社概要
8.9.2. 主要役員
8.9.3. 会社概要
8.9.4. 事業セグメント
8.9.5. 製品ポートフォリオ
8.10. Fairchild Semiconductor International Inc.
8.10.1. 会社概要
8.10.2. 主要役員
8.10.3. 会社概要
8.10.4. 事業セグメント
8.10.5. 製品ポートフォリオ
8.10.6. 業績
8.10.7. 主要な戦略的動きと展開
CHAPTER 1: INTRODUCTION1.1. Report description
1.2. Key market segments
1.3. Key benefits to the stakeholders
1.4. Research Methodology
1.4.1. Primary research
1.4.2. Secondary research
1.4.3. Analyst tools and models
CHAPTER 2: EXECUTIVE SUMMARY
2.1. CXO Perspective
CHAPTER 3: MARKET OVERVIEW
3.1. Market definition and scope
3.2. Key findings
3.2.1. Top impacting factors
3.2.2. Top investment pockets
3.3. Porter’s five forces analysis
3.3.1. Moderate bargaining power of suppliers
3.3.2. High bargaining power of buyers
3.3.3. Moderate threat of substitutes
3.3.4. Moderate threat of new entrants
3.3.5. Moderate intensity of rivalry
3.4. Market dynamics
3.4.1. Drivers
3.4.1.1. High investments and developments of TFETs devices
3.4.1.2. Growing demand of TFET in consumer electronics
3.4.2. Restraints
3.4.2.1. Lack of standard techniques to produce and develop TFET devices
3.4.3. Opportunities
3.4.3.1. High demand for new TFET technologies in automotive industry
3.5. COVID-19 Impact Analysis on the market
CHAPTER 4: TUNNEL FIELD EFFECT TRANSISTOR MARKET, BY PRODUCT TYPE
4.1. Overview
4.1.1. Market size and forecast
4.2. Lateral Tunneling
4.2.1. Key market trends, growth factors and opportunities
4.2.2. Market size and forecast, by region
4.2.3. Market share analysis by country
4.3. Vertical Tunneling
4.3.1. Key market trends, growth factors and opportunities
4.3.2. Market size and forecast, by region
4.3.3. Market share analysis by country
CHAPTER 5: TUNNEL FIELD EFFECT TRANSISTOR MARKET, BY END USER
5.1. Overview
5.1.1. Market size and forecast
5.2. Consumer Electronics
5.2.1. Key market trends, growth factors and opportunities
5.2.2. Market size and forecast, by region
5.2.3. Market share analysis by country
5.3. Automotive
5.3.1. Key market trends, growth factors and opportunities
5.3.2. Market size and forecast, by region
5.3.3. Market share analysis by country
5.4. Industrial
5.4.1. Key market trends, growth factors and opportunities
5.4.2. Market size and forecast, by region
5.4.3. Market share analysis by country
5.5. Aerospace and Defense
5.5.1. Key market trends, growth factors and opportunities
5.5.2. Market size and forecast, by region
5.5.3. Market share analysis by country
5.6. Others
5.6.1. Key market trends, growth factors and opportunities
5.6.2. Market size and forecast, by region
5.6.3. Market share analysis by country
CHAPTER 6: TUNNEL FIELD EFFECT TRANSISTOR MARKET, BY REGION
6.1. Overview
6.1.1. Market size and forecast By Region
6.2. North America
6.2.1. Key trends and opportunities
6.2.2. Market size and forecast, by Product Type
6.2.3. Market size and forecast, by End User
6.2.4. Market size and forecast, by country
6.2.4.1. U.S.
6.2.4.1.1. Key market trends, growth factors and opportunities
6.2.4.1.2. Market size and forecast, by Product Type
6.2.4.1.3. Market size and forecast, by End User
6.2.4.2. Canada
6.2.4.2.1. Key market trends, growth factors and opportunities
6.2.4.2.2. Market size and forecast, by Product Type
6.2.4.2.3. Market size and forecast, by End User
6.2.4.3. Mexico
6.2.4.3.1. Key market trends, growth factors and opportunities
6.2.4.3.2. Market size and forecast, by Product Type
6.2.4.3.3. Market size and forecast, by End User
6.3. Europe
6.3.1. Key trends and opportunities
6.3.2. Market size and forecast, by Product Type
6.3.3. Market size and forecast, by End User
6.3.4. Market size and forecast, by country
6.3.4.1. UK
6.3.4.1.1. Key market trends, growth factors and opportunities
6.3.4.1.2. Market size and forecast, by Product Type
6.3.4.1.3. Market size and forecast, by End User
6.3.4.2. Germany
6.3.4.2.1. Key market trends, growth factors and opportunities
6.3.4.2.2. Market size and forecast, by Product Type
6.3.4.2.3. Market size and forecast, by End User
6.3.4.3. France
6.3.4.3.1. Key market trends, growth factors and opportunities
6.3.4.3.2. Market size and forecast, by Product Type
6.3.4.3.3. Market size and forecast, by End User
6.3.4.4. Rest of Europe
6.3.4.4.1. Key market trends, growth factors and opportunities
6.3.4.4.2. Market size and forecast, by Product Type
6.3.4.4.3. Market size and forecast, by End User
6.4. Asia-Pacific
6.4.1. Key trends and opportunities
6.4.2. Market size and forecast, by Product Type
6.4.3. Market size and forecast, by End User
6.4.4. Market size and forecast, by country
6.4.4.1. China
6.4.4.1.1. Key market trends, growth factors and opportunities
6.4.4.1.2. Market size and forecast, by Product Type
6.4.4.1.3. Market size and forecast, by End User
6.4.4.2. Japan
6.4.4.2.1. Key market trends, growth factors and opportunities
6.4.4.2.2. Market size and forecast, by Product Type
6.4.4.2.3. Market size and forecast, by End User
6.4.4.3. India
6.4.4.3.1. Key market trends, growth factors and opportunities
6.4.4.3.2. Market size and forecast, by Product Type
6.4.4.3.3. Market size and forecast, by End User
6.4.4.4. Rest of Asia-Pacific
6.4.4.4.1. Key market trends, growth factors and opportunities
6.4.4.4.2. Market size and forecast, by Product Type
6.4.4.4.3. Market size and forecast, by End User
6.5. LAMEA
6.5.1. Key trends and opportunities
6.5.2. Market size and forecast, by Product Type
6.5.3. Market size and forecast, by End User
6.5.4. Market size and forecast, by country
6.5.4.1. Latin America
6.5.4.1.1. Key market trends, growth factors and opportunities
6.5.4.1.2. Market size and forecast, by Product Type
6.5.4.1.3. Market size and forecast, by End User
6.5.4.2. Middle East
6.5.4.2.1. Key market trends, growth factors and opportunities
6.5.4.2.2. Market size and forecast, by Product Type
6.5.4.2.3. Market size and forecast, by End User
6.5.4.3. Africa
6.5.4.3.1. Key market trends, growth factors and opportunities
6.5.4.3.2. Market size and forecast, by Product Type
6.5.4.3.3. Market size and forecast, by End User
CHAPTER 7: COMPETITIVE LANDSCAPE
7.1. Introduction
7.2. Top winning strategies
7.3. Product Mapping of Top 10 Player
7.4. Competitive Dashboard
7.5. Competitive Heatmap
7.6. Top player positioning, 2021
CHAPTER 8: COMPANY PROFILES
8.1. st microelectronics
8.1.1. Company overview
8.1.2. Key Executives
8.1.3. Company snapshot
8.1.4. Operating business segments
8.1.5. Product portfolio
8.1.6. Business performance
8.1.7. Key strategic moves and developments
8.2. Infineon Technologies
8.2.1. Company overview
8.2.2. Key Executives
8.2.3. Company snapshot
8.2.4. Operating business segments
8.2.5. Product portfolio
8.2.6. Business performance
8.2.7. Key strategic moves and developments
8.3. Texas Instruments Inc
8.3.1. Company overview
8.3.2. Key Executives
8.3.3. Company snapshot
8.3.4. Operating business segments
8.3.5. Product portfolio
8.3.6. Business performance
8.3.7. Key strategic moves and developments
8.4. Avago Technologies (Broadcom Inc)
8.4.1. Company overview
8.4.2. Key Executives
8.4.3. Company snapshot
8.4.4. Operating business segments
8.4.5. Product portfolio
8.4.6. Business performance
8.4.7. Key strategic moves and developments
8.5. Focus Microwaves
8.5.1. Company overview
8.5.2. Key Executives
8.5.3. Company snapshot
8.5.4. Operating business segments
8.5.5. Product portfolio
8.6. Advanced Linear Devices, Inc.
8.6.1. Company overview
8.6.2. Key Executives
8.6.3. Company snapshot
8.6.4. Operating business segments
8.6.5. Product portfolio
8.7. Qorvo, Inc
8.7.1. Company overview
8.7.2. Key Executives
8.7.3. Company snapshot
8.7.4. Operating business segments
8.7.5. Product portfolio
8.7.6. Business performance
8.8. Axcera
8.8.1. Company overview
8.8.2. Key Executives
8.8.3. Company snapshot
8.8.4. Operating business segments
8.8.5. Product portfolio
8.9. Deveo Oy
8.9.1. Company overview
8.9.2. Key Executives
8.9.3. Company snapshot
8.9.4. Operating business segments
8.9.5. Product portfolio
8.10. Fairchild Semiconductor International Inc.
8.10.1. Company overview
8.10.2. Key Executives
8.10.3. Company snapshot
8.10.4. Operating business segments
8.10.5. Product portfolio
8.10.6. Business performance
8.10.7. Key strategic moves and developments
| ※参考情報 トンネル電界効果トランジスタ(Tunnel Field Effect Transistor、TFET)は、従来のMOSFETとは異なる動作原理を持つトランジスタです。TFETは、トンネル効果を利用して動作するため、特に低電圧で高いオン状態の電流を得られる特性があります。これにより、エネルギー効率の向上や、次世代の超低消費電力デバイスにおいて注目されています。 TFETは、縦型または横型の構造を持ち、一般的には半導体材料としてシリコン(Si)やヒ素化ガリウム(GaAs)などが使用されます。TFETでは、ゲート電圧が印加されると、トンネル効果によりキャリアがバルクからバンドギャップを越えて伝導バンドに移動し、それにより電流が流れる仕組みになっています。この特性により、TFETは特にスイッチング速度とスケーラビリティに優れています。 TFETには、大きく分けて二つの種類があります。一つは、垂直構造TFETで、もう一つは、水平構造TFETです。垂直構造TFETは、電流が垂直に流れる構造で、一般的に高い電流密度を実現できるため、パワーエレクトロニクスや高周波アプリケーションに適しています。一方、水平構造TFETは、電流が水平方向に流れる構造で、集積回路の中での高密度化が求められるデバイスに向いています。 TFETの主な用途は、低消費電力のロジック回路や、次世代の半導体プロセス技術におけるスイッチング素子としての利用です。また、バッテリー駆動のデバイスにおいても、エネルギー効率を改善するための重要なデバイスとして期待されています。さらに、TFETは高温動作や放射線環境に対する抵抗性が高いため、宇宙産業や医療機器などの特殊な用途にも適しています。 TFETに関連する技術としては、量子ダットや二次元材料の利用が挙げられます。量子ダットを用いることによって、トンネル効果を強化し、より高い性能を引き出す研究が進められています。また、グラフェンやモリブデンディスルファイド(MoS₂)などの二次元材料は、高い移動度と良好なトンネル特性を保持しているため、TFETのデバイス性能向上に寄与可能です。 TFET技術の発展により、集積回路の微細化とエネルギー効率の向上が同時に実現される可能性があります。将来的には、新素材や新たな設計手法を取り入れることで、従来のトランジスタを多く置き換えることが予想されます。現在、研究者たちはTFETの特性を最大限に引き出すための材料選定や構造設計に関する多くの実験を行っています。 このように、トンネル電界効果トランジスタは、エネルギー効率が求められる次世代デバイスにおいて重要な役割を果たすと考えられています。TFETの実用化が進めば、低消費電力化が求められる多くの電子機器やシステムに革新をもたらすことが期待されており、今後の発展に注目が集まっています。 |
❖ 免責事項 ❖
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