SOI(シリコン・オン・インシュレータ)の世界市場2023-2028:産業動向、シェア、規模、成長、機会・予測

◆英語タイトル:Silicon on Insulator Market: Global Industry Trends, Share, Size, Growth, Opportunity and Forecast 2023-2028

IMARCが発行した調査報告書(IMARC23FE0119)◆商品コード:IMARC23FE0119
◆発行会社(リサーチ会社):IMARC
◆発行日:2023年2月1日
   最新版(2025年又は2026年)版があります。お問い合わせください。
◆ページ数:147
◆レポート形式:英語 / PDF
◆納品方法:Eメール
◆調査対象地域:グローバル
◆産業分野:電子&半導体
◆販売価格オプション(消費税別)
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※上記の日本語題名はH&Iグローバルリサーチが翻訳したものです。英語版原本には日本語表記はありません。
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❖ レポートの概要 ❖

IMARC社の本調査資料によると、世界のSOI(シリコン・オン・インシュレータ)市場規模が2022年を基準に13億ドルに達しています。今後、2028年には31億ドルになり、2023年から2028年の間に14.4%の成長率を示すと見込まれます。本資料では、SOI(シリコン・オン・インシュレータ)の世界市場を調査し、序論、範囲・手法、エグゼクティブサマリー、イントロダクション、ウェーハサイズ別(300mm、200mm)分析、ウェーハ種類別(FD-SOI、RF-SOI、PD-SOI、その他)分析、技術別(スマートカット、BESOI、SiMOX、ELTRAN、SoS)分析、製品別(RF FEM製品、MEMSデバイス、電源製品、光通信、画像センシング)分析、地域別(北米、アジア太平洋、ヨーロッパ、中南米、中東・アフリカ)分析、SWOT分析、バリューチェーン分析、ファイブフォース分析、価格分析、競争状況など、以下のように掲載しています。また、企業情報として、ABB Ltd., ASI Semiconductor Inc., Infineon Technologies AG, Microchip Technology Inc., Mitsubishi Electric Corporation, NXP Semiconductors N.V., Renesas Electronics Corporation, STMicroelectronics, Texas Instruments Incorporated and Toshiba Corporation.などが含まれています。
・序論
・範囲・手法
・エグゼクティブサマリー
・イントロダクション
・世界のSOI(シリコン・オン・インシュレータ)市場規模:ウェーハサイズ別
- 300mmウェーハの市場規模
- 200mmウェーハの市場規模
・世界のSOI(シリコン・オン・インシュレータ)市場規模:ウェーハ種類別
- FD-SOIウェーハの市場規模
- RF-SOIウェーハの市場規模
- PD-SOIウェーハの市場規模
- その他ウェーハの市場規模
・世界のSOI(シリコン・オン・インシュレータ)市場規模:技術別
- スマートカットにおける市場規模
- BESOIにおける市場規模
- SiMOXにおける市場規模
- ELTRANにおける市場規模
- SoSにおける市場規模
・世界のSOI(シリコン・オン・インシュレータ)市場規模:製品別
- RF FEM製品の市場規模
- MEMSデバイスの市場規模
- 電源製品の市場規模
- 光通信の市場規模
- 画像センシングの市場規模
・世界のSOI(シリコン・オン・インシュレータ)市場規模:地域別
- 北米のSOI(シリコン・オン・インシュレータ)市場規模
- アジア太平洋のSOI(シリコン・オン・インシュレータ)市場規模
- ヨーロッパのSOI(シリコン・オン・インシュレータ)市場規模
- 中南米のSOI(シリコン・オン・インシュレータ)市場規模
- 中東・アフリカのSOI(シリコン・オン・インシュレータ)市場規模
・SWOT分析
・バリューチェーン分析
・ファイブフォース分析
・価格分析
・競争状況

2022年のグローバルシリコンオンインシュレータ(SOI)市場の規模は13億米ドルに達しました。IMARCグループは、2028年までに市場が31億米ドルに達し、2023年から2028年の間に14.4%の成長率(CAGR)を示すと予測しています。

シリコンオンインシュレータ(SOI)とは、エンジニアが単結晶シリコンの薄膜を絶縁体の上に置く半導体デバイスの製造技術であり、集積回路(IC)の製造を効率化するものです。この技術は、接合容量を減少させ、高速化を実現し、電荷漏れを排除し、SOIベースのデバイスの性能を最適化し、最低限の電力消費を確保します。これらの特性により、消費者向け電子機器、マイクロプロセッサ、無線周波数(RF)信号プロセッサ、バイオテクノロジーチップ、マイクロエレクトロメカニカルシステム(MEMS)の製造に広く使用されています。現在、完全欠陥型シリコンオンインシュレータ(FD-SOI)と部分欠陥型シリコンオンインシュレータ(PD-SOI)が商業的に利用可能です。

SOI市場を推進する主要な要因の一つは、電子セクターの大幅な拡大と、スマートフォン、ノートブック、デジタルカメラ、デスクトップなどの高性能なマイクロエレクトロニクスおよび消費者向け電子機器に対する需要の増加です。さらに、FD-SOIの自動車ソリューション、例えば先進運転支援システム(ADAS)や半自動運転システムへの組み込みが、熱機械的堅牢性、運用安全性、低消費電力、長期的信頼性といった特性により市場成長の重要な要因となっています。また、スマートフォンにおける無線周波数シリコンオンインシュレータ(RF-SOI)ウェハの大規模統合などの技術革新も市場の成長に寄与しています。さらに、低消費電力で手頃な価格の半導体および集積回路(IC)に対する需要の高まりが、統合デバイスメーカー(IDM)コミュニティにおけるSOIの広範な採用を促進し、市場の成長を後押ししています。研究開発(R&D)活動への継続的な投資や、主要プレーヤー間の頻繁な合併・買収(M&A)も市場に対して前向きな展望を生み出しています。

IMARCグループは、2023年から2028年にかけての世界的、地域的、国別の予測を含む、グローバルシリコンオンインシュレータ市場レポートの各サブセグメントの主要なトレンド分析を提供しています。市場は、ウェハサイズ、ウェハタイプ、技術、製品、アプリケーションに基づいて分類されています。

ウェハサイズ別の内訳は、300 mmおよび200 mmです。ウェハタイプ別の内訳は、FD-SOI、RF-SOI、PD-SOI、その他です。技術別の内訳は、スマートカット、BESOI、SiMOX、ELTRAN、SoSです。製品別の内訳は、RF FEM製品、MEMSデバイス、パワー製品、光通信、画像センシングです。アプリケーション別の内訳は、消費者向け電子機器、自動車、データ通信および通信、産業、フォトニクス、その他です。地域別の内訳は、北米(アメリカ、カナダ)、アジア太平洋(中国、日本、インド、韓国、オーストラリア、インドネシア、その他)、ヨーロッパ(ドイツ、フランス、イギリス、イタリア、スペイン、ロシア、その他)、ラテンアメリカ(ブラジル、メキシコ、その他)、中東およびアフリカです。

競争環境も調査され、主要プレーヤーとしては、GlobalWafers Co. Ltd.(Sino-American Silicon Products Inc.)、GlobalFoundries Inc.、Murata Manufacturing Co. Ltd.、NXP Semiconductors N.V.、Shanghai Simgui Technology Co. Ltd.、Shin-Etsu Chemical Co. Ltd.、Silicon Valley Microelectronics Inc.、Soitec、STMicroelectronics、SUMCO Corporation、Tower Semiconductor Ltd.、United Microelectronics Corporationが挙げられます。

❖ レポートの目次 ❖

1 序文
2 調査範囲と方法論
2.1 調査目的
2.2 ステークホルダー
2.3 データソース
2.3.1 一次情報源
2.3.2 二次情報源
2.4 市場推定手法
2.4.1 ボトムアップアプローチ
2.4.2 トップダウンアプローチ
2.5 予測方法論
3 エグゼクティブサマリー
4 はじめに
4.1 概要
4.2 主要な業界動向
5 世界のシリコン・オン・インシュレータ市場
5.1 市場概要
5.2 市場実績
5.3 COVID-19の影響
5.4 市場予測
6 ウェーハサイズ別市場分析
6.1 300 mm
6.1.1 市場動向
6.1.2 市場予測
6.2 200 mm
6.2.1 市場動向
6.2.2 市場予測
7 ウェーハタイプ別市場分析
7.1 FD-SOI
7.1.1 市場動向
7.1.2 市場予測
7.2 RF-SOI
7.2.1 市場動向
7.2.2 市場予測
7.3 PD-SOI
7.3.1 市場動向
7.3.2 市場予測
7.4 その他
7.4.1 市場動向
7.4.2 市場予測
8 技術別市場分析
8.1 スマートカット
8.1.1 市場動向
8.1.2 市場予測
8.2 BESOI
8.2.1 市場動向
8.2.2 市場予測
8.3 SiMOX
8.3.1 市場動向
8.3.2 市場予測
8.4 ELTRAN
8.4.1 市場動向
8.4.2 市場予測
8.5 SoS
8.5.1 市場動向
8.5.2 市場予測
9 製品別市場分析
9.1 RF FEM製品
9.1.1 市場動向
9.1.2 市場予測
9.2 MEMSデバイス
9.2.1 市場動向
9.2.2 市場予測
9.3 パワー製品
9.3.1 市場動向
9.3.2 市場予測
9.4 光通信
9.4.1 市場動向
9.4.2 市場予測
9.5 イメージセンシング
9.5.1 市場動向
9.5.2 市場予測
10 用途別市場分析
10.1 民生用電子機器
10.1.1 市場動向
10.1.2 市場予測
10.2 自動車
10.2.1 市場動向
10.2.2 市場予測
10.3 データ通信・電気通信
10.3.1 市場動向
10.3.2 市場予測
10.4 産業用
10.4.1 市場動向
10.4.2 市場予測
10.5 フォトニクス
10.5.1 市場動向
10.5.2 市場予測
10.6 その他
10.6.1 市場動向
10.6.2 市場予測
11 地域別市場分析
11.1 北米
11.1.1 アメリカ合衆国
11.1.1.1 市場動向
11.1.1.2 市場予測
11.1.2 カナダ
11.1.2.1 市場動向
11.1.2.2 市場予測
11.2 アジア太平洋地域
11.2.1 中国
11.2.1.1 市場動向
11.2.1.2 市場予測
11.2.2 日本
11.2.2.1 市場動向
11.2.2.2 市場予測
11.2.3 インド
11.2.3.1 市場動向
11.2.3.2 市場予測
11.2.4 韓国
11.2.4.1 市場動向
11.2.4.2 市場予測
11.2.5 オーストラリア
11.2.5.1 市場動向
11.2.5.2 市場予測
11.2.6 インドネシア
11.2.6.1 市場動向
11.2.6.2 市場予測
11.2.7 その他
11.2.7.1 市場動向
11.2.7.2 市場予測
11.3 欧州
11.3.1 ドイツ
11.3.1.1 市場動向
11.3.1.2 市場予測
11.3.2 フランス
11.3.2.1 市場動向
11.3.2.2 市場予測
11.3.3 イギリス
11.3.3.1 市場動向
11.3.3.2 市場予測
11.3.4 イタリア
11.3.4.1 市場動向
11.3.4.2 市場予測
11.3.5 スペイン
11.3.5.1 市場動向
11.3.5.2 市場予測
11.3.6 ロシア
11.3.6.1 市場動向
11.3.6.2 市場予測
11.3.7 その他
11.3.7.1 市場動向
11.3.7.2 市場予測
11.4 ラテンアメリカ
11.4.1 ブラジル
11.4.1.1 市場動向
11.4.1.2 市場予測
11.4.2 メキシコ
11.4.2.1 市場動向
11.4.2.2 市場予測
11.4.3 その他
11.4.3.1 市場動向
11.4.3.2 市場予測
11.5 中東・アフリカ
11.5.1 市場動向
11.5.2 国別市場分析
11.5.3 市場予測
12 SWOT分析
12.1 概要
12.2 強み
12.3 弱み
12.4 機会
12.5 脅威
13 バリューチェーン分析
14 ポーターの5つの力分析
14.1 概要
14.2 買い手の交渉力
14.3 供給者の交渉力
14.4 競争の激しさ
14.5 新規参入の脅威
14.6 代替品の脅威
15 価格分析
16 競争環境
16.1 市場構造
16.2 主要プレイヤー
16.3 主要プレイヤーのプロファイル
16.3.1 グローバルウェーハーズ株式会社(中米シリコンプロダクツ株式会社)
16.3.1.1 会社概要
16.3.1.2 製品ポートフォリオ
16.3.1.3 財務状況
16.3.2 グローバルファウンドリーズ社
16.3.2.1 会社概要
16.3.2.2 製品ポートフォリオ
16.3.2.3 財務状況
16.3.3 村田製作所
16.3.3.1 会社概要
16.3.3.2 製品ポートフォリオ
16.3.3.3 財務状況
16.3.3.4 SWOT分析
16.3.4 NXPセミコンダクターズN.V.
16.3.4.1 会社概要
16.3.4.2 製品ポートフォリオ
16.3.4.3 財務状況
16.3.4.4 SWOT分析
16.3.5 上海シングイテクノロジー株式会社
16.3.5.1 会社概要
16.3.5.2 製品ポートフォリオ
16.3.6 信越化学工業株式会社
16.3.6.1 会社概要
16.3.6.2 製品ポートフォリオ
16.3.6.3 財務状況
16.3.6.4 SWOT分析
16.3.7 シリコンバレー・マイクロエレクトロニクス株式会社
16.3.7.1 会社概要
16.3.7.2 製品ポートフォリオ
16.3.8 ソイテック
16.3.8.1 会社概要
16.3.8.2 製品ポートフォリオ
16.3.8.3 財務状況
16.3.8.4 SWOT分析
16.3.9 STマイクロエレクトロニクス
16.3.9.1 会社概要
16.3.9.2 製品ポートフォリオ
16.3.10 SUMCO株式会社
16.3.10.1 会社概要
16.3.10.2 製品ポートフォリオ
16.3.10.3 財務状況
16.3.10.4 SWOT分析
16.3.11 タワーセミコンダクター株式会社
16.3.11.1 会社概要
16.3.11.2 製品ポートフォリオ
16.3.11.3 財務状況
16.3.12 ユナイテッド・マイクロエレクトロニクス・コーポレーション
16.3.12.1 会社概要
16.3.12.2 製品ポートフォリオ
16.3.12.3 財務状況
16.3.12.4 SWOT分析



1 Preface
2 Scope and Methodology
2.1 Objectives of the Study
2.2 Stakeholders
2.3 Data Sources
2.3.1 Primary Sources
2.3.2 Secondary Sources
2.4 Market Estimation
2.4.1 Bottom-Up Approach
2.4.2 Top-Down Approach
2.5 Forecasting Methodology
3 Executive Summary
4 Introduction
4.1 Overview
4.2 Key Industry Trends
5 Global Silicon on Insulator Market
5.1 Market Overview
5.2 Market Performance
5.3 Impact of COVID-19
5.4 Market Forecast
6 Market Breakup by Wafer Size
6.1 300 mm
6.1.1 Market Trends
6.1.2 Market Forecast
6.2 200 mm
6.2.1 Market Trends
6.2.2 Market Forecast
7 Market Breakup by Wafer Type
7.1 FD-SOI
7.1.1 Market Trends
7.1.2 Market Forecast
7.2 RF-SOI
7.2.1 Market Trends
7.2.2 Market Forecast
7.3 PD-SOI
7.3.1 Market Trends
7.3.2 Market Forecast
7.4 Others
7.4.1 Market Trends
7.4.2 Market Forecast
8 Market Breakup by Technology
8.1 Smart Cut
8.1.1 Market Trends
8.1.2 Market Forecast
8.2 BESOI
8.2.1 Market Trends
8.2.2 Market Forecast
8.3 SiMOX
8.3.1 Market Trends
8.3.2 Market Forecast
8.4 ELTRAN
8.4.1 Market Trends
8.4.2 Market Forecast
8.5 SoS
8.5.1 Market Trends
8.5.2 Market Forecast
9 Market Breakup by Product
9.1 RF FEM Products
9.1.1 Market Trends
9.1.2 Market Forecast
9.2 MEMS Devices
9.2.1 Market Trends
9.2.2 Market Forecast
9.3 Power Products
9.3.1 Market Trends
9.3.2 Market Forecast
9.4 Optical Communication
9.4.1 Market Trends
9.4.2 Market Forecast
9.5 Image Sensing
9.5.1 Market Trends
9.5.2 Market Forecast
10 Market Breakup by Application
10.1 Consumer Electronics
10.1.1 Market Trends
10.1.2 Market Forecast
10.2 Automotive
10.2.1 Market Trends
10.2.2 Market Forecast
10.3 Datacom and Telecom
10.3.1 Market Trends
10.3.2 Market Forecast
10.4 Industrial
10.4.1 Market Trends
10.4.2 Market Forecast
10.5 Photonics
10.5.1 Market Trends
10.5.2 Market Forecast
10.6 Others
10.6.1 Market Trends
10.6.2 Market Forecast
11 Market Breakup by Region
11.1 North America
11.1.1 United States
11.1.1.1 Market Trends
11.1.1.2 Market Forecast
11.1.2 Canada
11.1.2.1 Market Trends
11.1.2.2 Market Forecast
11.2 Asia-Pacific
11.2.1 China
11.2.1.1 Market Trends
11.2.1.2 Market Forecast
11.2.2 Japan
11.2.2.1 Market Trends
11.2.2.2 Market Forecast
11.2.3 India
11.2.3.1 Market Trends
11.2.3.2 Market Forecast
11.2.4 South Korea
11.2.4.1 Market Trends
11.2.4.2 Market Forecast
11.2.5 Australia
11.2.5.1 Market Trends
11.2.5.2 Market Forecast
11.2.6 Indonesia
11.2.6.1 Market Trends
11.2.6.2 Market Forecast
11.2.7 Others
11.2.7.1 Market Trends
11.2.7.2 Market Forecast
11.3 Europe
11.3.1 Germany
11.3.1.1 Market Trends
11.3.1.2 Market Forecast
11.3.2 France
11.3.2.1 Market Trends
11.3.2.2 Market Forecast
11.3.3 United Kingdom
11.3.3.1 Market Trends
11.3.3.2 Market Forecast
11.3.4 Italy
11.3.4.1 Market Trends
11.3.4.2 Market Forecast
11.3.5 Spain
11.3.5.1 Market Trends
11.3.5.2 Market Forecast
11.3.6 Russia
11.3.6.1 Market Trends
11.3.6.2 Market Forecast
11.3.7 Others
11.3.7.1 Market Trends
11.3.7.2 Market Forecast
11.4 Latin America
11.4.1 Brazil
11.4.1.1 Market Trends
11.4.1.2 Market Forecast
11.4.2 Mexico
11.4.2.1 Market Trends
11.4.2.2 Market Forecast
11.4.3 Others
11.4.3.1 Market Trends
11.4.3.2 Market Forecast
11.5 Middle East and Africa
11.5.1 Market Trends
11.5.2 Market Breakup by Country
11.5.3 Market Forecast
12 SWOT Analysis
12.1 Overview
12.2 Strengths
12.3 Weaknesses
12.4 Opportunities
12.5 Threats
13 Value Chain Analysis
14 Porters Five Forces Analysis
14.1 Overview
14.2 Bargaining Power of Buyers
14.3 Bargaining Power of Suppliers
14.4 Degree of Competition
14.5 Threat of New Entrants
14.6 Threat of Substitutes
15 Price Analysis
16 Competitive Landscape
16.1 Market Structure
16.2 Key Players
16.3 Profiles of Key Players
16.3.1 GlobalWafers Co. Ltd. (Sino-American Silicon Products Inc.)
16.3.1.1 Company Overview
16.3.1.2 Product Portfolio
16.3.1.3 Financials
16.3.2 GlobalFoundries Inc.
16.3.2.1 Company Overview
16.3.2.2 Product Portfolio
16.3.2.3 Financials
16.3.3 Murata Manufacturing Co. Ltd.
16.3.3.1 Company Overview
16.3.3.2 Product Portfolio
16.3.3.3 Financials
16.3.3.4 SWOT Analysis
16.3.4 NXP Semiconductors N.V.
16.3.4.1 Company Overview
16.3.4.2 Product Portfolio
16.3.4.3 Financials
16.3.4.4 SWOT Analysis
16.3.5 Shanghai Simgui Technology Co. Ltd.
16.3.5.1 Company Overview
16.3.5.2 Product Portfolio
16.3.6 Shin-Etsu Chemical Co. Ltd.
16.3.6.1 Company Overview
16.3.6.2 Product Portfolio
16.3.6.3 Financials
16.3.6.4 SWOT Analysis
16.3.7 Silicon Valley Microelectronics Inc.
16.3.7.1 Company Overview
16.3.7.2 Product Portfolio
16.3.8 Soitec
16.3.8.1 Company Overview
16.3.8.2 Product Portfolio
16.3.8.3 Financials
16.3.8.4 SWOT Analysis
16.3.9 STMicroelectronics
16.3.9.1 Company Overview
16.3.9.2 Product Portfolio
16.3.10 SUMCO Corporation
16.3.10.1 Company Overview
16.3.10.2 Product Portfolio
16.3.10.3 Financials
16.3.10.4 SWOT Analysis
16.3.11 Tower Semiconductor Ltd.
16.3.11.1 Company Overview
16.3.11.2 Product Portfolio
16.3.11.3 Financials
16.3.12 United Microelectronics Corporation
16.3.12.1 Company Overview
16.3.12.2 Product Portfolio
16.3.12.3 Financials
16.3.12.4 SWOT Analysis
※参考情報

SOI(シリコン・オン・インシュレータ)は、半導体の製造技術の一つであり、シリコン基板の上に薄い酸化シリコン層を設け、その上にまたシリコン層を形成する構造です。この手法により、トランジスタや集積回路の性能向上、消費電力の低減、さらにはデバイスのスケーラビリティの向上が期待できます。
SOIの概念は、主にシリコンの物理的特性を活用したものであり、インシュレーター層がデバイスの電気的特性において重要な役割を果たしています。インシュレーター層により、デバイス間の電気的干渉を大幅に低減し、高い集積度を実現することができます。これにより、より高効率な回路設計が可能となることから、特に高性能プロセッサやメモリデバイスにおいて採用されています。

SOIにはいくつかの種類があります。代表的なものには、FD-SOI(フルデバイス・シリコン・オン・インシュレータ)やSOI-CMOS(シリコン・オン・インシュレータ・CMOS)があり、これらはそれぞれ異なる特性や利点を持っています。FD-SOIは、トランジスタのゲートを素子の下から横方向に置くことで、短いチャネル効果を克服し、より高い性能を発揮します。一方、SOI-CMOSは、CMOS(相補型金属酸化物半導体)技術にSOIを組み合わせたもので、高速動作や低消費電力を実現するために広く使用されています。

SOIの主な用途は、集積回路、マイクロプロセッサ、アナログ回路、RFIDチップなど多岐にわたります。特に、スマートフォンやタブレットなどのモバイルデバイスにおいては、より高い性能を求められるため、SOI技術が重要な役割を果たしています。また、放熱性の向上や、ノイズ耐性の向上といった特性が求められる分野でも利用されています。

関連技術としては、SOIの製造プロセスや材料研究が挙げられます。SOIウエハーの製造には、バンドギャップエンジニアリングや化学蒸着法、エピタキシャル成長技術などが用いられます。これらの技術は、SOIデバイスの品質や性能を向上させるために欠かせないものです。また、次世代の半導体材料として、GaN(窒化ガリウム)やSiC(炭化ケイ素)なども登場しており、SOIと組み合わせることで新たな可能性が広がっています。

SOI技術は、今後もますます進化し、多くの新しいアプリケーションやデバイスに対応していくと考えられます。特に、IoT(モノのインターネット)やAI(人工知能)技術の発展に伴い、小型化・高性能化が求められるデバイスの市場には、SOIが重要な役割を果たすでしょう。また、持続可能な技術としての観点からも、低消費電力のSOIデバイスは環境に優しい選択肢として評価されています。

このように、SOIはその特性からさまざまな分野での応用が進んでおり、今後の半導体技術の発展に対しても大きな影響を及ぼすことが期待されています。技術革新が進む中で、SOIの研究や開発は引き続き重要なテーマであり、業界全体が注目する動向と言えます。


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